2025-2037 年全球市場規模、預測與趨勢亮點
絕緣體上碳化矽薄膜市場規模預計將從 2024 年的 4790 萬美元增至 2037 年的 1719.4 億美元，在 2025 年至 2037 年的預測期內複合年增長率約為 87.7%。評估價為 7731 萬美元。
絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜在節能設備、遊戲控制、量子光子學和光電子學方面有著廣泛的應用。未來幾年，技術的不斷進步預計將擴大SiCOI絕緣薄膜的應用。這些薄膜在光電裝置中發揮多種作用，包括光電晶體管，例如鈍化塗層和層的滲透/封裝。例如，到 2036 年，全球光電電晶體市場的複合年增長率預計將達到 20.1%。
絕緣體上碳化矽薄膜有效地整合了光子積體電路，從而形成了一個與互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 處理（一種用於製造積體電路的製造製程）有效相容的強大平台。此外，絕緣體上碳化矽薄膜以其卓越的導熱性以及在高電壓和高溫下運行的能力而聞名，這使其成為高性能產品（例如印刷電路板中使用的電力電子產品）的理想組件。因此，在印刷電路板生產中越來越多地使用 CMOS 必將對未來幾年絕緣體上碳化矽薄膜的銷售產生正面影響。
絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜產業：成長動力與挑戰
成長動力
- SiCOI 半導體製造領域的創新：晶圓鍵合和外延生長等製造技術的進步極大地有助於提高絕緣體上 SiC 薄膜的性能和可擴展性。透過晶圓鍵合技術，薄碳化矽層可整合到絕緣體中，從而減小所需材料的尺寸，從而節省成本。絕緣體上碳化矽薄膜組合半導體還可以增強電子裝置的性能。
例如，2024年9月，Resonac Holdings Corporation與Soitec簽署策略合作協議，共同生產200毫米（8吋）碳化矽（SiC）鍵結基板，用作功率半導體中的SiC外延片。 Resonac Holdings Corporation 的高品質 SiC 單晶基板採用 Soitec 的基板鍵合技術進行組合，以提高 8 吋 SiC 晶圓的生產率並擴大 SiC 外延晶圓產業的供應鏈。 - 大量使用絕緣體上碳化矽薄膜來增強 5G 和物聯網設備中的連接性並促進數據交換：未來幾年，絕緣體上碳化矽薄膜將在 5G 和物聯網 (IoT) 等無線通訊領域得到越來越多的無線應用。絕緣體上碳化矽薄膜的整合可改善 5G 技術中的連接性和快速資料交換。物聯網設備相互互連，需要可靠的技術（例如絕緣體上碳化矽薄膜）來實現有效的通訊和資訊傳輸。因此，在可預見的未來，製造業對 5G 通訊技術和物聯網設備的需求不斷增長，預計將提高絕緣體上碳化矽薄膜製造商的收入份額。
挑戰
- 缺乏可靠資訊：絕緣體上碳化矽薄膜是一項新興技術，許多研究人員仍在研究其潛在用途、重要性和限制。由於缺乏對絕緣體上碳化矽薄膜的研究、認知和了解，最終用戶對其使用和趨勢望而卻步。此外，可靠數據的缺乏對絕緣體上碳化矽薄膜的結果準確性提出了挑戰，使得人們很難了解其真正的市場潛力。因此，缺乏資訊可能會在一定程度上限制絕緣體上碳化矽薄膜的使用。
- 高生產成本：絕緣體上碳化矽薄膜製造技術的複雜性給絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場參與者帶來了重大挑戰。絕緣體上碳化矽薄膜的製作和製造需要碳化矽等先進材料以及層切割和離子切割等技術，這會增加整體生產成本。
絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場：主要見解
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基準年 |
2024年 |
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預測年份 |
2025-2037 |
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複合年增長率 |
87.7% |
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基準年市場規模（2024 年) |
4790萬美元 |
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預測年份市場規模（2037) |
1719.4億美元 |
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區域範圍 |
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絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜分割
應用程式（電力電子、航太與國防、汽車、消費性電子產品、其他）
到 2037 年，電力電子領域的絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場份額預計將超過 31.4%。具有 3.2 eV 寬帶隙的絕緣體上 SiC 薄膜有助於其在高溫和功率等級下運作。與傳統裝置相比，絕緣體上碳化矽薄膜整合電力電子裝置可顯著降低開關損耗，這對於管理多個來源的能量的電源轉換器至關重要。此外，在太陽能逆變器等再生能源技術中，絕緣體上碳化矽薄膜可最大限度地提高能量提取並降低損耗，從而提高整體系統性能。
晶圓尺寸（100 mm（4 吋）晶圓、150 mm（6 吋）晶圓、200 mm（8 吋）晶圓、300 mm（12 吋）晶圓）
絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場中的 300 毫米（12 英寸）碳化矽晶圓預計到 2037 年將增長 94.5% 左右。 300 毫米（12 吋）SiC 晶圓可用於電晶體和積體電路的生產。此外，其更大的尺寸有助於提高成本效益並有助於生產複雜的設備設計結構。 NAND（非 AND）和 DRAM（動態隨機存取記憶體）快閃記憶體製造商是 300 毫米（12 吋）SiC 晶圓的主要用戶，因為這有助於他們最大限度地提高生產力。例如，2022 年 7 月，義法半導體和 GlobalFoundries Inc. 合作在法國克羅爾營運一座 300 毫米晶圓製造工廠。此次合作的目標是每年生產 62 萬片 300 毫米晶圓，以滿足汽車、工業和通訊產業的高需求。
我們對全球市場的深入分析 包括以下細分市場：
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定制此报告絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜產業 - 區域範圍
北美市場預測
北美到 2037 年，預計絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場的收入份額將超過 45.5%。主要市場參與者對研發活動的投資不斷增加，以及鼓勵先進電力系統生產的政府支持政策進一步促進了整體市場的成長。
在美國，地方政府正在大力投資發展半導體和航空航天領域，預計這將對先進絕緣體上碳化矽薄膜的需求產生積極影響。這些 SiCOI 薄膜用於這些領域，以提高最終產品的整體性能。例如，美國商務部透露，中央政府（拜登-哈里斯政府）投資約16億美元，用於建立和促進半導體先進封裝的國內生產。此外，航空航太零件製造商正在積極規劃透過做出高投資決策來擴大其製造設施。這些公司的此類措施將直接增加未來幾年對絕緣體上碳化矽薄膜的需求。例如，GE Aerospace 宣布計劃在 2024 年對其生產部門和供應鏈投資超過 6.5 億美元。
加拿大也展示了由於電信領域活動的不斷擴大，對絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場成長做出的正面貢獻。例如，加拿大電信協會透露，加拿大電信業 2023 年將投資 114 億美元的資本支出，以增強該國的連接性。
亞太地區市場統計
預計亞太地區的絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場將在預測期內快速擴張。不斷擴大的半導體製造活動、製造和晶圓技術的進步以及快速發展的電信行業預計將為該地區的 SiCOI 薄膜生產商帶來利潤豐厚的機會。中國、印度、韓國和日本是亞太地區的一些高成長市場。
中國是電子產品的主要消費國之一，晶片和半導體技術的快速發展促進了 SiCOI 薄膜的廣泛採用。為了加強半導體製造業，中國政府將在 2014 年至 2030 年期間投資超過 1,500 億美元。
印度發展最快的電子系統設計和製造以及電信行業正在推動先進電力材料（包括絕緣體上碳化矽薄膜）的採用。據印度品牌股權基金會稱，在促進電子元件和半導體製造的計劃下，政府投資了約 10.6 億美元。
主導絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜領域的公司
- MTI 公司
- 公司概覽
- 商業策略
- 主要產品
- 財務表現
- 關鍵績效指標
- 風險分析
- 近期發展
- 區域業務
- SWOT 分析
- Resonac 控股公司
- 上海國際金屬股份有限公司
- Soitec
- 意法半導體
- Wolfspeed, Inc.
- GlobalWafers
- 鴻瑞材料技術
- Precision Micro-optics Inc.
- 廈門博威新材料有限公司
- 相干公司
- SK siltron 有限公司
- 天宇半導體科技有限公司
- 英飛凌科技有限公司
絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜市場的領先公司專注於生產技術先進的解決方案。為了增強產品供應，他們也與其他參與者和研究公司合作。研發活動不斷增加的投資將在未來幾年擴大絕緣體上碳化矽 (SiCOI) 薄膜的應用領域。除此之外，他們還採取區域擴張、併購等策略。進行收購以最大化利潤份額。
一些主要參與者包括：
In the News
- 2024 年 9 月，Coherent Corp. 宣布推出 200 毫米碳化矽外延晶圓。該公司專注於 350 微米和 500 微米厚度的基板和外延晶圓的穩健生產。
- 2024 年 8 月，英飛凌科技有限公司宣佈在馬來西亞開設最大、最具競爭力的 200 毫米碳化矽 (SiC) 功率半導體工廠之一。這家工廠使用綠色電力並採用永續製造實踐。
作者致谢: Rajrani Baghel
- Report ID: 6645
- Published Date: Mar 19, 2025
- Report Format: PDF, PPT
