What are the major factors driving the growth of the 抗輻射電子產品 market?

半導體材料需求的成長以及衛星需求的成長是推動市場成長的主要因素。 Read More

What would be the CAGR of 抗輻射電子產品 Market over the forecast period?

預計該市場在預測期內（即 2024 年至 2036 年）的複合年增長率將達到 10%。. Read More

預計到2036年底，北美地區市場將佔據最大的市場份額，並在未來提供更多商機。 Read More

德州儀器 (TI)推出了一項新的設備篩選規範，稱為太空高級塑膠 (SHP)，適用於抗輻射產品。這些產品提高了熱效率，並以更小的尺寸增加了頻寬。
英飛凌科技股份公司推出業界首款高密度耐輻射 (RadTol) NOR 快閃記憶體產品，為 FPGA 設定、影像儲存、微控制器資料儲存和啟動程式碼儲存等任務提供出色的低引腳數單晶片解決方案。該設備可耐受高達 125 krad (Si) 的無偏輻射和 30 krad (Si) 的偏輻射。

半導體材料需求的成長以及衛星需求的成長是推動市場成長的主要因素。

預計該市場在預測期內（即 2024 年至 2036 年）的複合年增長率將達到 10%。

高昂的開發和設計成本以及對電氣設備輻射影響的日益擔憂預計將成為市場擴張的阻礙因素。

預計到2036年底，北美地區市場將佔據最大的市場份額，並在未來提供更多商機。

該市場的主要參與者包括 Xilinx, Inc.、Atmel Corporation、BAE Systems 和 STMicroElectronics 等。