Perspectivas del mercado de memoria de próxima generación:
El tamaño del mercado de memoria de próxima generación superó los 9.820 millones de dólares en 2025 y se prevé que supere los 57.830 millones de dólares para 2035, con una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) superior al 19,4 % durante el período de pronóstico, es decir, entre 2026 y 2035. Para 2026, se estima que el tamaño de la industria de la memoria de próxima generación alcanzará los 11.530 millones de dólares.
La creciente demanda de dispositivos de memoria universal, respaldada por las numerosas ventajas asociadas a este tipo de memoria, se puede atribuir al crecimiento del mercado. Entre 2023 y 2028, se prevé que el volumen global de unidades de almacenamiento de electrónica de consumo crezca en una cifra total de 6,9 millones de unidades. Se proyecta que en 2028 el volumen alcance los 2600 millones de unidades.
Además, el aumento de la demanda de dispositivos de alta tecnología es el principal factor que impulsa el crecimiento del mercado de memoria de próxima generación en esta región. Se ha observado un aumento en el uso de internet en varios países de la región. En consecuencia, existe una creciente demanda de productos informáticos avanzados por parte de los usuarios de internet, lo que a su vez impulsará la producción de dispositivos de memoria de próxima generación. El número de personas que utilizan internet en Asia y el Pacífico aumentó de 355 millones a 1901 millones entre 2005 y 2019, según estadísticas de la Unión Internacional de Telecomunicaciones (UIT).
Clave Memoria de próxima generación Resumen de Perspectivas del Mercado:
Aspectos destacados regionales:
- El mercado de memoria de próxima generación de Norteamérica alcanzará una participación de alrededor del 35 % para 2035, impulsado por la adopción temprana de tecnologías de última generación y una sólida infraestructura de TI.
- El mercado de Asia Pacífico alcanzará una participación del 28 % para 2035, impulsado por el creciente uso de productos electrónicos de consumo, como teléfonos inteligentes y tabletas.
Perspectivas del segmento:
- Se prevé que el segmento de memoria no volátil en el mercado de memoria de próxima generación alcance una participación del 68 % para 2035, debido a la creciente demanda de soluciones de memoria mejores, más efectivas y menos costosas.
- Se espera que el segmento masivo en el mercado de memoria de próxima generación alcance una participación del 52 % para 2035, impulsado por la demanda de almacenamiento de alta capacidad con velocidades de acceso rápidas y confiabilidad.
Tendencias Clave de Crecimiento:
- Uso creciente de tecnologías de memoria de última generación en sistemas integrados y dispositivos IoT
- Adopción creciente de inteligencia artificial, big data, aprendizaje automático y computación en la nube
Principales desafíos:
- Aumento del uso de tecnologías de memoria de última generación en sistemas integrados y dispositivos IoT
- Creciente adopción de inteligencia artificial, big data, aprendizaje automático y computación en la nube
Actores clave:Honeywell International Inc., Micron Technology, Inc., Samsung Electronics Co., Ltd, SK Hynix, Inc., Everspin Technologies, Inc., Nanya Technology Corporation, Kingston Technology Corporation.
Global Memoria de próxima generación Mercado Pronóstico y perspectiva regional:
Proyecciones de tamaño y crecimiento del mercado:
- Tamaño del mercado en 2025: USD 9.820 millones
- Tamaño del mercado en 2026: USD 11.530 millones
- Tamaño proyectado del mercado: USD 57.83 mil millones para 2035
- Previsiones de crecimiento: 19,4 % CAGR (2026-2035)
Dinámicas regionales clave:
- Región más grande: América del Norte (participación del 35 % para 2035)
- Región de más rápido crecimiento: Asia Pacífico
- Países dominantes: Estados Unidos, Corea del Sur, China, Japón, Alemania
- Países emergentes: China, India, Brasil, México, Corea del Sur
Last updated on : 9 September, 2025
Impulsores y desafíos del crecimiento del mercado de memoria de próxima generación:
Factores impulsores del crecimiento
- Uso creciente de tecnologías de memoria de última generación en sistemas integrados y dispositivos IoT: Las memorias de última generación, como MRAM y ReRAM, ofrecen alta velocidad de lectura y escritura con bajo consumo energético y sin volatilidad, lo que las hace ideales para sistemas integrados y dispositivos del Internet de las Cosas (IoT) , que están reemplazando cada vez más a las memorias tradicionales. Se estima que el número de dispositivos conectados al Internet de las Cosas (IoT) es de aproximadamente 15 140 millones, según los últimos datos disponibles. Para 2030, se estima que esta cifra se duplicará con creces, alcanzando los 29 420 millones. Esta memoria puede habilitar capacidades de encendido instantáneo, mejorar la eficiencia energética y optimizar el almacenamiento de datos en dispositivos inteligentes.
- Creciente adopción de inteligencia artificial, big data, aprendizaje automático y computación en la nube: El aumento de la demanda de alto ancho de banda, bajo consumo de energía y memoria escalable de gran capacidad se debe a la creciente adopción de tecnologías avanzadas como big data, inteligencia artificial, aprendizaje automático y computación en la nube. Diariamente se crean aproximadamente 2,5 trillones de bits de datos. El 70% de los datos globales provienen del gasto de los usuarios finales en computación en la nube, que asciende a unos 500 000 millones de dólares anuales.
- Aumento de la demanda de dispositivos de memoria que permitan un acceso rápido y un bajo consumo de energía: La memoria de almacenamiento rápida y de alta capacidad es cada vez más popular debido al creciente volumen de datos en las empresas, así como a la popularidad de las soluciones de almacenamiento en la nube. Los productos avanzados siguen mejorando su rendimiento, lo que impulsa gran parte de la industria de los semiconductores. Para satisfacer las demandas de dispositivos de memoria de alta velocidad, menor consumo de energía y mayor escalabilidad, se han creado nuevas memorias no volátiles, como RRAM, MRAM, FeRAM y NRAM. Estas tecnologías ofrecen mayor escalabilidad, densidad, velocidad y resistencia que la tecnología tradicional. Tras una solicitud de comando, la mayoría de las tecnologías de memoria emergentes tardan entre 1 y 10 nanosegundos en cumplir los requisitos especificados.
Desafíos
- El costo de fabricación de memorias de próxima generación sigue aumentando: El costo de producción de DRAM y SRAM de alta densidad es muy alto hoy en día, mientras que la fabricación de memoria de próxima generación de alta densidad de bits también conlleva costos significativos. Las tecnologías de memoria de nueva generación suelen implicar procesos de producción más complejos que las tecnologías tradicionales de almacenamiento. Estos procesos pueden requerir el uso de equipos, materiales y experiencia especializados, lo que puede generar costos más altos. Las tecnologías de memoria de próxima generación tienen el potencial de mostrar menores rendimientos de producción debido a problemas como defectos, variaciones en el proceso o dificultades con los materiales durante su primera etapa de desarrollo y fabricación. En consecuencia, el costo por chip funcional es mayor debido a los bajos rendimientos.
- Cuanto mayor sea el grado de exposición a choques térmicos tengan los dispositivos de memoria, mayor será la probabilidad de que se dañen, lo que obstaculizará el crecimiento del mercado.
- El crecimiento del mercado puede verse obstaculizado por mayores costos de diseño como resultado de la falta de procesos de producción estandarizados.
Tamaño y pronóstico del mercado de memoria de próxima generación:
| Atributo del informe | Detalles |
|---|---|
|
Año base |
2025 |
|
Período de pronóstico |
2026-2035 |
|
Tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) |
19,4% |
|
Tamaño del mercado del año base (2025) |
9.820 millones de dólares |
|
Tamaño del mercado según pronóstico anual (2035) |
USD 57.83 mil millones |
|
Alcance regional |
|
Segmentación del mercado de memoria de próxima generación:
Análisis del segmento tecnológico
En el mercado de memoria de próxima generación, se prevé que el segmento de memoria no volátil capture alrededor del 68% de la participación en los ingresos para finales de 2035. La mayor demanda de soluciones de memoria mejores, más efectivas y menos costosas se puede atribuir al crecimiento del segmento en el mercado. La limitación de los dispositivos de memoria no volátil convencionales en términos de escalabilidad, estabilidad y otros parámetros también se ha eliminado gracias a la aparición de las tecnologías de memoria modernas. La acumulación global de datos crea la necesidad de soluciones de almacenamiento más eficientes con alta capacidad, lo que se debe al gran volumen de datos generados. Cada día se generan alrededor de 328,77 terabytes de datos. Este año, se producirán aproximadamente 120 zettabytes de datos. La velocidad y el rendimiento de la memoria no volátil son comparables a las tecnologías de memoria flash como DRAM o SRAM, con mayores densidades de almacenamiento, por ejemplo, en el caso de ReRAM y STT RAM PCM.
Análisis de segmentos de tipos de almacenamiento
Se prevé que el segmento masivo del mercado de memoria de próxima generación acapare más del 52 % de los ingresos para 2035. El almacenamiento masivo se utiliza habitualmente en centros de datos, sistemas de almacenamiento empresarial, electrónica de consumo y otras aplicaciones que requieren alta capacidad, rápidas velocidades de acceso y una retención de datos fiable. Existen aproximadamente 8000 centros de datos en todo el mundo. La inteligencia artificial se utiliza en aproximadamente el 20 % de la capacidad global de los centros de datos.
Nuestro análisis en profundidad del mercado global incluye los siguientes segmentos:
Tecnología |
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Tipo de almacenamiento |
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Tamaño |
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Usuario final |
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Vishnu Nair
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Análisis regional del mercado de memoria de próxima generación:
Perspectivas del mercado norteamericano
Se estima que Norteamérica captará más del 35% del mercado de memoria de próxima generación para 2035. La adopción temprana de tecnologías e infraestructura de próxima generación ha sido liderada por la región de Norteamérica. En Estados Unidos, la TI es un importante motor de crecimiento económico. Es necesario desarrollar sistemas de procesamiento más eficaces para afrontar la rápida evolución de las tecnologías y el creciente volumen de datos en los distintos sectores de Norteamérica. El mercado tecnológico estadounidense representa el 35% de la economía mundial. Se proyecta que el sector tecnológico estadounidense crecerá un 5,4% en 2023. Estados Unidos cuenta con más de 585.000 empresas tecnológicas.
Perspectivas del mercado de Asia-Pacífico
Se prevé que la región Asia Pacífico alcance alrededor del 28% del mercado de memoria de próxima generación para finales de 2035. Se prevé un fuerte crecimiento de la región gracias a la adopción generalizada de productos electrónicos de consumo, especialmente smartphones, tablets y portátiles. Según un informe, para 2021, el uso de teléfonos móviles en Asia Pacífico alcanzará el 74% y se espera que aumente al 84% durante la próxima década. Además, se espera que ese mismo año el 62% de los suscriptores de telefonía móvil estén presentes.
Actores del mercado de memoria de próxima generación:
- Corporación Intel
- Descripción general de la empresa
- Estrategia empresarial
- Ofertas de productos clave
- Desempeño financiero
- Indicadores clave de rendimiento
- Análisis de riesgos
- Desarrollo reciente
- Presencia regional
- Análisis FODA
- Honeywell International Inc.
- Tecnología Micron, Inc.
- Samsung Electronics Co., Ltd
- SK Hynix, Inc.
- Tecnologías Everspin, Inc.
- Corporación Tecnológica Nanya
- Corporación Tecnológica Kingston
- Infineon Technologies AG
- Crossbar Inc.
Desarrollos Recientes
- SK Hynix Inc. se convirtió en la primera empresa de la industria en desarrollar un producto HBM31 de 12 capas con una capacidad de memoria de 24 gigabytes², actualmente la mayor del sector. La compañía logró desarrollar el paquete de 24 GB, que aumentó la capacidad de memoria en un 50 % con respecto al producto anterior, tras la producción en masa del primer HBM3 del mundo en junio de 2022.
- Samsung anunció el inicio de la producción en masa de sus chips NAND verticales (V-NAND) de octava generación para ampliar el espacio de almacenamiento en los sistemas de servidores de próxima generación. Estos chips ofrecen la mayor densidad de bits y capacidad de almacenamiento de la industria. Se espera que permitan a las organizaciones ampliar la capacidad de almacenamiento de los servidores empresariales de próxima generación, a la vez que amplían su uso al mercado automotriz.
- Report ID: 3724
- Published Date: Sep 09, 2025
- Report Format: PDF, PPT
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