Tamaño y pronóstico del mercado de memoria estática de acceso aleatorio (SRAM), por tipo (SRAM asíncrona y SRAM síncrona); tamaño de la memoria; uso final: tendencias de crecimiento, actores clave y análisis regional (2026-2035)

  • ID del Informe: 6912
  • Fecha de Publicación: Aug 25, 2025
  • Formato del Informe: PDF, PPT

Perspectivas del mercado de memoria estática de acceso aleatorio:

El mercado de memorias estáticas de acceso aleatorio (MEA) se valoró en USD 644,59 millones en 2025 y se prevé que supere los USD 1.030 millones para 2035, con una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) superior al 4,8 % durante el período de pronóstico, es decir, entre 2026 y 2035. En 2026, el tamaño de la industria de las MEA se estima en USD 672,44 millones.

Clave Memoria estática de acceso aleatorio Resumen de Perspectivas del Mercado:

  • Aspectos destacados regionales:

    • Asia Pacífico lidera el mercado de memorias estáticas de acceso aleatorio con una participación del 42,2 %, impulsada por la sólida fabricación de productos electrónicos, los avances tecnológicos y la creciente demanda en todos los sectores, lo que impulsará un crecimiento significativo para 2035.
  • Perspectivas del segmento:

    • Se proyecta que el segmento de SRAM síncrona alcanzará la mayor participación para 2035, gracias a su sincronización con los relojes del sistema para la transferencia de datos a alta velocidad.
    • Se proyecta que el segmento de electrónica de consumo alcance una participación de alrededor del 34,8 % para 2035, impulsado por la demanda de memoria más rápida, fiable y energéticamente eficiente en dispositivos electrónicos.
  • Tendencias clave de crecimiento:

    • Proliferación de la electrónica de consumo
    • Avances e innovaciones tecnológicas
  • Principales desafíos:

    • Alto costo de producción
    • Densidad de escalabilidad limitada
  • Actores clave: Micron Technology, Inc., GSI Technology Inc., Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI), Samsung Electronics Co., Ltd., ON Semiconductor, Hanwha Group.

Global Memoria estática de acceso aleatorio Mercado Pronóstico y perspectiva regional:

  • Tamaño del mercado y proyecciones de crecimiento:

    • Tamaño del mercado para 2025: USD 644,59 millones
    • Tamaño del mercado para 2026: USD 672,44 millones
    • Tamaño del mercado proyectado: USD 1.030 millones para 2035
    • Pronósticos de crecimiento: 4,8 % CAGR (2026-2035)
  • Dinámica regional clave:

    • Región más grande: Asia Pacífico (participación del 42,2 % en 2035)
    • Región de más rápido crecimiento: Asia Pacífico
    • Países dominantes: China, Estados Unidos, Japón, Corea del Sur, Alemania
    • Países emergentes: China, Japón, Corea del Sur, India, Singapur
  • Last updated on : 25 August, 2025

El mercado de SRAM está impulsado por la creciente demanda de soluciones de memoria de alta velocidad y bajo consumo en industrias como la electrónica de consumo, la automoción y las telecomunicaciones. Esta demanda se ve impulsada por la necesidad de un procesamiento de datos más rápido y un consumo energético eficiente en dispositivos como smartphones, dispositivos IoT y sistemas informáticos avanzados.

La SRAM reduce la latencia y acelera el acceso a los datos al eliminar la necesidad de largos ciclos de actualización. Estas características pueden ser especialmente importantes para componentes cruciales como las cachés de la unidad central de procesamiento (CPU) sensibles a la velocidad. En general, la SRAM es más capaz de aumentar la velocidad y el rendimiento del sistema informático, ya que permite a los procesadores recuperar información rápidamente. La SRAM puede utilizarse como convertidor digital-analógico de RAM en la tarjeta gráfica o de vídeo de un ordenador. También puede utilizarse como caché de búfer en una unidad de disco, en un periférico como una impresora o una pantalla de cristal líquido, o en un dispositivo de red como un router o un switch. La SRAM se utiliza comúnmente en la memoria caché de las computadoras, como la caché L2 o L3 de un procesador, así como en los registros de alta velocidad.

Static Random-Access Memory Market Size
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Impulsores del Crecimiento

  • Proliferación de la electrónica de consumo: Los dispositivos de consumo modernos, como smartphones, portátiles y tabletas, requieren memoria de alta velocidad para un procesamiento de datos rápido y una experiencia de usuario fluida. La memoria SRAM, conocida por su baja latencia y alta velocidad de funcionamiento, es ideal para aplicaciones como la memoria caché en procesadores y CPU. Los electrodomésticos inteligentes, los wearables y otros dispositivos compatibles con el IoT suelen utilizar SRAM por su fiabilidad y capacidad para gestionar ciclos de energía intermitentes. Dispositivos de consumo como wearables y teléfonos móviles utilizan con frecuencia chips SRAM. También pueden incluirse en equipos médicos, que pueden ir desde audífonos hasta redes de área corporal, que comprenden varios dispositivos integrados en el cuerpo. Todos estos dispositivos requieren un acceso rápido a los datos; por lo tanto, la SRAM es preferible a la DRAM o memoria flash no volátil.

    Además, la SRAM se utiliza ampliamente en consolas de videojuegos y dispositivos de RV/RA para un renderizado rápido y un rendimiento gráfico fluido. A medida que aumenta el consumo de juegos y contenido multimedia, también lo hace la demanda de SRAM en estas aplicaciones. Según la Administración de Comercio Internacional del Departamento de Comercio de EE. UU., el valor global de la industria de los videojuegos en 2023 fue de 184 000 millones de dólares, con más de 3200 millones de jugadores en todo el mundo.

  • Avances e innovaciones tecnológicas: El desarrollo de arquitecturas SRAM avanzadas, como la SRAM multipuerto, permite operaciones de lectura y escritura simultáneas, lo que mejora el rendimiento en aplicaciones de alta velocidad como procesadores y equipos de red. La SRAM basada en FinFET ofrece un menor consumo de energía y corrientes de fuga reducidas, lo que la hace ideal para la informática avanzada y los dispositivos móviles. Por ejemplo, la tecnología FinFET de 5 nm de TSMC integra SRAM para diseños de sistema en chip (SoC) de alto rendimiento. Utilizada en el chip A14 Bionic de Apple para iPhones y iPads, cuenta con cachés SRAM de alta velocidad. El A14 es el chip para smartphones más rápido de la historia, un 40 % más rápido que la versión anterior. El chip cuenta con 11 800 millones de transistores y fue fabricado por TSMC con tecnología de 5 nm. Este procedimiento de fabricación también se utiliza en el Apple M1.

    Innovaciones como el escalado de voltaje y las configuraciones de SRAM de bajo consumo responden a la demanda de dispositivos energéticamente eficientes, especialmente en el IoT y la electrónica portátil. Se están desarrollando soluciones SRAM con gestión adaptativa de la energía para optimizar el consumo energético.
  • Avances en redes y telecomunicaciones: El aumento de los requisitos de ancho de banda, como las redes 5G, requiere SRAM para el procesamiento de datos de alta velocidad en estaciones base, enrutadores y conmutadores. Los rápidos tiempos de acceso de SRAM la hacen ideal para permitir la comunicación en tiempo real en aplicaciones 5G. SRAM admite el procesamiento de datos en tiempo real en puertas de enlace de IoT, lo que garantiza una transferencia fluida de datos entre los dispositivos conectados.

    SRAM se utiliza en aceleradores de IA para aplicaciones de red, lo que garantiza un análisis rápido de datos y un enrutamiento inteligente. SRAM permite el procesamiento de alta velocidad para algoritmos de aprendizaje automático en la optimización de redes.

    Además, SRAM se utiliza ampliamente como memoria caché en centros de datos para mejorar el rendimiento del procesador y gestionar el alto tráfico de datos de forma eficiente. A medida que más empresas adoptan servicios en la nube, aumenta la demanda de SRAM para servidores que gestionan grandes cantidades de datos simultáneos.

Desafíos

  • Alto coste de producción: La SRAM requiere técnicas de fabricación complejas, especialmente cuando se integra en procesos de semiconductores avanzados como FinFET o apilamiento 3D. Esto encarece la SRAM en comparación con otros tipos de memoria, como la DRAM o la memoria Flash. El diseño y la fabricación de celdas SRAM de bajo consumo y alta densidad pueden resultar costosos, especialmente a medida que aumenta la demanda de nodos más pequeños.

  • Densidad de escalabilidad limitada: Las celdas SRAM son más grandes en comparación con otros tipos de memoria, lo que limita la cantidad de datos que se pueden almacenar en la misma área del chip. A medida que aumenta la demanda de mayores capacidades de memoria, la SRAM se vuelve menos escalable para aplicaciones de alta densidad. Si bien la SRAM es energéticamente eficiente durante su uso, aumentar la densidad para satisfacer la demanda de memoria puede incrementar el consumo de energía, especialmente en sistemas a gran escala.


Tamaño y pronóstico del mercado de memoria estática de acceso aleatorio:

Atributo del informe Detalles

Año base

2025

Período de pronóstico

2026-2035

Tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC)

4,8%

Tamaño del mercado del año base (2025)

USD 644,59 millones

Tamaño del mercado según el pronóstico anual (2035)

1.030 millones de dólares

Alcance regional

  • América del Norte (EE. UU. y Canadá)
  • Asia Pacífico (Japón, China, India, Indonesia, Corea del Sur, Malasia, Australia, resto de Asia Pacífico)
  • Europa (Reino Unido, Alemania, Francia, Italia, España, Rusia, Países Nórdicos, resto de Europa)
  • América Latina (México, Argentina, Brasil, resto de América Latina)
  • Oriente Medio y África (Israel, CCG, África del Norte, Sudáfrica, resto de Oriente Medio y África)

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Segmentación del mercado de memoria estática de acceso aleatorio:

Uso final (TI y telecomunicaciones, electrónica de consumo, automoción, aeroespacial y defensa, industria y salud)

Se proyecta que, según el uso final, el segmento de electrónica de consumo representará una cuota de mercado de memoria estática de acceso aleatorio de alrededor del 34,8 % para 2035. Este crecimiento del mercado se debe a la creciente demanda de memoria más rápida, fiable y energéticamente eficiente en diversos dispositivos. La SRAM se utiliza ampliamente como memoria caché en procesadores móviles, lo que permite una ejecución más rápida de aplicaciones y una multitarea fluida. Las cámaras avanzadas de los smartphones dependen de la SRAM para el procesamiento rápido de imágenes y el almacenamiento en búfer.

La SRAM se utiliza en las GPU para permitir la renderización en tiempo real de gráficos de alta resolución, esencial para consolas de videojuegos como PlayStation y Xbox. Por ejemplo, la Xbox Series X utiliza 16 GB de memoria GDDR6 para el almacenamiento principal, pero incorpora SRAM en su procesador AMD Zen 2 personalizado para el almacenamiento en caché y las operaciones de alta velocidad. La SRAM admite juegos 4K y funciones avanzadas como el trazado de rayos acelerado por hardware.

La electrónica de consumo impulsa la demanda de SRAM basada en FinFET para un mayor rendimiento y un menor consumo de energía. La escala global del sector de la electrónica de consumo contribuye significativamente al crecimiento de la SRAM como componente esencial.

Tipo (SRAM asíncrona y SRAM síncrona)

Se prevé que el segmento de SRAM síncrona del mercado de memoria estática de acceso aleatorio registre la mayor participación durante el período de pronóstico. La SRAM síncrona funciona en sincronización con el reloj del sistema, lo que permite una transferencia de datos más rápida y fiable en comparación con la SRAM asíncrona. Su alta velocidad la hace ideal para aplicaciones en redes, informática y telecomunicaciones. El crecimiento de las redes 5G requiere una memoria rápida y eficiente, y la SRAM síncrona es la opción preferida para estaciones base y otras infraestructuras de telecomunicaciones.

Además, su funcionamiento sincronizado con el reloj la hace adecuada para una amplia gama de aplicaciones en semiconductores. La SRAM síncrona se integra en plataformas de prueba para validar los diseños y el rendimiento de los semiconductores. Se utiliza en la creación de prototipos de semiconductores para evaluar operaciones de alta velocidad y la transferencia de datos sin errores. Las SRAM síncronas con ECC de Infineon son las únicas SRAM síncronas estándar de alta densidad y NoBL del mercado de memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) que incorporan detección y corrección de errores en chip. Las características principales incluyen una fiabilidad de <0,01 FIT/Mb, compatibilidad pin a pin, RTR de 250 MT/s, 1,05 W y memorias SRAM ECC de alta densidad.

La SRAM síncrona es esencial en los sistemas de procesamiento de datos en tiempo real de ADAS y vehículos autónomos. Las plataformas de infoentretenimiento automotriz dependen de la SRAM síncrona para el procesamiento de datos a alta velocidad. Además, los sistemas de automatización industrial y aeroespacial requieren SRAM síncrona para un rendimiento predecible y fiable en operaciones con tiempos de respuesta limitados. El robusto rendimiento de la SRAM síncrona en entornos extremos la hace adecuada para aplicaciones aeroespaciales y de defensa.

Nuestro análisis exhaustivo del mercado de memoria estática de acceso aleatorio incluye los siguientes segmentos:
Vishnu Nair
Vishnu Nair
Jefe de Desarrollo Comercial Global

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Análisis regional del mercado de memoria estática de acceso aleatorio:

Pronóstico del mercado de Asia Pacífico

Se prevé que el mercado de memoria estática de acceso aleatorio (RAM) en Asia Pacífico alcance una cuota de mercado superior al 42,2 % para 2035. Este crecimiento se sustenta en el sólido sector de fabricación de productos electrónicos de la región, los avances tecnológicos y la creciente demanda en diversas industrias. El despliegue de las redes 5G y la expansión de las aplicaciones del IoT en Asia Pacífico exigen un procesamiento de datos más rápido y un bajo consumo de energía, áreas en las que la SRAM destaca.

La industria automotriz en Asia Pacífico está integrando sistemas electrónicos y de infoentretenimiento avanzados, lo que requiere soluciones de memoria eficientes. Las capacidades de procesamiento de datos de alta velocidad de la SRAM son esenciales para los sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS) y las aplicaciones de redes en vehículos. Países como China, Japón y Corea del Sur están a la vanguardia gracias a sus sólidos sectores de fabricación de automóviles.

La rápida expansión de China en el sector de la electrónica de consumo, incluyendo teléfonos inteligentes, tabletas y electrodomésticos inteligentes, ha impulsado significativamente la demanda de SRAM. Estos dispositivos requieren soluciones de memoria eficientes para garantizar un rendimiento y una capacidad de respuesta óptimos. China alberga a diversos fabricantes y proveedores de memorias SRAM, lo que contribuye a la cadena de suministro global. El mercado de memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM) cuenta con la presencia de empresas nacionales e internacionales que operan en el país. Además, se espera que las continuas inversiones en tecnología e infraestructura, así como el crecimiento de la economía digital, fortalezcan aún más la posición de China en el mercado global de SRAM en los próximos años. El Consejo Empresarial China-Reino Unido afirma que China es el mercado de mayor expansión y más dinámico del mundo para las nuevas tecnologías digitales. Con más de 900 millones de usuarios de internet y una economía de consumo próspera, China está experimentando una rápida y generalizada adopción de tecnologías emergentes como el 5G, la IA sofisticada, el IoT y las tecnologías basadas en blockchain. Su economía digital contribuye con el 30% de su PIB. China representa casi la mitad de las transacciones globales de comercio electrónico, alberga nueve de los 23 unicornios FinTech privados y posee el 29% de las patentes de energías renovables del mundo. En 2019, las importaciones y exportaciones totales de productos de alta tecnología de China superaron los 1,5 billones de dólares, y la colaboración internacional se ha convertido en el aspecto más esencial de su desarrollo tecnológico. En 2020, los ingresos por productos de software, servicios de tecnología de la información, productos de seguridad de la información y software de sistemas integrados aumentaron un 12,5 %, un 18,4 %, un 12,4 % y un 7,8 %, respectivamente. En India, el mercado de memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM) experimentará un crecimiento sustancial, impulsado por la expansión de la industria de fabricación de productos electrónicos, la proliferación de centros de datos y el aumento de aplicaciones en los sectores de la informática, el Internet de las Cosas (IoT) y la inteligencia artificial (IA). Las inversiones continuas y los avances tecnológicos también impulsan el mercado de las memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM). Según un informe sobre Economía Digital publicado en 2024 por la Administración de Comercio Internacional, el ecosistema digital de India está creciendo gracias a su población joven y con amplios conocimientos tecnológicos. A mediados de 2024, había más de 650 millones de usuarios de teléfonos inteligentes y los clientes de internet superaban los 950 millones. Esta amplia aceptación está impulsando la expansión del comercio electrónico, los pagos digitales y las finanzas, así como importantes inversiones en IA y tecnología blockchain.

Análisis del Mercado Europeo

Europa experimentará un enorme crecimiento en el mercado de memorias estáticas de acceso aleatorio durante el período de pronóstico. El sólido sector automotriz europeo, especialmente en países como Alemania, está incorporando cada vez más soluciones avanzadas de electrónica y memoria, incluyendo SRAM, para respaldar las funcionalidades de los vehículos modernos.

El reconocido sector automotriz alemán incorpora cada vez más electrónica avanzada, lo que requiere soluciones de memoria de alta velocidad como SRAM para aplicaciones en conducción autónoma, sistemas de infoentretenimiento y ADAS. Además, el auge de la Industria 4.0 y la automatización de los procesos de fabricación en Francia requieren soluciones de memoria fiables y rápidas, lo que impulsa aún más el mercado de SRAM.

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Principales actores del mercado de memoria estática de acceso aleatorio:

    Los actores clave se están centrando en el desarrollo de SRAM con velocidades más rápidas, menor consumo de energía y confiabilidad mejorada para satisfacer las necesidades de aplicaciones como IA, 5G y vehículos autónomos. Las empresas están innovando en la reducción del tamaño de los chips SRAM y, al mismo tiempo, aumentando la capacidad de almacenamiento, en línea con las tendencias en electrónica de consumo y dispositivos IoT.

    Aquí se presentan algunos de los actores clave:

    • Cypress Semiconductor Corporation
      • Descripción general de la empresa
      • Estrategia empresarial
      • Ofertas clave de productos
      • Rendimiento financiero
      • Indicadores clave de rendimiento
      • Análisis de riesgos
      • Desarrollo reciente
      • Presencia regional
      • Análisis FODA
    • Micron Technology, Inc.
    • GSI Technology Inc.
    • Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI)
    • Samsung Electronics Co., Ltd.
    • ON Semiconductor
    • Grupo Hanwha
    • Sistema GCL

Desarrollos Recientes

  • En septiembre de 2024, Micron Technology, Inc. anunció la unidad de estado sólido (SSD) Crucial P310 2280 Gen4 NVMe, que ofrece el doble de rendimiento que las SSD Gen3 y es un 40 % más rápida que la Crucial P3 Plus. Esto proporciona un aumento significativo de velocidad para jugadores, estudiantes y creativos al utilizar aplicaciones con uso intensivo de datos.
  • En abril de 2024, GSI Technology, Inc. anunció la disponibilidad de dos productos de servidor de alta capacidad y bajo consumo. La APU Gemini-I alimenta las placas Leda-E y Leda-S, que pueden ofrecer 1,2 POP a 80 W y 800 TOP a 40 W, respectivamente. Las nuevas opciones de servidor incluyen un único servidor 2U con ocho placas Leda-E y 10 POP, y un servidor 1U con dieciséis placas Leda-S y 13 POP.
  • Report ID: 6912
  • Published Date: Aug 25, 2025
  • Report Format: PDF, PPT
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Preguntas frecuentes (FAQ)

En el año 2026, el tamaño de la industria de la memoria estática de acceso aleatorio se estima en 672,44 millones de dólares.

El tamaño del mercado de memoria estática de acceso aleatorio se valoró en USD 644,59 millones en 2025 y es probable que supere los USD 1.030 millones para 2035, expandiéndose a una CAGR de más del 4,8 % durante el período de pronóstico, es decir, entre 2026 y 2035.

Asia Pacífico lidera el mercado de memoria estática de acceso aleatorio con una participación del 42,2%, impulsado por una sólida fabricación de productos electrónicos, avances tecnológicos y una creciente demanda en todas las industrias, lo que fomenta un crecimiento significativo para 2035.

Los actores clave en el mercado incluyen Micron Technology, Inc., GSI Technology Inc., Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI), Samsung Electronics Co., Ltd., ON Semiconductor y Hanwha Group.
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Preeti Wani
Preeti Wani
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Tipo

  • SRAM asíncrona
  • SRAM síncrona
  • Otros

Tamaño de la memoria

  • Hasta 1 MB
  • De 1 MB a 4 MB
  • De 4 MB a 16 MB
  • Más de 16 MB

Uso final

  • TI y Telecomunicaciones
  • Electrónica de consumo
  • Automoción
  • Aeroespacial y Defensa
  • Industrial
  • Cuidado de la salud
  • Otros