Globale Marktgröße, Prognose und Trendhighlights für 2025–2037
Es wird erwartet, dass die Größe desSiC-auf-Isolator-Filmmarktes von 47,9 Millionen US-Dollar im Jahr 2024 auf 171,94 Milliarden US-Dollar bis 2037 ansteigt, was im Prognosezeitraum von 2025 bis 2037 eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von rund 87,7 % verzeichnen wird. Derzeit beträgt der Branchenumsatz von SiC-auf-Isolator-Filmen (SiCOI) im Jahr 2025 wird mit 77,31 Millionen US-Dollar bewertet.
SiC-on-Insulator (SiCOI)-Filme bieten vielfältige Anwendungsmöglichkeiten in energieeffizienten Geräten, Spielsteuerungen, Quantenphotonik und Optoelektronik. Es wird geschätzt, dass kontinuierliche technologische Fortschritte in den kommenden Jahren die Anwendungen von SiCOI-Isolatorfilmen erweitern werden. Diese Filme spielen in optoelektronischen Geräten verschiedene Rollen, einschließlich optoelektronischer Transistoren, z. B. als Passivierungsbeschichtung und Permeation/Einkapselung von Schichten. Beispielsweise wird prognostiziert, dass der weltweite Markt für optoelektronische Transistoren bis 2036 mit einer jährlichen Wachstumsrate von 20,1 % wachsen wird. Unter Berücksichtigung dieser Statistiken dürfte der Anstieg der Nachfrage nach optoelektronischen Transistoren einen direkten Einfluss auf den Verkauf von SiC-auf-Isolator-Filmen haben.
SiC-auf-Isolator-Filme integrieren photonische integrierte Schaltkreise effektiv, was zur Bildung einer starken Plattform führt, die effektiv mit der komplementären Metalloxid-Halbleiterverarbeitung (CMOS) kompatibel ist, einem Herstellungsprozess zur Herstellung integrierter Schaltkreise. Außerdem sind SiC-auf-Isolator-Filme für ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit und ihre Fähigkeit, bei hohen Spannungen und Temperaturen zu arbeiten, bekannt. Dies macht sie zu einer idealen Komponente für Hochleistungsprodukte wie Leistungselektronik, die in Leiterplatten verwendet wird. Daher dürfte sich der zunehmende Einsatz von CMOS in der Leiterplattenproduktion in den kommenden Jahren positiv auf den Verkauf von SiC-auf-Isolator-Folien auswirken.
SiC-on-Insulator (SiCOI)-Foliensektor: Wachstumstreiber und Herausforderungen
Wachstumstreiber
- Innovationen bei der Herstellung von SiCOI-Halbleitern: Die Fortschritte bei den Herstellungstechniken, einschließlich Wafer-Bonding und epitaktischem Wachstum, tragen erheblich dazu bei, die Leistung und Skalierbarkeit von SiC-auf-Isolator-Filmen zu verbessern. Durch die Wafer-Bonding-Technologie können die dünnen SiC-Schichten in den Isolator integriert werden, was die Größe des benötigten Materials reduziert und zu Kosteneinsparungen führt. Die mit SiC-auf-Isolator-Filmen kombinierten Halbleiter verbessern auch die Leistung elektronischer Geräte.
Beispielsweise unterzeichnete die Resonac Holdings Corporation im September 2024 eine strategische Partnerschaftsvereinbarung mit Soitec zur gemeinsamen Produktion von 200 mm (8 Zoll) großen, mit Siliziumkarbid (SiC) verbundenen Substraten, die als epitaktische SiC-Wafer in Leistungshalbleitern verwendet werden. Die hochwertigen SiC-Einkristallsubstrate der Resonac Holdings Corporation wurden mithilfe der Substrat-Bonding-Technologie von Soitec kombiniert, um die Produktivität von 8-Zoll-SiC-Wafern zu steigern und die Lieferkette im SiC-Epi-Wafer-Handel zu erweitern. - Hoher Einsatz von SiC-auf-Isolator-Filmen zur Verbesserung der Konnektivität und Förderung des Datenaustauschs in 5G- und IoT-Geräten: SiC-auf-Isolator-Filme werden in den kommenden Jahren zunehmend in der drahtlosen Kommunikation wie 5G und dem Internet der Dinge (IoT) Anwendung finden. Die Integration von SiC-auf-Isolator-Filmen führt zu einer verbesserten Konnektivität und einem schnellen Datenaustausch in 5G-Technologien. IoT-Geräte sind miteinander verbunden und erfordern zuverlässige Technologien wie SiC-auf-Isolator-Filme für eine effektive Kommunikation und Informationsübertragung. Daher wird prognostiziert, dass die steigende Nachfrage nach 5G-Kommunikationstechnologie und IoT-Geräten im Fertigungssektor die Umsatzanteile der Hersteller von SiC-auf-Isolator-Folien in absehbarer Zukunft steigern wird.
Herausforderungen
- Mangel an zuverlässigen Informationen: SiC-auf-Isolator-Film ist eine aufstrebende Technologie und viele Forscher arbeiten immer noch an ihren möglichen Einsatzmöglichkeiten, ihrer Bedeutung und ihren Grenzen. Der Mangel an Forschung, Bewusstsein und Wissen über SiC-auf-Isolator-Filme schreckt Endbenutzer von deren Verwendung und Trends ab. Außerdem stellt die geringe Verfügbarkeit zuverlässiger Daten die Ergebnisgenauigkeit von SiC-auf-Isolator-Filmen in Frage, was es schwierig macht, ihr wahres Marktpotenzial zu verstehen. Daher kann ein Mangel an Informationen die Verwendung von SiC-auf-Isolator-Filmen in gewissem Maße einschränken.
- Hohe Produktionskosten: Die mit den Herstellungstechniken für SiC-auf-Isolator-Folien verbundenen Komplexitäten stellen die Marktteilnehmer für SiC-auf-Isolator-Folien (SiCOI) vor erhebliche Herausforderungen. Die Herstellung und Herstellung von SiC-auf-Isolator-Filmen erfordert die Verfügbarkeit fortschrittlicher Materialien wie Siliziumkarbid und Technologien wie Schichtschneiden und Ionenschneiden, was die Gesamtproduktionskosten erhöht.
Markt für SiC-on-Insulator (SiCOI)-Folien: Wichtige Erkenntnisse
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Basisjahr |
2024 |
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Prognosejahr |
2025-2037 |
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CAGR |
87,7 % |
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Marktgröße im Basisjahr (2024) |
47,9 Millionen US-Dollar |
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Prognostizierte Marktgröße für das Jahr 2037 |
171,94 Milliarden US-Dollar |
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Regionaler Umfang |
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SiC-on-Insulator (SiCOI)-Filmsegmentierung
Anwendung (Leistungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Automobil, Unterhaltungselektronik, andere)
Das Segment der Leistungselektronik wird voraussichtlich bis 2037 einen Marktanteil von SiC-auf-Isolator-Filmen (SiCOI) von mehr als 31,4 % halten. SiC-auf-Isolator-Filme werden aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit und großen Bandlücke hauptsächlich in der Leistungselektronik wie Motorantrieben, Konvertern und Wechselrichtern verwendet. SiC-auf-Isolator-Filme mit einer großen Bandlücke von 3,2 eV unterstützen den Betrieb bei hohen Temperaturen und Leistungsniveaus. Die integrierte Leistungselektronik mit SiC-auf-Isolator-Folie verringert im Vergleich zu herkömmlichen Geräten die Schaltverluste erheblich, was sie bei Leistungswandlern, die Energie aus mehreren Quellen verwalten, von entscheidender Bedeutung ist. Auch bei Technologien für erneuerbare Energien wie Solarwechselrichtern maximieren SiC-auf-Isolator-Filme die Energiegewinnung und verringern Verluste, wodurch die Gesamtsystemleistung verbessert wird.
Wafergröße (100-mm-Wafer (4 Zoll), 150-mm-Wafer (6 Zoll), 200-mm-Wafer (8 Zoll), 300-mm-Wafer (12 Zoll))
300 mm (12 Zoll) SiC-Wafer im Markt für SiC-auf-Isolator-Filme (SiCOI) werden bis 2037 voraussichtlich ein Wachstum von rund 94,5 % verzeichnen. Die hohe Nachfrage nach dieser Art von Wafern ist auf ihre größere Oberfläche und Größe zurückzuführen, was die Produktivität erhöht. 300-mm-SiC-Wafer (12 Zoll) finden Anwendung bei der Herstellung von Transistoren und integrierten Schaltkreisen. Darüber hinaus trägt seine größere Größe zur Kosteneffizienz und zur Herstellung komplexer Gerätedesignstrukturen bei. Die Hersteller von NAND- (nicht AND) und DRAM-Flashspeichern (Dynamic Random Access Memory) sind Hauptnutzer von 300-mm-SiC-Wafern (12 Zoll), da diese ihnen dabei helfen, ihre Produktivität zu maximieren. Beispielsweise haben STMicroelectronics und GlobalFoundries Inc. im Juli 2022 zusammengearbeitet, um eine 300-mm-Wafer-Produktionsanlage in Crolles, Frankreich, zu betreiben. Ziel dieser Zusammenarbeit ist die Produktion von 6.20.000 300-mm-Wafern pro Jahr, um der hohen Nachfrage aus der Automobil-, Industrie- und Kommunikationsbranche gerecht zu werden.
Unsere eingehende Analyse des globalen Marktes umfasst die folgenden Segmente:
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Substrat |
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Wafergröße |
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Diesen Bericht anpassenSiC-on-Insulator (SiCOI)-Folienindustrie – regionaler Geltungsbereich
Marktprognose für Nordamerika
Nordamerika Der Markt für SiC-auf-Isolator-Folien (SiCOI) wird bis 2037 voraussichtlich einen Umsatzanteil von mehr als 45,5 % haben. Die schnell wachsenden Sektoren Luft- und Raumfahrt und Automobil steigern die Nachfrage nach SiC-auf-Isolator-Folien rasch. Die zunehmenden Investitionen wichtiger Marktteilnehmer in Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten und die unterstützende Regierungspolitik zur Förderung der Produktion fortschrittlicher Energiesysteme tragen zusätzlich zum Gesamtmarktwachstum bei.
In den USA investiert die lokale Regierung erheblich in die Weiterentwicklung des Halbleiter- und Luft- und Raumfahrtsektors, was sich voraussichtlich positiv auf die Nachfrage nach fortschrittlichen SiC-auf-Isolator-Filmen auswirken wird. Diese SiCOI-Folien werden in diesen Bereichen eingesetzt, um die Gesamtleistung der Endprodukte zu steigern. Das US-Handelsministerium gibt beispielsweise bekannt, dass die Zentralregierung (Biden-Harris-Administration) rund 1,6 Milliarden US-Dollar investiert hat, um die inländische Produktion von Halbleiter-Hochleistungsverpackungen aufzubauen und anzukurbeln. Darüber hinaus planen Hersteller von Luft- und Raumfahrtkomponenten aktiv die Erweiterung ihrer Produktionsanlagen, indem sie Entscheidungen zu hohen Investitionen treffen. Solche Schritte dieser Firmen würden die Nachfrage nach SiC-auf-Isolator-Filmen in den kommenden Jahren direkt steigern. GE Aerospace kündigte beispielsweise seinen Plan an, im Jahr 2024 über 650 Millionen US-Dollar in seine Produktionseinheiten und Lieferkette zu investieren.
Kanada zeigt aufgrund der Ausweitung der Aktivitäten in der Telekommunikation ebenfalls einen positiven Beitrag zum Wachstum des SiC-on-Insulator (SiCOI)-Folienmarkts. Beispielsweise gab die Canadian Telecommunications Association bekannt, dass der kanadische Telekommunikationssektor im Jahr 2023 11,4 Milliarden USD in Kapitalausgaben investiert hat, um die Konnektivität im Land zu verbessern.
Marktstatistiken für den asiatisch-pazifischen Raum
Der Markt für SiC-on-Insulator (SiCOI)-Folien im asiatisch-pazifischen Raum wird im prognostizierten Zeitraum voraussichtlich schnell wachsen. Es wird erwartet, dass die expandierenden Halbleiterfertigungsaktivitäten, Fortschritte in der Herstellungs- und Wafertechnologie und der sich schnell entwickelnde Telekommunikationssektor lukrative Möglichkeiten für SiCOI-Filmproduzenten in der Region eröffnen werden. China, Indien, Südkorea und Japan gehören zu den wachstumsstarken Märkten im asiatisch-pazifischen Raum.
China ist einer der größten Elektronikverbraucher und die rasanten Fortschritte bei Chip- und Halbleitertechnologien tragen zur hohen Akzeptanz von SiCOI-Filmen bei. Um den Halbleiterfertigungssektor zu stärken, investiert die chinesische Regierung von 2014 bis 2030 über 150 Milliarden US-Dollar.
Indiens am schnellsten wachsende Sektoren für Design, Fertigung und Telekommunikation von Elektroniksystemen treiben die Einführung fortschrittlicher Energiematerialien voran, einschließlich SiC-auf-Isolator-Folien. Nach Angaben der India Brand Equity Foundation investierte die Regierung im Rahmen des Programms zur Förderung der Herstellung elektronischer Komponenten und Halbleiter rund 1,06 Milliarden US-Dollar.
Unternehmen, die die SiC-on-Insulator (SiCOI)-Filmlandschaft dominieren
- MTI Corporation
- Unternehmensübersicht
- Geschäftsstrategie
- Wichtige Produktangebote
- Finanzielle Leistung
- Wichtige Leistungsindikatoren
- Risikoanalyse
- Neueste Entwicklung
- Regionale Präsenz
- SWOT-Analyse
- Resonac Holdings Corporation
- SICC Co., Ltd.
- Soitec
- STMicroelectronics
- Wolfspeed, Inc.
- GlobalWafers
- Homray-Materialtechnologie
- Precision Micro-optics Inc.
- Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd.
- Coherent Corp.
- SK siltron Co., Ltd
- Tianyu Semiconductor Technology Co., Ltd.
- Infineon Technologies Co., Ltd.
Führende Unternehmen auf dem Markt für SiC-on-Insulator (SiCOI)-Folien konzentrieren sich auf die Produktion technologisch fortschrittlicher Lösungen. Um ihr Produktangebot zu erweitern, arbeiten sie auch mit anderen Akteuren und Forschungsunternehmen zusammen. Die zunehmenden Investitionen in Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten werden die Anwendungsbereiche von SiC-on-Insulator (SiCOI)-Filmen in den kommenden Jahren erweitern. Darüber hinaus verfolgen sie auch Strategien wie regionale Expansion und Fusionen & Akquisitionen, um ihre Gewinnanteile zu maximieren.
Zu den wichtigsten Akteuren gehören:
In the News
- Im September 2024 kündigte Coherent Corp. die Einführung seiner 200-mm-Siliziumkarbid-Epitaxiewafer an. Das Unternehmen konzentriert sich auf die robuste Produktion von Substraten und Epi-Wafern mit einer Dicke von 350 Mikrometern und 500 Mikrometern.
- Im August 2024 gab Infineon Technologies Co., Ltd. die Eröffnung einer der größten und wettbewerbsfähigsten 200-Millimeter-Leistungshalbleiterfabriken aus Siliziumkarbid (SiC) in Malaysia bekannt. Diese Fabrik wird mit Ökostrom betrieben und setzt nachhaltige Herstellungsverfahren ein.
Autorenangaben: Rajrani Baghel
- Report ID: 6645
- Published Date: Mar 19, 2025
- Report Format: PDF, PPT
