Marktausblick für SiC-auf-Isolator-Filme:
Der Markt für SiC-auf-Isolator-Folien hatte im Jahr 2025 ein Volumen von über 61,46 Millionen US-Dollar und wird bis 2035 voraussichtlich 13,93 Milliarden US-Dollar übersteigen. Im Prognosezeitraum von 2026 bis 2035 wird das Marktvolumen für SiC-auf-Isolator-Folien auf über 72 % jährlich wachsen. Im Jahr 2026 wird das Branchenvolumen für SiC-auf-Isolator-Folien auf 101,29 Millionen US-Dollar geschätzt.
Schlüssel SiC-on-Insulator (SiCOI)-Film Markteinblicke Zusammenfassung:
Regionale Highlights:
- Nordamerika hält einen Marktanteil von 45,5 % im Markt für SiC-auf-Isolator-Folien, angetrieben durch das Wachstum der Luft- und Raumfahrt- sowie Automobilbranche zwischen 2026 und 2035.
- Der asiatisch-pazifische Raum wird voraussichtlich zwischen 2026 und 2035 das schnellste Wachstum im Markt für SiC-auf-Isolator-Folien verzeichnen, angetrieben durch die Entwicklung der Halbleiter- und Telekommunikationsbranche.
Segmenteinblicke:
- Der Markt für Leistungselektronik wird voraussichtlich bis 2035 einen Marktanteil von über 31,4 % erreichen. Dies ist auf die hohe Wärmeleitfähigkeit, Energieeffizienz und den Einsatz in erneuerbaren Energiesystemen zurückzuführen.
- Das Segment der 300-mm-SiC-Wafer (12 Zoll) des Marktes für SiC-auf-Isolator-Filme wird von 2026 bis 2035 ein lukratives Wachstum verzeichnen, angetrieben durch die Nachfrage nach kostengünstigen, hochproduktiven Wafern in der Halbleiterfertigung.
Wichtige Wachstumstrends:
- Innovationen in der SiCOI-Halbleiterfertigung
- Hoher Einsatz von SiC-auf-Isolator-Folien zur Verbesserung der Konnektivität und Steigerung des Datenaustauschs in 5G- und IoT-Geräten
Große Herausforderungen:
- Mangel an verlässlichen Informationen
- Hohe Produktionskosten
- Hauptakteure: MTI Corporation, SICC Co., Ltd., Soitec, STMicroelectronics, Infineon Technologies Co., Ltd. und Wolfspeed, Inc.
Global SiC-on-Insulator (SiCOI)-Film Markt Prognose und regionaler Ausblick:
Marktgröße und Wachstumsprognosen:
- Marktgröße 2025: 61,46 Millionen USD
- Marktgröße 2026: 101,29 Millionen USD
- Prognose Marktgröße: 13,93 Milliarden USD bis 2035
- Wachstumsprognosen: 72 % CAGR (2026–2035)
Wichtige regionale Dynamiken:
- Größte Region: Nordamerika (45,5 % Anteil bis 2035)
- Region mit dem schnellsten Wachstum: Asien-Pazifik
- Dominierende Länder: USA, China, Japan, Südkorea, Deutschland
- Schwellenländer: China, Japan, Südkorea, Taiwan, Singapur
Last updated on : 27 August, 2025
SiC-on-Insulator (SiCOI)-Folien finden breite Anwendung in energieeffizienten Geräten, Spielsteuerungen, der Quantenphotonik und der Optoelektronik. Kontinuierliche technologische Fortschritte werden die Anwendungsmöglichkeiten von SiCOI-Isolatorfolien in den kommenden Jahren voraussichtlich erweitern. Diese Folien spielen in optoelektronischen Geräten, darunter optoelektronischen Transistoren, verschiedene Rollen, beispielsweise als Passivierungsbeschichtung und zur Permeation/Verkapselung von Schichten. So wird für den globalen Markt für optoelektronische Transistoren im Prognosezeitraum ein deutliches Wachstum prognostiziert. Angesichts dieser Statistiken wird sich die steigende Nachfrage nach optoelektronischen Transistoren direkt auf den Absatz von SiC-on-Insulator-Folien auswirken.
SiC-auf-Isolator-Filme integrieren effektiv photonische integrierte Schaltkreise und bilden so eine robuste Plattform, die mit der CMOS-Verarbeitung (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) kompatibel ist, einem Herstellungsverfahren für integrierte Schaltkreise. SiC-auf-Isolator-Filme zeichnen sich zudem durch ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit und ihre Fähigkeit aus, bei hohen Spannungen und Temperaturen zu arbeiten. Dies macht sie zu einer idealen Komponente für Hochleistungsprodukte wie Leistungselektronik in Leiterplatten. Der zunehmende Einsatz von CMOS in der Leiterplattenproduktion wird sich daher in den kommenden Jahren positiv auf den Absatz von SiC-auf-Isolator-Filmen auswirken.
Wachstumstreiber und Herausforderungen auf dem Markt für SiC-auf-Isolator-Filme:
Wachstumstreiber
- Innovationen in der SiCOI-Halbleiterfertigung: Fortschritte bei Fertigungstechniken wie Waferbonden und epitaktischem Wachstum tragen maßgeblich zur Verbesserung der Leistung und Skalierbarkeit von SiC-auf-Isolator-Filmen bei. Durch Waferbonden können die dünnen SiC-Schichten in den Isolator integriert werden, was den Materialbedarf reduziert und Kosten spart. Die SiC-auf-Isolator-Film-kombinierten Halbleiter verbessern zudem die Leistung elektronischer Geräte.
So unterzeichnete die Resonac Holdings Corporation im September 2024 eine strategische Partnerschaft mit Soitec zur gemeinsamen Produktion von 200 mm (8 Zoll) großen Siliziumkarbid-Substraten (SiC), die als SiC-Epitaxie-Wafer in Leistungshalbleitern zum Einsatz kommen. Die hochwertigen SiC-Einkristallsubstrate der Resonac Holdings Corporation wurden mithilfe der Substratbonding-Technologie von Soitec kombiniert, um die Produktivität von 8-Zoll-SiC-Wafern zu steigern und die Lieferkette im SiC-Epi-Wafer-Handel zu erweitern. - Hoher Einsatz von SiC-auf-Isolator-Filmen zur Verbesserung der Konnektivität und Beschleunigung des Datenaustauschs in 5G- und IoT-Geräten: SiC-auf-Isolator-Filme werden in den kommenden Jahren zunehmend in der drahtlosen Kommunikation wie 5G und dem Internet der Dinge (IoT) eingesetzt. Die Integration von SiC-auf-Isolator-Filmen führt zu verbesserter Konnektivität und schnellem Datenaustausch in 5G-Technologien. IoT-Geräte sind miteinander verbunden und benötigen zuverlässige Technologien wie SiC-auf-Isolator-Filme für eine effektive Kommunikation und Informationsübertragung. Daher wird prognostiziert, dass die steigende Nachfrage nach 5G-Kommunikationstechnologie und IoT-Geräten im Fertigungssektor die Umsatzanteile der Hersteller von SiC-auf-Isolator-Filmen in absehbarer Zukunft steigern wird.
Herausforderungen
- Mangel an verlässlichen Informationen: SiC-auf-Isolator-Folien sind eine aufstrebende Technologie, deren potenzielle Einsatzmöglichkeiten, Bedeutung und Grenzen noch immer erforscht werden. Der Mangel an Forschung, Bewusstsein und Wissen über SiC-auf-Isolator-Folien schreckt Endverbraucher von deren Nutzung und den damit verbundenen Trends ab. Auch die geringe Verfügbarkeit verlässlicher Daten stellt die Ergebnisgenauigkeit von SiC-auf-Isolator-Folien in Frage und erschwert die Einschätzung ihres tatsächlichen Marktpotenzials. Mangelnde Informationen können den Einsatz von SiC-auf-Isolator-Folien daher teilweise einschränken.
- Hohe Produktionskosten: Die Komplexität der Herstellungsverfahren für SiC-auf-Isolator-Filme stellt die Marktteilnehmer für SiC-auf-Isolator-Filme (SiCOI) vor erhebliche Herausforderungen. Die Herstellung und Fertigung von SiC-auf-Isolator-Filmen erfordert die Verfügbarkeit moderner Materialien wie Siliziumkarbid und Technologien wie Schichtschneiden und Ionenschneiden, was die Gesamtproduktionskosten erhöht.
Marktgröße und Prognose für SiC-auf-Isolator-Filme:
| Berichtsattribut | Einzelheiten |
|---|---|
|
Basisjahr |
2025 |
|
Prognosezeitraum |
2026–2035 |
|
CAGR |
72 % |
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Marktgröße im Basisjahr (2025) |
61,46 Millionen USD |
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Prognostizierte Marktgröße im Jahr 2035 |
13,93 Milliarden US-Dollar |
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Regionaler Geltungsbereich |
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SiC-auf-Isolator-Film-Marktsegmentierung:
Anwendung (Leistungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Automobilindustrie, Unterhaltungselektronik, Sonstiges)
Der Markt für Leistungselektronik wird bis 2035 voraussichtlich einen Marktanteil von über 31,4 % bei SiC-auf-Isolator-Folien (SiCOI) erreichen. SiC-auf-Isolator-Folien werden aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit und großen Bandlücke hauptsächlich in der Leistungselektronik wie Motorantrieben, Wandlern und Wechselrichtern eingesetzt. SiC-auf-Isolator-Folien mit einer großen Bandlücke von 3,2 eV ermöglichen den Betrieb bei hohen Temperaturen und Leistungen. Integrierte Leistungselektronik mit SiC-auf-Isolator-Folie weist im Vergleich zu herkömmlichen Geräten deutlich geringere Schaltverluste auf, was sie für Stromrichter, die Energie aus mehreren Quellen verarbeiten, unverzichtbar macht. Auch in Technologien für erneuerbare Energien wie Solarwechselrichtern maximieren SiC-auf-Isolator-Folien die Energiegewinnung und senken Verluste, wodurch die Gesamtsystemleistung verbessert wird.
Wafergröße (100 mm (4 Zoll) Wafer, 150 mm (6 Zoll) Wafer, 200 mm (8 Zoll) Wafer, 300 mm (12 Zoll) Wafer)
Das Segment der 300-mm-SiC-Wafer (12 Zoll) im Markt für SiC-on-Insulator-Filme (SiCOI) wird bis 2035 voraussichtlich ein lukratives Wachstum verzeichnen. Die hohe Nachfrage nach diesem Wafertyp ist auf seine größere Oberfläche und Größe zurückzuführen, die die Produktivität steigern. 300-mm-SiC-Wafer (12 Zoll) finden Anwendung bei der Herstellung von Transistoren und integrierten Schaltkreisen. Ihre größere Größe trägt außerdem zur Kosteneffizienz und zur Herstellung komplexer Gerätedesignstrukturen bei. Die Hersteller von NAND- (Not AND) und DRAM- (Dynamic Random Access Memory) Flash-Speichern sind Hauptabnehmer von 300-mm-SiC-Wafern (12 Zoll), da diese ihnen helfen, ihre Produktivität zu maximieren. So haben beispielsweise STMicroelectronics und GlobalFoundries Inc. im Juli 2022 zusammengearbeitet, um eine Produktionsanlage für 300-mm-Wafer in Crolles, Frankreich, zu betreiben. Ziel dieser Zusammenarbeit ist die Produktion von 620.000 300-mm-Wafern pro Jahr, um die hohe Nachfrage aus den Bereichen Automobil, Industrie und Kommunikation zu decken.
Unsere eingehende Analyse des globalen Marktes umfasst die folgenden Segmente:
Substrat |
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Wafergröße |
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Technologie |
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Anwendung |
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Vishnu Nair
Leiter - Globale GeschäftsentwicklungPassen Sie diesen Bericht an Ihre Anforderungen an – sprechen Sie mit unserem Berater für individuelle Einblicke und Optionen.
Regionale Analyse des SiC-auf-Isolator-Filmmarktes:
Marktprognose für Nordamerika
Der nordamerikanische Markt für SiC-auf-Isolator-Folien (SiCOI) wird bis 2035 voraussichtlich einen Umsatzanteil von über 45,5 % erreichen. Die schnell wachsenden Branchen Luft- und Raumfahrt sowie Automobilindustrie treiben die Nachfrage nach SiC-auf-Isolator-Folien rasant an. Steigende Investitionen wichtiger Marktteilnehmer in Forschung und Entwicklung sowie eine unterstützende staatliche Politik zur Förderung der Produktion fortschrittlicher Energiesysteme tragen zusätzlich zum allgemeinen Marktwachstum bei.
In den USA investiert die lokale Regierung erheblich in die Weiterentwicklung der Halbleiter- und Luftfahrtbranche, was sich voraussichtlich positiv auf die Nachfrage nach modernen SiC-auf-Isolator-Filmen auswirken wird. Diese SiCOI-Filme werden in diesen Sektoren verwendet, um die Gesamtleistung der Endprodukte zu verbessern. So gibt das US-Handelsministerium beispielsweise bekannt, dass die Zentralregierung (Administration Biden-Harris) rund 1,6 Milliarden US-Dollar investiert hat, um die inländische Produktion von fortschrittlichen Halbleiterverpackungen aufzubauen und anzukurbeln. Darüber hinaus planen Hersteller von Luft- und Raumfahrtkomponenten aktiv, ihre Produktionsanlagen durch hohe Investitionen zu erweitern. Derartige Schritte dieser Firmen werden die Nachfrage nach SiC-auf-Isolator-Filmen in den kommenden Jahren direkt erhöhen. So kündigte GE Aerospace an, im Jahr 2024 über 650 Millionen US-Dollar in seine Produktionseinheiten und Lieferkette zu investieren.
Auch Kanada leistet aufgrund der zunehmenden Aktivitäten im Telekommunikationsbereich einen positiven Beitrag zum Wachstum des Marktes für SiC-on-Insulator-Folien (SiCOI). So gab die Canadian Telecommunications Association bekannt, dass der kanadische Telekommunikationssektor im Jahr 2023 11,4 Milliarden US-Dollar in Investitionen investieren wird, um die Konnektivität im Land zu verbessern.
Marktstatistiken für den asiatisch-pazifischen Raum
Der Markt für SiC-on-Insulator (SiCOI)-Folien im asiatisch-pazifischen Raum wird im Prognosezeitraum voraussichtlich stark wachsen. Die zunehmende Halbleiterproduktion, Fortschritte in der Fertigungs- und Wafertechnologie sowie die rasante Entwicklung des Telekommunikationssektors eröffnen voraussichtlich lukrative Möglichkeiten für SiCOI-Folienhersteller in der Region. China, Indien, Südkorea und Japan zählen zu den wachstumsstärksten Märkten im asiatisch-pazifischen Raum.
China ist einer der größten Elektronikabnehmer, und die rasanten Fortschritte in der Chip- und Halbleitertechnologie tragen zur hohen Akzeptanz von SiCOI-Folien bei. Um die Halbleiterproduktion zu stärken, investiert die chinesische Regierung von 2014 bis 2030 über 150 Milliarden US-Dollar.
Indiens am schnellsten wachsender Sektor für Entwicklung und Fertigung elektronischer Systeme sowie Telekommunikation treibt die Einführung moderner Materialien wie SiC-auf-Isolator-Filmen voran. Laut der India Brand Equity Foundation investierte die Regierung im Rahmen des Programms zur Förderung der Herstellung elektronischer Komponenten und Halbleiter rund 1,06 Milliarden US-Dollar.
Wichtige Akteure auf dem Markt für SiC-auf-Isolator-Filme:
- MTI Corporation
- Unternehmensübersicht
- Geschäftsstrategie
- Wichtige Produktangebote
- Finanzielle Leistung
- Wichtige Leistungsindikatoren
- Risikoanalyse
- Jüngste Entwicklung
- Regionale Präsenz
- SWOT-Analyse
- Resonac Holdings Corporation
- SICC Co., Ltd.
- Soitec
- STMicroelectronics
- Wolfspeed, Inc.
- GlobalWafers
- Homray-Materialtechnologie
- Präzisions-Mikrooptik Inc.
- Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd.
- Coherent Corp.
- SK Siltron Co., Ltd
- Tianyu Semiconductor Technology Co., Ltd.
- Infineon Technologies Co., Ltd.
Führende Unternehmen im Markt für SiC-on-Insulator (SiCOI)-Folien konzentrieren sich auf die Produktion technologisch fortschrittlicher Lösungen. Um ihr Produktangebot zu erweitern, arbeiten sie zudem mit anderen Akteuren und Forschungsunternehmen zusammen. Steigende Investitionen in Forschung und Entwicklung werden die Anwendungsbereiche für SiC-on-Insulator (SiCOI)-Folien in den kommenden Jahren erweitern. Darüber hinaus setzen sie Strategien wie regionale Expansion sowie Fusionen und Übernahmen ein, um ihre Gewinnanteile zu maximieren.
Zu den wichtigsten Akteuren zählen:
Neueste Entwicklungen
- Im September 2024 kündigte Coherent Corp. die Einführung seiner 200 mm dicken Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafer an. Das Unternehmen konzentriert sich auf die robuste Produktion von Substraten und Epi-Wafern mit einer Dicke von 350 Mikrometern und 500 Mikrometern.
- Im August 2024 gab Infineon Technologies Co., Ltd. die Eröffnung einer der größten und wettbewerbsfähigsten 200-Millimeter-Siliziumkarbid-Leistungshalbleiterfabriken (SiC) in Malaysia bekannt. Diese Fabrik wird mit Ökostrom betrieben und setzt auf nachhaltige Fertigungsverfahren.
- Report ID: 6645
- Published Date: Aug 27, 2025
- Report Format: PDF, PPT
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