絕緣體上碳化矽薄膜市場展望：
SiC-on-Insulator 薄膜市場規模在 2025 年超過 6,146 萬美元，預計到 2035 年將超過 139.3 億美元，在預測期內（即 2026-2035 年）的複合年增長率將超過 72%。預計 2026 年 SiC-on-Insulator 薄膜的產業規模將達到 1.0129 億美元。
關鍵 絕緣體上碳化矽（SiCOI）薄膜 市場洞察摘要:
區域亮點：
- 受航空航太和汽車產業蓬勃發展的推動，北美在2026年至2035年期間佔據絕緣體上碳化矽薄膜市場的45.5%份額。
- 預計在2026年至2035年期間，亞太地區將在絕緣體上碳化矽薄膜市場中實現最快的成長，這主要得益於半導體和電信業的發展。
細分市場洞察：
- 預計到 2035 年，電力電子細分市場的份額將超過 31.4%，這得益於其高導熱性、高能源效率以及在再生能源系統中的應用。
- 2026 年至 2035 年，絕緣體上碳化矽薄膜市場中的 300 毫米（12 吋）碳化矽晶圓細分市場可望實現豐厚成長，這得益於半導體製造領域對經濟高效、高生產率晶圓的需求。
關鍵成長趨勢：
- SiCOI 半導體製造的創新
- 大量使用 SiC-on-Insulator 薄膜來增強 5G 和物聯網設備的連接性並促進資料交換
主要挑戰：
- 缺乏可靠資訊
- 生產成本高
- 關鍵人物: MTI Corporation, SICC Co., Ltd., Soitec, STMicroelectronics, Infineon Technologies Co., Ltd., and Wolfspeed, Inc.
全球 絕緣體上碳化矽（SiCOI）薄膜 市場 預測與區域展望:
市場規模及成長預測：
- 2025 年市場規模： 6,146 萬美元
- 2026 年市場規模： 1.0129 億美元
- 預計市場規模： 2035 年將達到 139.3 億美元
- 成長預測： 72% 複合年增長率 (2026-2035)
主要區域動態：
- 最大地區：北美（到 2035 年，份額將達到 45.5%）
- 成長最快的地區：亞太地區
- 主要國家：美國、中國、日本、韓國、德國
- 新興國家：中國、日本、韓國、台灣、新加坡
Last updated on : 26 August, 2025
絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜在節能設備、遊戲控制、量子光子學和光電子學領域有著廣泛的應用。未來幾年，隨著技術的不斷進步，SiCOI 絕緣體薄膜的應用範圍預計將進一步擴大。這些薄膜在光電裝置（包括光電晶體管）中發揮多種作用，例如鈍化塗層和層滲透/封裝。例如，預計全球光電晶體管市場在預測期內將實現顯著成長。考慮到這些統計數據，光電電晶體需求的成長將直接影響絕緣體上碳化矽薄膜的銷售量。
絕緣體上碳化矽 (SiC-on-Insulator) 薄膜能夠有效地整合光子積體電路，從而形成一個強大的平台，該平台能夠與互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 製程（一種用於製造積體電路的製造製程）有效相容。此外，絕緣體上碳化矽 (SiC-on-Insulator) 薄膜以其卓越的導熱性和在高電壓和高溫下工作的能力而聞名，這使其成為高性能產品（例如印刷電路板中使用的電力電子裝置）的理想組件。因此，CMOS 在印刷電路板生產中的日益普及，將在未來幾年對絕緣體上碳化矽 (SiC-on-Insulator) 薄膜的銷售產生積極影響。
絕緣體上碳化矽薄膜市場的成長動力與挑戰：
成長動力
- SiCOI 半導體製造的創新：包括晶圓鍵合和外延生長在內的製造技術的進步，顯著提升了 SiC-on-Insulator 薄膜的性能和可擴展性。透過晶圓鍵合技術，SiC 薄層可以整合到絕緣體中，從而減小所需材料的尺寸，從而節省成本。 SiC-on-Insulator 薄膜組合半導體還能提升電子設備的效能。
例如，2024年9月，Resonac Holdings Corporation與Soitec簽署策略合作協議，共同生產200毫米（8吋）碳化矽（SiC）鍵結基板，用於功率半導體的SiC外延片。 Resonac Holdings Corporation的高品質SiC單晶基板與Soitec的基板鍵合技術相結合，旨在提高8吋SiC晶圓的生產能力，並拓展SiC外延片產業的供應鏈。 - 大量使用絕緣體上碳化矽 (SiC-on-Insulator) 薄膜可增強 5G 和物聯網 (IoT) 設備的連接性並促進數據交換：未來幾年，絕緣體上碳化矽 (SiC-on-Insulator) 薄膜將在 5G 和物聯網 (IoT) 等無線通訊領域得到更廣泛的應用。 SiC-on-Insulator 薄膜的整合可提高 5G 技術的連接性並加快資料交換速度。物聯網設備相互連接，需要 SiC-on-Insulator 薄膜等可靠的技術來實現有效的通訊和資訊傳輸。因此，製造業對 5G 通訊技術和物聯網設備日益增長的需求預計將在可預見的未來提升絕緣體上碳化矽 (SiC-on-Insulator) 薄膜製造商的收入份額。
挑戰
- 缺乏可靠資訊： SiC-on-Insulator 薄膜是一項新興技術，許多研究人員仍在研究其潛在用途、重要性和限制。由於缺乏對 SiC-on-Insulator 薄膜的研究、認知和知識，終端用戶對其使用和發展趨勢感到擔憂。此外，可靠數據的缺乏也對 SiC-on-Insulator 薄膜結果的準確性提出了挑戰，使其真正的市場潛力難以理解。因此，資訊的缺乏會在一定程度上限制 SiC-on-Insulator 薄膜的應用。
- 生產成本高：絕緣體上碳化矽 (SiC) 薄膜製造技術的複雜性，給絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場參與者帶來了重大挑戰。絕緣體上碳化矽薄膜的製造和生產需要碳化矽等先進材料以及層切割和離子切割等技術，增加了整體生產成本。
絕緣體上碳化矽薄膜市場規模及預測：
| 報告屬性 | 詳細資訊 |
|---|---|
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基準年 |
2025 |
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預測期 |
2026-2035 |
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複合年增長率 |
72% |
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基準年市場規模（2025年） |
6146萬美元 |
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預測年度市場規模（2035 年） |
139.3億美元 |
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區域範圍 |
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絕緣體上碳化矽薄膜市場細分：
應用（電力電子、航空航太與國防、汽車、消費性電子、其他）
至2035年，電力電子領域預計將佔據絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場的超過31.4%。絕緣體上碳化矽薄膜因其高導熱性和寬頻隙特性，主要用於馬達驅動器、轉換器和逆變器等電力電子裝置。 3.2 eV的寬帶隙絕緣體上碳化矽薄膜有助於其在高溫和高功率水平下工作。與傳統裝置相比，絕緣體上碳化矽薄膜整合電力電子裝置顯著降低了開關損耗，這使其在管理多源能源的電力轉換器中至關重要。此外，在太陽能逆變器等再生能源技術中，絕緣體上碳化矽薄膜可以最大限度地提高能量提取率並降低損耗，從而提高整體系統性能。
晶圓尺寸（100 公釐（4 吋）晶圓、150 公釐（6 吋）晶圓、200 公釐（8 吋）晶圓、300 公釐（12 吋）晶圓）
到2035年，絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場中的 300 毫米（12 吋）SiC 晶圓細分市場有望實現豐厚成長。此類晶圓需求旺盛，原因在於其表面積更大、尺寸更大，從而提高了生產率。 300 毫米（12 吋）SiC 晶圓可用於生產電晶體和積體電路。此外，其更大的尺寸有助於提高成本效益，並可用於生產複雜的裝置設計結構。 NAND（非與閘）和 DRAM（動態隨機存取記憶體）快閃記憶體製造商是 300 毫米（12 吋）SiC 晶圓的主要用戶，因為這有助於他們最大限度地提高生產率。例如，2022 年 7 月，義法半導體 (STMicroelectronics) 和 GlobalFoundries Inc. 合作在法國克羅爾 (Crolles) 營運 300 毫米晶圓製造工廠。此次合作旨在每年生產 62 萬片 300 毫米晶圓，以滿足汽車、工業和通訊領域的大量需求。
我們對全球市場的深入分析包括以下幾個部分：
基材 |
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晶圓尺寸 |
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科技 |
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應用 |
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Vishnu Nair
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絕緣體上碳化矽薄膜市場區域分析：
北美市場預測
預計到2035年，北美絕緣體上碳化矽（SiCOI）薄膜市場的收入份額將超過45.5%。快速發展的航空航天和汽車行業正在迅速推動絕緣體上碳化矽薄膜的需求。主要市場參與者加大對研發活動的投入，以及政府鼓勵生產先進電力系統的支持性政策，將進一步促進整體市場的成長。
在美國，地方政府正在大力投資推動半導體和航空航天領域，預計這將對先進的絕緣體上碳化矽 (SiC-on-insulator) 薄膜的需求產生積極影響。這些 SiCOI 薄膜用於這些領域以提高最終產品的整體性能。例如，美國商務部透露，中央政府（拜登-哈里斯政府）投資約 16 億美元用於建立和促進半導體先進封裝的國內生產。此外，航空航太零件製造商正積極計劃透過高投資決策來擴大其製造設施。這些公司的此類措施將直接增加未來幾年對絕緣體上碳化矽 (SiC-on-insulator) 薄膜的需求。例如，通用電氣航空航太公司宣布計劃在 2024 年向其生產部門和供應鏈投資超過 6.5 億美元。
由於電信業的蓬勃發展，加拿大也為絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場的成長做出了積極貢獻。例如，加拿大電信協會透露，加拿大電信業在 2023 年投資了 114 億美元的資本支出，以增強該國的連結性。
亞太市場統計
預計亞太地區絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場將在預測期內快速擴張。半導體製造活動的不斷擴展、製造和晶圓技術的進步以及電信行業的快速發展，預計將為該地區的 SiCOI 薄膜生產商帶來豐厚的利潤。中國、印度、韓國和日本是亞太地區一些高成長市場。
中國是電子產品的主要消費國之一，晶片和半導體技術的快速發展促進了SiCOI薄膜的廣泛應用。為了提升半導體製造業，中國政府將在2014年至2030年期間投資超過1,500億美元。
印度發展最快的電子系統設計與製造以及電信業正在推動先進電力材料的應用，包括絕緣體上碳化矽薄膜。據印度品牌資產基金會稱，在促進電子元件和半導體製造的計劃下，政府已投資約10.6億美元。
絕緣體上碳化矽薄膜市場主要參與者：
- MTI公司
- 公司概況
- 商業策略
- 主要產品
- 財務表現
- 關鍵績效指標
- 風險分析
- 近期發展
- 區域影響力
- SWOT分析
- Resonac控股公司
- 上海國際金融有限公司
- Soitec
- 意法半導體
- Wolfspeed公司
- 環球晶圓
- 鴻瑞材料科技
- 精密微光學公司
- 廈門博威新材料有限公司
- 相干公司
- SK Siltron有限公司
- 天宇半導體技術有限公司
- 英飛凌科技有限公司
絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場的領導者專注於生產技術先進的解決方案。為了增強產品供應，他們也與其他廠商和研究機構合作。不斷增加的研發投入將在未來幾年擴大絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜的應用領域。此外，他們還採用區域擴張和併購等策略，以最大化利潤份額。
一些關鍵參與者包括：
最新動態
- 2024年9月，Coherent Corp.宣布推出其200毫米碳化矽外延晶圓。該公司專注於350微米和500微米厚度的基板和外延晶圓的穩健生產。
- 2024年8月，英飛凌科技有限公司宣佈在馬來西亞開設規模最大、最具競爭力的200毫米碳化矽 (SiC) 功率半導體晶圓廠之一。該工廠採用綠色電力，並採用永續的生產方式。
- Report ID: 6645
- Published Date: Aug 26, 2025
- Report Format: PDF, PPT
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