抗輻射電子市場 - 歷史資料 (2019-2024)、2025 年全球趨勢、2037 年成長預測
2025 年抗輻射電子市場的評估價值為 17.8 億美元。 2024 年，全球市場規模將超過 17.2 億美元，預計複合年增長率將超過 4.3%，到 2037 年將突破 29.7 億美元。由於環境問題日益嚴重，以及在各種應用中對抗輻射電子產品的需求不斷增長，預計到 2037 年，北美市場規模將達到 9.801 億美元。
電子產品需求不斷增長推動了市場成長。全球人們可支配所得的增加增加了對電子產品的需求。隨著電子產品需求的增加，抗輻射電子產品可能變得更加必要，特別是在可靠性和安全性至關重要的領域。預計到 2022 年底，全球消費者在電子產品上的支出將超過 5,000 億美元。此外，抗輻射電子產品的研發不斷成長，預計將推動市場收入的成長。
抗輻射電子市場：成長動力與挑戰
成長動力
- 對半導體材料的需求不斷增長-由於半導體材料在筆記型電腦、平板電腦等各種應用中的使用不斷增加，預計未來幾年市場將進一步擴大。數據顯示，2020 年全球半導體銷售額成長超過 4,200 億美元。
- 衛星需求不斷增長 - 全球對高速、可靠通訊服務的需求不斷增長，預計將推動市場成長。 2021 年部署了超過 1,500 顆商業衛星，反映出商業衛星產業近期的強勁成長。
- 蓬勃發展的航太工業研發抗輻射電子產品主要由航空航太領域推動，預計該領域將推動市場成長。根據最新數據，到 2021 年，航太產業的價值預計將超過 4,500 億美元。
挑戰
- 開發和設計成本過高- 抗輻射電子產品的高成本和複雜設計是預計減緩市場成長的主要因素之一。例如，為了抵禦惡劣的太空環境，經過抗輻射處理的電子設備需要特定的設計考量。由於需要嚴格的測試和驗證，設計過程的費用增加了。此外，與傳統電子產品相比，抗輻射電子產品通常需要更昂貴的材料和組件。
- 越來越擔心輻射對電子設備的影響
- 缺乏輻射硬化的產生與標準化
抗輻射電子市場：主要見解
| 報告屬性 | 詳細資訊 |
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基準年 |
2024年 |
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預測年份 |
2025-2037 |
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複合年增長率 |
4.3% |
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基準年市場規模（2024 年） |
17.2億美元 |
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預測年度市場規模（2037 年） |
29.7億美元 |
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區域範圍 |
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抗輻射電子分段
應用程式（航空航太與國防、核電廠、醫療保健）
航空航太和航空航太在預計的時間範圍內，國防領域在抗輻射電子市場中的份額預計將超過 40%。此細分市場的成長可歸因於世界各國政府投資的增加。航空航太和國防部門經常在輻射豐富的環境中工作，包括太空、高海拔和核環境。此類環境中的輻射有可能破壞或損害電子系統，可能導致任務失敗。
元件類型（類比、數位混合訊號設備、記憶體控制器、處理器、電源管理元件）
預計到 2037 年，電源管理元件部分將佔據抗輻射電子市場 32% 的份額。由於在高輻射水平的挑戰性環境中可靠運作的關鍵要求，抗輻射設備中的電源管理需求非常迫切。例如，核電廠電子設備的輻射損壞可能會導致安全隱患或工廠關閉。這些設施的安全系統的可靠運作取決於抗輻射電源管理系統。目前，沒有電力的人數接近 6.6 億，而到 2030 年，預計將有近 20 億人繼續使用骯髒的燃料和技術進行烹飪。
我們對全球抗輻射電子市場的深入分析包括以下細分市場：
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元件 |
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應用 |
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定制此报告抗輻射電子工業 - 區域概要
北美市場預測
在預測期內，北美抗輻射電子產品市佔率預計將超過 33%。市場成長是由日益增長的環境問題所推動的。例如，隨著該地區環境問題的日益嚴重，監測和降低各種應用中的輻射水平變得越來越重要。這可能會導致對抗輻射且能夠在如此惡劣的條件下有效運作的電子產品的需求增加。
歐洲市場預測
受該地區高級電子產品產量增加的推動，到 2037 年，歐洲抗輻射電子市場的份額預計將達到 25%。該地區的各種應用都在使用高級電子產品，這增加了對抗輻射電子產品的需求，特別是在電子產品暴露於輻射的嚴重情況下。
此外，總體而言，歐洲對高級電子產品不斷增長的需求預計將刺激抗輻射電子技術的進一步創新和金融投資，以滿足各種應用對可靠耐用電子系統不斷增長的需求，預計這也將有助於該地區的市場增長。就電力消耗而言，歐洲是繼亞洲和北美之後的世界第三大電力消耗國。據稱，2022 年歐洲人的用電量約為 3.3 太瓦時。
主導抗輻射電子領域的公司
- 瑞薩電子公司
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- 德州儀器
In the News
- 德州儀器針對抗輻射產品推出了新的設備篩選規範，稱為太空高級塑膠 (SHP)。這些產品提高了熱效率，並以更小的尺寸增加了頻寬。
- Infineon Technologies AG 推出業界首款高密度耐輻射 (RadTol) NOR 快閃記憶體產品，為 FPGA 設定、影像儲存、微控制器資料儲存和啟動程式碼儲存等任務提供優異的低引腳數單晶片解決方案。該設備的無偏輻射耐受力高達 125 krad (Si)，偏壓輻射耐受力高達 30 krad (Si)。
作者致谢: Abhishek Verma
- Report ID: 3314
- Published Date: Oct 09, 2024
- Report Format: PDF, PPT
