绝缘体上碳化硅薄膜市场展望：
2025年，绝缘体上碳化硅薄膜市场规模超过6146万美元，预计到2035年将超过139.3亿美元，在预测期内（即2026年至2035年）的复合年增长率将超过72%。预计到2026年，绝缘体上碳化硅薄膜的产业规模将达到1.0129亿美元。
关键 绝缘体上碳化硅（SiCOI）薄膜 市场洞察摘要:
区域亮点：
- 受航空航天和汽车行业蓬勃发展的推动，北美在2026年至2035年期间占据绝缘体上碳化硅薄膜市场的45.5%份额。
- 预计在2026年至2035年期间，亚太地区将在绝缘体上碳化硅薄膜市场中实现最快的增长，这主要得益于半导体和电信行业的发展。
细分市场洞察：
- 预计到 2035 年，电力电子细分市场的份额将超过 31.4%，这得益于其高导热性、高能效以及在可再生能源系统中的应用。
- 2026 年至 2035 年，绝缘体上碳化硅薄膜市场中的 300 毫米（12 英寸）碳化硅晶圆细分市场有望实现丰厚增长，这得益于半导体制造领域对经济高效、高生产率晶圆的需求。
关键增长趋势：
- SiCOI 半导体制造的创新
- 大量使用 SiC-on-Insulator 薄膜来增强 5G 和物联网设备的连接性并促进数据交换
主要挑战：
- 缺乏可靠信息
- 生产成本高
- 主要参与者：MTI Corporation、SICC Co., Ltd.、Soitec、STMicroelectronics、英飞凌科技有限公司和 Wolfspeed, Inc.
全球 绝缘体上碳化硅（SiCOI）薄膜 市场 预测与区域展望:
市场规模及增长预测：
- 2025 年市场规模： 6146 万美元
- 2026 年市场规模： 1.0129 亿美元
- 预计市场规模： 2035 年将达到 139.3 亿美元
- 增长预测： 72% 复合年增长率 (2026-2035)
主要区域动态：
- 最大区域：北美（到 2035 年，份额将达到 45.5%）
- 增长最快的地区：亚太地区
- 主要国家/地区：美国、中国、日本、韩国、德国
- 新兴国家：中国、日本、韩国、台湾、新加坡
Last updated on : 28 August, 2025
绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜在节能设备、游戏控制、量子光子学和光电子学领域有着广泛的应用。未来几年，随着技术的不断进步，SiCOI 绝缘体薄膜的应用范围预计将进一步扩大。这些薄膜在光电器件（包括光电晶体管）中发挥着多种作用，例如钝化涂层和层渗透/封装。例如，预计全球光电晶体管市场在预测期内将实现显著增长。考虑到这些统计数据，光电晶体管需求的增长将直接影响绝缘体上碳化硅薄膜的销量。
绝缘体上碳化硅 (SiC-on-Insulator) 薄膜能够有效地整合光子集成电路，从而形成一个强大的平台，该平台能够与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 工艺（一种用于制造集成电路的制造工艺）有效兼容。此外，绝缘体上碳化硅 (SiC-on-Insulator) 薄膜以其卓越的导热性和在高电压和高温下工作的能力而闻名，这使其成为高性能产品（例如印刷电路板中使用的电力电子器件）的理想组件。因此，CMOS 在印刷电路板生产中的日益普及，将在未来几年对绝缘体上碳化硅 (SiC-on-Insulator) 薄膜的销售产生积极影响。
绝缘体上碳化硅薄膜市场的增长动力和挑战：
增长动力
- SiCOI 半导体制造的创新：包括晶圆键合和外延生长在内的制造技术的进步，显著提升了 SiC-on-Insulator 薄膜的性能和可扩展性。通过晶圆键合技术，SiC 薄层可以集成到绝缘体中，从而减小所需材料的尺寸，从而节省成本。SiC-on-Insulator 薄膜组合半导体还能提升电子设备的性能。
例如，2024年9月，Resonac Holdings Corporation与Soitec签署战略合作协议，共同生产200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）键合衬底，用于功率半导体的SiC外延片。Resonac Holdings Corporation的高质量SiC单晶衬底与Soitec的衬底键合技术相结合，旨在提高8英寸SiC晶圆的生产能力，并拓展SiC外延片行业的供应链。 - 大量使用绝缘体上碳化硅 (SiC-on-Insulator) 薄膜可增强 5G 和物联网 (IoT) 设备的连接性并促进数据交换：未来几年，绝缘体上碳化硅 (SiC-on-Insulator) 薄膜将在 5G 和物联网 (IoT) 等无线通信领域得到更广泛的应用。SiC-on-Insulator 薄膜的集成可提高 5G 技术的连接性并加快数据交换速度。物联网设备相互连接，需要 SiC-on-Insulator 薄膜等可靠的技术来实现有效的通信和信息传输。因此，制造业对 5G 通信技术和物联网设备日益增长的需求预计将在可预见的未来提升绝缘体上碳化硅 (SiC-on-Insulator) 薄膜制造商的收入份额。
挑战
- 缺乏可靠信息： SiC-on-Insulator 薄膜是一项新兴技术，许多研究人员仍在研究其潜在用途、重要性和局限性。由于缺乏对 SiC-on-Insulator 薄膜的研究、认知和知识，终端用户对其使用和发展趋势感到担忧。此外，可靠数据的缺乏也对 SiC-on-Insulator 薄膜结果的准确性提出了挑战，使其真正的市场潜力难以理解。因此，信息的缺乏会在一定程度上限制 SiC-on-Insulator 薄膜的应用。
- 生产成本高昂：绝缘体上碳化硅 (SiC) 薄膜制造技术的复杂性，给绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场参与者带来了重大挑战。绝缘体上碳化硅薄膜的制造和生产需要碳化硅等先进材料以及层切割和离子切割等技术，这增加了整体生产成本。
绝缘体上碳化硅薄膜市场规模及预测：
| 报告属性 | 详细信息 |
|---|---|
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基准年 |
2025 |
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预测期 |
2026-2035 |
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复合年增长率 |
72% |
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基准年市场规模（2025年） |
6146万美元 |
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预测年度市场规模（2035 年） |
139.3亿美元 |
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区域范围 |
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绝缘体上碳化硅薄膜市场细分：
应用（电力电子、航空航天和国防、汽车、消费电子、其他）
到2035年，电力电子领域预计将占据绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场的31.4%以上份额。绝缘体上碳化硅薄膜因其高导热性和宽带隙特性，主要用于电机驱动器、转换器和逆变器等电力电子器件。3.2 eV的宽带隙绝缘体上碳化硅薄膜有助于其在高温和高功率水平下工作。与传统器件相比，绝缘体上碳化硅薄膜集成电力电子器件显著降低了开关损耗，这使其在管理多源能源的电力转换器中至关重要。此外，在太阳能逆变器等可再生能源技术中，绝缘体上碳化硅薄膜可以最大限度地提高能量提取率并降低损耗，从而提高整体系统性能。
晶圆尺寸（100 毫米（4 英寸）晶圆、150 毫米（6 英寸）晶圆、200 毫米（8 英寸）晶圆、300 毫米（12 英寸）晶圆）
到2035年，绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场中的 300 毫米（12 英寸）SiC 晶圆细分市场有望实现丰厚增长。此类晶圆需求旺盛，原因在于其表面积更大、尺寸更大，从而提高了生产率。300 毫米（12 英寸）SiC 晶圆可用于生产晶体管和集成电路。此外，其更大的尺寸有助于提高成本效益，并可用于生产复杂的器件设计结构。NAND（非与门）和 DRAM（动态随机存取存储器）闪存制造商是 300 毫米（12 英寸）SiC 晶圆的主要用户，因为这有助于他们最大限度地提高生产率。例如，2022 年 7 月，意法半导体 (STMicroelectronics) 和 GlobalFoundries Inc. 合作在法国克罗尔 (Crolles) 运营一家 300 毫米晶圆制造工厂。此次合作旨在每年生产 620,000 片 300 毫米晶圆，以满足汽车、工业和通信领域的大量需求。
我们对全球市场的深入分析包括以下几个部分：
基材 |
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晶圆尺寸 |
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技术 |
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应用 |
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Vishnu Nair
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绝缘体上碳化硅薄膜市场区域分析：
北美市场预测
预计到2035年，北美绝缘体上碳化硅（SiCOI）薄膜市场的收入份额将超过45.5%。快速发展的航空航天和汽车行业正在迅速推动绝缘体上碳化硅薄膜的需求。主要市场参与者加大对研发活动的投入，以及政府鼓励生产先进电力系统的支持性政策，将进一步促进整体市场的增长。
在美国，地方政府正在大力投资推动半导体和航空航天领域，预计这将对先进的绝缘体上碳化硅 (SiC-on-insulator) 薄膜的需求产生积极影响。这些 SiCOI 薄膜用于这些领域以提高最终产品的整体性能。例如，美国商务部透露，中央政府（拜登-哈里斯政府）投资约 16 亿美元用于建立和促进半导体先进封装的国内生产。此外，航空航天零部件制造商正积极计划通过高投资决策来扩大其制造设施。这些公司的此类举措将直接增加未来几年对绝缘体上碳化硅 (SiC-on-insulator) 薄膜的需求。例如，通用电气航空航天公司宣布计划在 2024 年向其生产部门和供应链投资超过 6.5 亿美元。
由于电信行业的蓬勃发展，加拿大也为绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场的增长做出了积极贡献。例如，加拿大电信协会透露，加拿大电信行业在 2023 年投资了 114 亿美元的资本支出，以增强该国的连通性。
亚太市场统计
预计亚太地区绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场将在预测期内快速扩张。半导体制造活动的不断扩展、制造和晶圆技术的进步以及电信行业的快速发展，预计将为该地区的 SiCOI 薄膜生产商带来丰厚的利润。中国、印度、韩国和日本是亚太地区一些高增长市场。
中国是电子产品的主要消费国之一，芯片和半导体技术的快速发展促进了SiCOI薄膜的广泛应用。为了提升半导体制造业，中国政府将在2014年至2030年期间投资超过1500亿美元。
印度发展最快的电子系统设计与制造以及电信行业正在推动先进电力材料的应用，包括绝缘体上碳化硅薄膜。据印度品牌资产基金会称，在促进电子元件和半导体制造的计划下，政府已投资约10.6亿美元。
绝缘体上碳化硅薄膜市场主要参与者：
- MTI公司
- 公司概况
- 商业策略
- 主要产品
- 财务表现
- 关键绩效指标
- 风险分析
- 近期发展
- 区域影响力
- SWOT分析
- Resonac控股公司
- 上海国际金融有限公司
- Soitec
- 意法半导体
- Wolfspeed公司
- 环球晶圆
- 鸿瑞材料科技
- 精密微光学公司
- 厦门博威新材料有限公司
- 相干公司
- SK Siltron有限公司
- 天宇半导体技术有限公司
- 英飞凌科技有限公司
绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场的领先企业专注于生产技术先进的解决方案。为了增强产品供应，他们还与其他厂商和研究机构合作。不断增加的研发投入将在未来几年扩大绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜的应用领域。此外，他们还采用区域扩张和并购等策略，以最大化利润份额。
一些关键参与者包括：
最新发展
- 2024年9月， Coherent Corp.宣布推出其200毫米碳化硅外延晶圆。该公司专注于350微米和500微米厚度的衬底和外延晶圆的稳健生产。
- 2024年8月，英飞凌科技有限公司宣布将在马来西亚开设规模最大、最具竞争力的200毫米碳化硅（SiC）功率半导体工厂之一。该工厂采用绿色电力，并采用可持续的生产方式。
- Report ID: 6645
- Published Date: Aug 28, 2025
- Report Format: PDF, PPT
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