2025-2037 年全球市场规模、预测和趋势亮点
绝缘体上碳化硅薄膜市场规模预计将从 2024 年的 4790 万美元增至 2037 年的 1719.4 亿美元，在 2025 年至 2037 年的预测期内复合年增长率约为 87.7%。目前，到 2025 年，绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜的行业收入为评估价为 7731 万美元。
绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜在节能设备、游戏控制、量子光子学和光电子学方面有着广泛的应用。未来几年，技术的不断进步预计将扩大SiCOI绝缘薄膜的应用。这些薄膜在光电器件中发挥多种作用，包括光电晶体管，例如钝化涂层和层的渗透/封装。例如，到 2036 年，全球光电晶体管市场的复合年增长率预计将达到 20.1%。考虑到这些统计数据，光电晶体管需求的增长将对绝缘体上碳化硅薄膜的销售产生直接影响。
绝缘体上碳化硅薄膜有效地整合了光子集成电路，从而形成了一个与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 处理（一种用于制造集成电路的制造工艺）有效兼容的强大平台。此外，绝缘体上碳化硅薄膜以其卓越的导热性以及在高电压和高温下运行的能力而闻名，这使其成为高性能产品（例如印刷电路板中使用的电力电子产品）的理想组件。因此，在印刷电路板生产中越来越多地使用 CMOS 必将对未来几年绝缘体上碳化硅薄膜的销售产生积极影响。
绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜行业：增长动力和挑战
增长动力
- SiCOI 半导体制造领域的创新：晶圆键合和外延生长等制造技术的进步极大地有助于提高绝缘体上 SiC 薄膜的性能和可扩展性。通过晶圆键合技术，薄碳化硅层可以集成到绝缘体中，从而减小所需材料的尺寸，从而节省成本。绝缘体上碳化硅薄膜组合半导体还可以增强电子器件的性能。
例如，2024年9月，Resonac Holdings Corporation与Soitec签署战略合作协议，共同生产200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）键合衬底，用作功率半导体中的SiC外延片。 Resonac Holdings Corporation 的高品质 SiC 单晶衬底采用 Soitec 的衬底键合技术进行组合，以提高 8 英寸 SiC 晶圆的生产率并扩大 SiC 外延晶圆行业的供应链。 - 大量使用绝缘体上碳化硅薄膜来增强 5G 和物联网设备中的连接性并促进数据交换：未来几年，绝缘体上碳化硅薄膜将在 5G 和物联网 (IoT) 等无线通信领域得到越来越多的应用。绝缘体上碳化硅薄膜的集成可改善 5G 技术中的连接性和快速数据交换。物联网设备相互互连，需要可靠的技术（例如绝缘体上碳化硅薄膜）来实现有效的通信和信息传输。因此，在可预见的未来，制造业对 5G 通信技术和物联网设备的需求不断增长，预计将提高绝缘体上碳化硅薄膜制造商的收入份额。
挑战
- 缺乏可靠信息：绝缘体上碳化硅薄膜是一项新兴技术，许多研究人员仍在研究其潜在用途、重要性和局限性。由于缺乏对绝缘体上碳化硅薄膜的研究、认识和了解，最终用户对其使用和趋势望而却步。此外，可靠数据的缺乏对绝缘体上碳化硅薄膜的结果准确性提出了挑战，使得人们很难了解其真正的市场潜力。因此，缺乏信息可能会在一定程度上限制绝缘体上碳化硅薄膜的使用。
- 高生产成本：绝缘体上碳化硅薄膜制造技术的复杂性给绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场参与者带来了重大挑战。绝缘体上碳化硅薄膜的制作和制造需要碳化硅等先进材料以及层切割和离子切割等技术，这会增加总体生产成本。
绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场：关键见解
|
基准年 |
2024 |
|
预测年份 |
2025-2037 |
|
复合年增长率 |
87.7% |
|
基准年市场规模（2024 年） |
4790万美元 |
|
预测年份市场规模（2037) |
1719.4亿美元 |
|
区域范围 |
|
绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜分割
应用（电力电子、航空航天与国防、汽车、消费电子产品、其他）
到 2037 年，电力电子领域的绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场份额预计将超过 31.4%。绝缘体上碳化硅薄膜由于具有高导热性和宽带隙，主要用于电机驱动器、转换器和逆变器等电力电子领域。具有 3.2 eV 宽带隙的绝缘体上 SiC 薄膜有助于其在高温和功率水平下运行。与传统器件相比，绝缘体上碳化硅薄膜集成电力电子器件可显着降低开关损耗，这对于管理多个来源的能量的电源转换器至关重要。此外，在太阳能逆变器等可再生能源技术中，绝缘体上碳化硅薄膜可最大限度地提高能量提取并降低损耗，从而提高整体系统性能。
晶圆尺寸（100 毫米（4 英寸）晶圆、150 毫米（6 英寸）晶圆、200 毫米（8 英寸）晶圆、300 毫米（12 英寸）晶圆）
绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场中的 300 毫米（12 英寸）碳化硅晶圆预计到 2037 年将增长 94.5% 左右。对此类晶圆的高需求是因为它们具有更大的表面积和更大的尺寸，从而提高了生产率水平。 300 毫米（12 英寸）SiC 晶圆可用于晶体管和集成电路的生产。此外，其更大的尺寸有助于提高成本效益并有助于生产复杂的设备设计结构。 NAND（非 AND）和 DRAM（动态随机存取存储器）闪存制造商是 300 毫米（12 英寸）SiC 晶圆的主要用户，因为这有助于他们最大限度地提高生产力。例如，2022 年 7 月，意法半导体和 GlobalFoundries Inc. 合作在法国克罗尔运营一座 300 毫米晶圆制造工厂。此次合作的目标是每年生产 620,000 片 300 毫米晶圆，以满足汽车、工业和通信行业的高需求。
我们对全球市场的深入分析 包括以下细分市场：
|
基材 |
|
|
晶圆尺寸 |
|
|
技术 |
|
|
应用 |
|
想根据您的需求定制此研究报告吗？我们的研究团队将涵盖您需要的信息，帮助您做出有效的商业决策。
定制此报告绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜行业 - 区域范围
北美市场预测
北美到 2037 年，预计绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场的收入份额将超过 45.5%。快速发展的航空航天和汽车行业正在迅速推动对绝缘体上碳化硅薄膜的需求。主要市场参与者对研发活动的投资不断增加，以及鼓励先进电力系统生产的政府支持政策进一步促进了整体市场的增长。
在美国，当地政府正在大力投资发展半导体和航空航天领域，预计这将对先进绝缘体上碳化硅薄膜的需求产生积极影响。这些 SiCOI 薄膜用于这些领域，以提高最终产品的整体性能。例如，美国商务部透露，中央政府（拜登-哈里斯政府）投资约16亿美元，用于建立和促进半导体先进封装的国内生产。此外，航空航天零部件制造商正在积极计划通过做出高投资决策来扩大其制造设施。这些公司的此类举措将直接增加未来几年对绝缘体上碳化硅薄膜的需求。例如，GE Aerospace 宣布计划在 2024 年对其生产部门和供应链投资超过 6.5 亿美元。
加拿大还展示了由于电信领域活动的不断扩大，对绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场增长做出的积极贡献。例如，加拿大电信协会透露，加拿大电信行业 2023 年将投资 114 亿美元的资本支出，以增强该国的连接性。
亚太地区市场统计数据
预计亚太地区的绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场将在预测期内快速扩张。不断扩大的半导体制造活动、制造和晶圆技术的进步以及快速发展的电信行业预计将为该地区的 SiCOI 薄膜生产商带来利润丰厚的机会。中国、印度、韩国和日本是亚太地区的一些高增长市场。
中国是电子产品的主要消费国之一，芯片和半导体技术的快速发展促进了 SiCOI 薄膜的广泛采用。为了加强半导体制造业，中国政府将在 2014 年至 2030 年期间投资超过 1500 亿美元。
印度发展最快的电子系统设计和制造以及电信行业正在推动先进电力材料（包括绝缘体上碳化硅薄膜）的采用。据印度品牌股权基金会称，在促进电子元件和半导体制造的计划下，政府投资了约 10.6 亿美元。
主导绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜领域的公司
- MTI 公司
- 公司概览
- 业务战略
- 主要产品
- 财务业绩
- 关键绩效指标
- 风险分析
- 近期发展
- 区域业务
- SWOT 分析
- Resonac 控股公司
- 上海国际金属有限公司
- Soitec
- 意法半导体
- Wolfspeed, Inc.
- GlobalWafers
- 鸿瑞材料技术
- Precision Micro-optics Inc.
- 厦门博威新材料有限公司
- 相干公司
- SK siltron 有限公司
- 天宇半导体科技有限公司
- 英飞凌科技有限公司
绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜市场的领先公司专注于生产技术先进的解决方案。为了增强产品供应，他们还与其他参与者和研究公司合作。研发活动不断增加的投资将在未来几年扩大绝缘体上碳化硅 (SiCOI) 薄膜的应用领域。除此之外，他们还采取区域扩张、并购等策略。进行收购以最大化利润份额。
一些主要参与者包括：
In the News
- 2024 年 9 月，Coherent Corp. 宣布推出 200 毫米碳化硅外延晶圆。该公司专注于 350 微米和 500 微米厚度的基板和外延晶圆的稳健生产。
- 2024 年 8 月，英飞凌科技有限公司宣布在马来西亚开设最大、最具竞争力的 200 毫米碳化硅 (SiC) 功率半导体工厂之一。这家工厂使用绿色电力并采用可持续制造实践。
作者致谢: Rajrani Baghel
- Report ID: 6645
- Published Date: Nov 05, 2024
- Report Format: PDF, PPT
