。
全球下一代内存市场目录
- 市场定义和研究方法
- 市场定义和细分
- 假设和缩略语
- 研究目标和方法
- 执行摘要
- 行业价值链分析
- 市场动态
- 司机
- 挑战
- 趋势
- 机会
- 监管和标准格局
- 行业风险分析
- 技术分析
- COVID-19 对全球下一代内存市场的影响
- 平均定价分析
- 技术与最终用途行业的交叉细分
- 存储类型与最终用途行业的交叉细分
- 与最终用途行业相关的规模交叉细分
- 特征分析
- 竞争定位
- 竞争格局
- 三星电子有限公司
- 美光科技公司
- 赛普拉斯半导体公司
- Everspin 技术公司
- 恩智浦半导体
- 铠侠株式会社
- 英特尔公司
- 雪崩科技
- IBM公司
- 富士通有限公司
- 西部数据公司
- 十字栏公司
- SK海力士公司
- 全球下一代存储器市场
- 按价值(百万美元)
- 2020-2030年全球下一代内存市场细分分析
- 按技术
- 非易失性存储器
- 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
- 铁电 RAM (FRAM)
- 电阻式随机存取存储器 (RERAM)
- 3D XPoint(Quantx 和 Optane)
- 纳米内存 (NRAM)
- 其他的
- 易失性内存
- 混合存储立方体 (HMC)
- 高带宽内存 (HBM)
- 非易失性存储器
- 按存储类型
- 大容量储存
- 嵌入式存储
- 其他的
- 按尺寸
- 200毫米
- 300毫米
- 450毫米
- 按最终用户
- 企业
- 消费类电子产品
- 汽车和交通
- 电信
- 军事和航空航天
- 能源与电力
- 银行和金融服务
- 卫生保健
- 其他的
- 按地区
- 北美
- 拉美
- 欧洲
- 亚太
- 中东和非洲
- 按技术
- 北美下一代内存市场
- 市场价值(百万美元)
- 市场细分:
- 按技术
- 非易失性存储器
- 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
- 铁电 RAM (FRAM)
- 电阻式随机存取存储器 (RERAM)
- 3D XPoint(Quantx 和 Optane)
- 纳米内存 (NRAM)
- 其他的
- 易失性内存
- 混合存储立方体 (HMC)
- 高带宽内存 (HBM)
- 非易失性存储器
- 按存储类型
- 大容量储存
- 嵌入式存储
- 其他的
- 按尺寸
- 200毫米
- 300毫米
- 450毫米
- 按最终用户
- 企业
- 消费类电子产品
- 汽车和交通
- 电信
- 军事和航空航天
- 能源与电力
- 银行和金融服务
- 卫生保健
- 其他的
- 按国家/地区
- 美国
- 加拿大
- 按技术
- 拉丁美洲下一代内存市场
- 市场价值(百万美元)
- 市场细分:
- 按技术
- 按存储类型
- 按尺寸
- 按最终用户
- 按国家/地区
- 巴西
- 墨西哥
- 阿根廷
- 拉丁美洲其他地区
- 欧洲下一代内存市场
- 市场价值(百万美元)
- 市场细分:
- 按技术
- 按存储类型
- 按尺寸
- 按最终用户
- 按国家/地区
- 英国
- 意大利
- 法国
- 德国
- 西班牙
- 俄罗斯
- 荷兰
- 欧洲其他地区
- 亚太下一代内存市场
- 市场价值(百万美元)
- 市场细分:
- 按技术
- 按存储类型
- 按尺寸
- 按最终用户
- 按国家/地区
- 中国
- 印度
- 澳大利亚
- 日本
- 韩国
- 亚太地区其他地区
- 中东和非洲下一代内存市场
- 市场价值(百万美元)
- 市场细分:
- 按技术
- 按存储类型
- 按尺寸
- 按最终用户
- 按国家/地区
- 海湾合作委员会
- 南非
- 以色列
- 中东和非洲其他地区
。
下一代内存市场 - 历史数据(2019-2024)、2025 年全球趋势、2037 年增长预测
2025 年下一代内存市场估计为 97 亿美元。 2024 年,全球市场规模将超过 85.3 亿美元,预计复合年增长率将超过 17.2%,到 2037 年收入将超过 671.4 亿美元。由于下一代技术和基础设施的早期采用,以及 IT 在推动该地区经济增长中的关键作用,预计到 2037 年,北美市场规模将接近 235 亿美元。
对通用存储设备的需求不断增长,这种类型的内存具有众多优势,这可归因于市场的增长。 2023年至2028年期间,全球消费电子存储单元总量预计将增长690万个。预计 2028 年销量将达到 26 亿件。
此外,高科技设备需求的增长是推动该地区下一代内存市场增长的主要因素。该地区许多国家的互联网使用量有所增加。因此,互联网用户对先进计算产品的需求不断增加,这反过来又将导致下一代存储设备的生产。亚洲和亚洲使用互联网的人数根据国际电信联盟 (ITU) 提供的统计数据,2005 年至 2019 年间,太平洋地区的用户数量从 3.55 亿增加到 19.01 亿。

下一代内存行业:增长动力和挑战
增长动力
- 越来越多地在嵌入式系统和物联网设备中使用下一代内存技术 - MRAM 和 ReRAM 等下一代内存具有高性能读写速度、低能耗且无波动性,非常适合在嵌入式系统和物联网中使用(IoT) 设备越来越多地取代传统存储器。根据最新的可用数据,连接的物联网设备数量估计约为 151.4 亿。到2030年,预计这一数字将增加一倍以上,达到294.2亿。该内存可以实现瞬时功能、提高能源效率并增强智能设备中的数据存储。
- 人工智能、大数据、机器学习和云计算的日益普及 - 由于大数据、人工智能、机器学习、云计算等先进技术的日益普及,对高带宽、低功耗和大容量可扩展内存的需求不断增长。每天大约会产生 2.5 百亿比特的数据。全球数据显示,70% 的云计算最终用户支出是由用户产生的,每年总计约为 5000 亿美元。
- 对可快速访问且功耗低的内存设备的需求增加 - 由于公司数据量不断增加以及云存储解决方案的普及,高容量和快速存储内存变得越来越受欢迎。先进产品不断提高其性能,这推动了半导体行业的很大一部分。满足存储设备高速、低功耗、大规模的需求。人们已经创建了不同的新型非易失性存储器,包括 RRAM、MRAM、FeRAM 和 NRAM。这些技术比传统技术具有更大的规模、密度、速度和耐久性。在发出命令请求后,大多数新兴内存技术需要 1 到 10 纳秒的时间才能输出满足指定要求。
挑战
- 下一代的制造成本内存持续增长 - 如今高密度 DRAM 和 SRAM 的生产成本非常高,而高位密度下一代内存的制造成本也很高。与传统的存储器存储技术相比,新一代存储器技术通常涉及更复杂的生产工艺。这些过程可能需要使用专业设备、材料和专业知识,这可能会导致更高的成本。由于开发和制造第一阶段的缺陷、工艺变化或材料挑战等问题,下一代存储技术有可能显示出较低的产量。因此,由于良率较低,每个功能芯片的成本较高。
- 存储设备遭受热冲击的程度越高,损坏的可能性就越大,从而阻碍市场增长。
- 由于缺乏标准化生产流程,设计成本上升可能会阻碍市场的增长。
下一代内存市场:主要见解
基准年 |
2024年 |
预测年份 |
2025-2037 |
复合年增长率 |
17.2% |
基准年市场规模(2024 年) |
85.3亿美元 |
预测年度市场规模(2037 年) |
671.4亿美元 |
区域范围 |
|
下一代内存分段
技术{非易失性内存(MRAM、FRAM、ReRAM、3D XPoint、NRAM)、易失性内存(混合内存立方体、高带宽内存)}
在下一代内存市场中,到 2037 年底,非易失性内存细分市场将占据约 68% 的收入份额。对更好、更有效和成本更低的内存解决方案的需求不断增加,可归因于该细分市场的增长。现代存储技术的出现也消除了传统非易失性存储器件在可扩展性、稳定性和其他参数方面的限制。由于产生的数据量巨大,数据的全球积累需要更高效的大容量存储解决方案。每天生成约 328.77 TB 的数据。今年将产生大约 120 ZB 的数据。非易失性存储器的速度和性能可与 DRAM 或 SRAM 等闪存技术相媲美,并且具有更高的存储密度,例如对于 ReRAM 和 STT RAM PCM。
存储类型(海量、嵌入式)
到 2037 年,下一代内存市场的海量细分市场将占据超过 52% 的收入份额。海量存储通常用于数据中心、企业存储系统、消费电子产品和其他需要大容量、快速访问速度和可靠数据保留的应用。全球大约有 8,000 个数据中心位置。全球约 20% 的数据中心容量都采用了人工智能。
我们对全球市场的深入分析包括以下细分市场:
技术 |
|
存储类型 |
|
尺寸 |
|
最终用户 |
|
想根据您的需求定制此研究报告吗?我们的研究团队将涵盖您需要的信息,帮助您做出有效的商业决策。
定制此报告下一代内存产业 - 区域概要
北美市场预测
预计到 2037 年,北美地区将占据超过 35% 的下一代内存市场份额。北美地区引领了下一代技术和基础设施的早期采用。在美国,IT是经济增长的重要推动力。需要开发更有效的处理系统,以应对北美地区技术的快速发展和跨部门不断增长的数据量。美国科技市场占全球经济总量的35%。 2023 年,美国科技行业预计将增长 5.4%。美国拥有超过 585,000 家科技公司。
亚太地区市场统计数据
预计到 2037 年底,亚太地区将占据约 28% 的下一代内存市场份额。由于该地区主要消费电子产品(尤其是智能手机、平板电脑和笔记本电脑)的采用,该地区预计将强劲增长。报告显示,到2021年,亚太地区手机使用率将达到74%,预计未来十年将增至84%。此外,预计同年将有 62% 的移动用户参与其中。

主导下一代内存领域的公司
- 英特尔公司
- 公司概览
- 业务战略
- 主要产品
- 财务业绩
- 关键绩效指标
- 风险分析
- 近期发展
- 区域业务
- SWOT 分析
- 霍尼韦尔国际公司
- 美光科技公司
- 三星电子有限公司
- SK 海力士公司
- Everspin Technologies, Inc.
- 南亚科技公司
- 金士顿科技公司
- 英飞凌科技股份公司
- Crossbar Inc.
In the News
- SK Hynix Inc. 成为业界首家开发出 12 层 HBM31 产品,内存容量为 24 GB 2,目前为业界最大。继 2022 年 6 月全球首款 HBM3 量产后,该公司成功开发了 24 GB 封装产品,内存容量比之前的产品增加了 50%。
- 三星宣布开始批量生产第八代垂直 NAND (V-NAND) 芯片,以扩大下一代服务器系统的存储空间。这些芯片具有业界最高的位密度和存储容量。它们预计将使组织能够扩展下一代企业服务器的存储容量,同时将其用途扩展到汽车市场。
作者致谢: Abhishek Verma
- Report ID: 3724
- Published Date: May 08, 2025
- Report Format: PDF, PPT