Marktgröße und Marktanteil von Siliziumkarbid-Wafern nach Endverbraucher (Automobilindustrie, Industrie, Energie, Telekommunikation, Elektronik); Wafergröße; Anwendung; Produkt; Waferdurchmesser; Polierverfahren – Globale Angebots- und Nachfrageanalyse, Wachstumsprognosen, Statistikbericht 2026–2035

Siliziumkarbid-Wafer-Markt – Regionale Analyse

Einblicke in den APAC-Markt

Der asiatisch-pazifische Raum wird voraussichtlich bis Ende 2035 mit 55,7 % den größten Umsatzanteil am globalen SiC-Wafer-Markt erzielen. Die Dominanz der Region in diesem Bereich ist im Wesentlichen auf die starke Elektronikfertigung und die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen zurückzuführen. Die Region verzeichnet kontinuierliche Investitionen in lokale Waferfabriken und eine starke staatliche Förderung, was eine schnelle Verbreitung der Technologie in wichtigen Sektoren gewährleistet. Im August 2025 gaben Toshiba und SICC die Unterzeichnung einer Absichtserklärung zur Prüfung einer Zusammenarbeit bekannt. Ziel ist die Verbesserung der Eigenschaften und Qualität der Siliziumkarbid-Leistungshalbleiterwafer von SICC sowie die Sicherstellung einer stabilen Waferversorgung für Toshiba. Diese Partnerschaft unterstützt Toshibas beschleunigte Entwicklung von SiC-Bauelementen für die Automobilindustrie, Server-Stromversorgungssysteme und hocheffiziente Wandlersysteme, bei denen Zuverlässigkeit und Leistung von entscheidender Bedeutung sind.

China ist der wichtigste Wachstumsmotor für den Siliziumkarbid-Wafermarkt (SiC) in der Region. Unterstützt wird dieser Markt durch die massive Produktion von Elektrofahrzeugen, eine schnell wachsende heimische Halbleiterindustrie und die starke politische Förderung von Breitbandgap-Technologien. Gleichzeitig bauen Unternehmen ihre SiC-Wafer-, Epitaxie- und Bauelementfertigung mit dem gemeinsamen Ziel aus, die Versorgungsunabhängigkeit zu stärken und die steigende Nachfrage aus nationalen Elektrofahrzeug- und Energieinfrastrukturprojekten zu decken. STMicroelectronics und Sanan Optoelectronics gaben im Juni 2023 die Gründung einer strategischen Allianz zur Einrichtung eines Joint Ventures in Chongqing bekannt. Ziel des Joint Ventures ist die Herstellung von 200-mm-Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen für Chinas wachsende Elektrofahrzeug- und Industrieenergiebranche. Das Joint Venture wird SiC-Bauelemente exklusiv für STMicroelectronics in einem firmeneigenen Verfahren produzieren, während Sanan separat eine eigene Produktionsanlage für 200-mm-SiC-Substrate errichtet.

Indien verzeichnet ein kontinuierliches Wachstum auf dem Markt für Siliziumkarbid-Wafer, bedingt durch die starke Förderung der Elektromobilität, die Modernisierung der Stromnetze und die heimische Halbleiterentwicklung. Gleichzeitig wecken staatlich geförderte Initiativen das Interesse globaler SiC-Unternehmen an Investitionen in Indien, während einheimische Forschungseinrichtungen die Materialkompetenzen für die zukünftige Leistungselektronikproduktion weiterentwickeln. Im August 2025 gab die indische Regierung die Genehmigung von vier neuen Halbleiterfertigungsprojekten mit einem Gesamtinvestitionsvolumen von 46 Milliarden Rupien (552 Millionen US-Dollar) bekannt und stärkte damit das indische Halbleiter-Ökosystem. Der Bericht führte außerdem aus, dass SiCSem in Zusammenarbeit mit Clas-SiC Wafer Fab Indiens erste kommerzielle Siliziumkarbid-(SiC)-Verbindungshalbleiterfabrik in Odisha errichten wird, während CDIL seine SiC-Bauelementproduktion in Punjab ausbaut. Weitere Projekte umfassen fortschrittliche Gehäusetechnologien von 3D Glass Solutions in Odisha und ASIP Technologies in Andhra Pradesh und unterstreichen somit die vielversprechenden Marktaussichten für Siliziumkarbid-Wafer.

Einblicke in den nordamerikanischen Markt

Nordamerika wird im Markt für Siliziumkarbid-Wafer (SiC) voraussichtlich ein rasantes Wachstum verzeichnen. Treiber dieser Entwicklung sind die schnelle Elektrifizierung des Transportwesens, hohe Investitionen in die Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge und der Ausbau der heimischen SiC-Fertigungskapazitäten. Die Region profitiert zudem von Partnerschaften zwischen Automobilherstellern und Halbleiterlieferanten, die die Markteinführung beschleunigen. Gleichzeitig fördern staatliche Initiativen zur Unterstützung sauberer Energie und der Rückverlagerung der Produktion das Wachstum des heimischen SiC-Ökosystems. Im Juli 2023 gaben Renesas und Wolfspeed die Unterzeichnung eines zehnjährigen Liefervertrags für Siliziumkarbid-Wafer bekannt. Renesas leistete eine Anzahlung von 2 Milliarden US-Dollar, um sich 150-mm- und 200-mm-Wafer zu sichern und so den Ausbau der US-Kapazitäten von Wolfspeed zu unterstützen. Der Vertrag ermöglicht es Renesas außerdem, die Produktion von SiC-Leistungshalbleitern zu skalieren und die steigende Nachfrage in den Bereichen Automobil, Industrie und Energie zu decken.

Im Markt für Siliziumkarbid-Wafer haben die USA dank einer etablierten Halbleiter-Lieferkette, Forschungsprogrammen und der signifikanten Expansion großer SiC-Hersteller enorm an Bedeutung gewonnen. Gleichzeitig setzen Hersteller von Elektrofahrzeugen und Projekte im Bereich erneuerbarer Energien auf die SiC-Kapazitäten des Landes, um ihre Wettbewerbsfähigkeit in diesem Bereich zu sichern. Coherent Corp. stellte im Dezember 2025 eine Siliziumkarbid-Plattform der nächsten Generation mit 300 mm Durchmesser vor, die auf der Expertise mit 200-mm-Substraten aufbaut und die thermische Effizienz von KI-Rechenzentrumsinfrastrukturen verbessern soll. Diese größeren Wafer bieten zudem eine höhere Leistungsdichte, einen niedrigeren spezifischen Widerstand und eine hohe thermische Stabilität und eignen sich daher für Anwendungen in Rechenzentren, AR/VR-Geräten und Leistungselektronik. Mit diesem Fortschritt positioniert sich Coherent als führender Anbieter von Halbleitern mit großer Bandlücke und unterstreicht sein Engagement für skalierbare Lösungen im Bereich Computing und erneuerbare Energien.

Kanada verzeichnet im SiC-Wafer-Markt ein exponentielles Wachstum dank seines Fokus auf nachhaltige Mobilität und saubere Energie, unterstützt durch das Wachstum der Elektrofahrzeugproduktion und regionale Innovationszentren. Gleichzeitig fördern Kooperationen zwischen Industrie und Wissenschaft die Materialforschung und schaffen vielversprechende Möglichkeiten für SiC-Technologien in den Bereichen Transport, Stromnetze und industrielle Elektrifizierung. Darüber hinaus profitiert der kanadische Markt von staatlichen Initiativen und Förderprogrammen, die das Halbleiter-Ökosystem stärken und Ressourcen für die Forschung an fortschrittlichen Materialien und der Waferfertigung bereitstellen. Führende Akteure der Privatwirtschaft investieren in SiC-Produktionskapazitäten und Partnerschaften mit internationalen Marktführern, um langfristige Lieferketten zu sichern. Dieser kombinierte Ansatz positioniert Kanada als aufstrebendes Zentrum für Siliziumkarbid-Wafer-Innovationen und trägt so zur weltweiten Verbreitung von SiC-Technologien in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und hocheffizienter Leistungselektronik bei.

Einblicke in den europäischen Markt

Europa hat sich dank seiner Vorreiterrolle bei der Elektrifizierung des Automobilsektors und strenger Energieeffizienzrichtlinien die führende Position auf dem internationalen Markt für Siliziumkarbid-Wafer gesichert. Regionale Lieferketten werden gestärkt, da sowohl etablierte als auch aufstrebende Unternehmen in der Region in die Produktion von SiC-Wafern und -Bauelementen investieren, um die Elektromobilität der nächsten Generation zu unterstützen. GF Machining Solutions kündigte im Januar 2025 die Markteinführung der LASER S 500 U an, einer Laserablationsmaschine, die speziell für die Herstellung von Siliziumkarbid-Wafern entwickelt wurde. Das Unternehmen erklärte außerdem, dass die LASER S 500 U diesen Prozess durch berührungslose Lasertechnologie revolutioniert und die Bearbeitungszeiten von Stunden auf Minuten verkürzt. Dadurch werden Werkzeugverschleiß und Kosten minimiert. Darüber hinaus ist sie mit der LaserSUITE360-Software von GF gekoppelt und ermöglicht präzise Kantenprofile, Kerbenformen und die Anpassung der Wafergröße. Integrierte Kameras gewährleisten die genaue Identifizierung und Handhabung der Wafer.

Deutschland gilt als dominierendes Land im regionalen SiC-Wafer-Markt, angetrieben durch die Umstellung großer Automobilhersteller auf SiC-basierte Stromversorgungssysteme. Das Land nutzt zudem seine ausgeprägte Ingenieurskompetenz und hohe Investitionen in Wafer- und Bauelementetechnologien, um seine führende Position bei leistungsstarken Anwendungen für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungen zu festigen. In diesem Zusammenhang gab AIXTRON SE im September 2025 die Auslieferung ihres 100. G10-SiC-Systems bekannt, was einen bedeutenden Meilenstein für die weltweite Einführung ihrer SiC-Epitaxie-Batch-Technologie darstellt. Dieses G10-SiC-System ermöglicht die Serienproduktion von 150-mm- und 200-mm-Siliziumkarbid-Wafern, die für effiziente Leistungsbauelemente in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und industriellen Stromversorgungen unerlässlich sind. Darüber hinaus verfügt es über eine Multi-Wafer-Konfiguration (6 × 200 mm) und die Multi-Ject-Technologie, die die Herstellung gleichmäßiger, hochwertiger Epitaxieschichten und damit eine skalierbare Fertigung mit hohem Durchsatz ermöglicht.

Großbritannien stärkt seine Position im regionalen Markt für Siliziumkarbid-Wafer durch forschungsorientierte Initiativen, die die Entwicklung von SiC-Materialien und Innovationen in der Leistungselektronik fördern. Die Zusammenarbeit führender Industrieunternehmen treibt den Fortschritt bei SiC-Wafer-Technologien für Prototypen von Elektrofahrzeugen, die Elektrifizierung der Luft- und Raumfahrt sowie Energiesysteme der nächsten Generation voran. Clas-SiC Wafer Fab Limited gab im Oktober 2024 bekannt, erfolgreich 15 Millionen GBP (ca. 18,75 Millionen USD) investiert zu haben. Die Mittel sollen zur Erweiterung der Fertigungskapazitäten und zur Weiterentwicklung der Technologie eingesetzt werden. Das Unternehmen betont, dass diese Investition seine Position in der Halbleiterindustrie, die sich auf energieeffiziente SiC-Bauelemente konzentriert, stärken soll. Dieses Engagement für den Aufbau eines effizienten Ökosystems unterstreicht die Rolle des Unternehmens bei der Unterstützung des weltweiten Übergangs zu Elektrifizierung und nachhaltigen Technologien in den kommenden Jahren.