.磁阻 RAM (MRAM) 市场按技术细分(切换和自旋转移扭矩);按产品(分立式和嵌入式)和应用(消费电子、航空航天和国防、机器人、企业存储、汽车等)——2028 年全球需求分析和机会展望。

  • 报告编号: 2622
  • 发布日期: Feb 01, 2022
  • 报告格式: PDF, PPT

磁阻内存(MRAM)简介

磁阻 RAM (MRAM) 是一种存储数据位的过程,它使用电子自旋来存储动态 RAM 使用的信息。它是动态 RAM 和静态 RAM 优点结合的结果。磁阻 RAM (MRAM) 与传统存储设备相比具有高性能,速度更快,功耗更低,并且能够防止数据丢失。磁阻内存 (MRAM) 技术在极端温度范围内坚固可靠,因此可用于辅助电子产品存储大量数据,同时确保快速访问速度并消耗更少的电池电量。

市场规模及预测

物联网(IoT)和云计算等数字化和技术进步的日益采用以及对电子产品的需求不断增加是推动市场增长的一些重要因素。根据美国人口普查局的数据,2016 年,76% 的家庭拥有智能手机,77% 的家庭使用台式机或笔记本电脑。

预计磁阻 RAM (MRAM) 市场在预测期内(即 2020 年至 2028 年)将出现显着的复合年增长率。该市场按应用细分为消费电子、航空航天和国防、机器人、企业存储、汽车等。在这些细分市场中,由于智能手机、笔记本电脑、电子可穿戴设备和数码相机的采用不断增加,这些细分市场利用先进的存储设备来确保低功耗,预计消费电子产品细分市场将在磁阻 RAM (MRAM) 市场中以最高的速度增长。能源消耗并减少启动时间。单击下载样本报告

增长动力

替代替代内存产品以促进市场增长的潜力

开发创新型读访问存储器产品(例如嵌入式和分立 MRAM)的研究活动的增加推动了市场的增长。此外,磁阻 RAM (MRAM) 有可能取代闪存和其他电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)。预计这将显着扩大磁阻 RAM (MRAM) 市场。

电子设备和航空航天业需求不断增长,推动市场增长

由于其良好的物理特性,例如耐高辐射、在极端温度下运行、防篡改和速度更快,电子、航空航天、国防和军事系统对低成本、小尺寸、高能效的 MRAM 的需求不断增加计算。此外,其在企业存储解决方案中的应用减少了整体系统停机时间,这进一步刺激了市场增长。在此背景下,全球磁阻 RAM (MRAM) 市场预计将在预测期内增长。

限制

高成本和复杂的接口阻碍了市场增长

尽管技术进步,但设计和制造成本高昂,这对市场增长产生负面影响。此外,与存储器相关的接口问题预计将阻碍未来磁阻RAM(MRAM)市场的增长。

市场细分

我们对磁阻 RAM (MRAM) 市场的深入分析包括以下部分:

按技术

  • 切换
  • 自旋转移扭矩

按产品分类

  • 离散的
  • 嵌入式

按申请

  • 消费类电子产品
  • 航空航天和国防
  • 机器人技术
  • 企业存储
  • 汽车
  • 其他的

按地区

根据区域分析,磁阻RAM(MRAM)市场分为北美、欧洲、亚太地区、拉丁美洲以及中东和非洲地区五个主要区域。

由于该地区存在制造和销售磁阻 RAM (MRAM) 的领先市场参与者,预计北美磁阻 RAM (MRAM) 市场将占据最大的市场份额。此外,企业正在转向数据中心,以降低技术基础设施的成本,并实现更快的计算、更低的功耗和更好的可扩展性,这进一步增加了产品需求。由于数据中心和信息技术中心基础设施的进步,预计亚太地区的市场在预测期内将以最高的速度增长。此外,互联网使用量的增加和云计算的普及,以及中国和印度等国家由于原材料充足和廉价劳动力而产生大量内存制造商,进一步增加了对磁阻内存(MRAM)的需求市场。

磁阻RAM(MRAM)市场根据区域进一步分类如下:

  • 北美(美国和加拿大)市场规模、同比增长和机会分析
  • 拉丁美洲(巴西、墨西哥、阿根廷、拉丁美洲其他地区)市场规模、同比增长和机会分析
  • 欧洲(英国、德国、法国、意大利、西班牙、匈牙利、比利时、荷兰和卢森堡、北欧、波兰、土耳其、俄罗斯、欧洲其他地区)市场规模、同比增长和机会分析
  • 亚太地区(中国、印度、日本、韩国、印度尼西亚、马来西亚、澳大利亚、新西兰、亚太其他地区)市场规模、同比增长和机会分析。
  • 中东和非洲(以色列、海湾合作委员会(沙特阿拉伯、阿联酋、巴林、科威特、卡塔尔、阿曼)、北非、南非、中东和非洲其他地区)市场规模、同比增长和机会分析。

主导市场的顶级特色公司


In-the-news

在新闻中

· 2016 年 9 月: Spin Memory, Inc. (STT) 宣布已制造出小至 20nm 的垂直 MRAM 磁隧道结([MTJ] 是 MRAM 存储单元的主要组件,也是 MRAM 器件的核心技术)。迄今为止报道的最小 MTJ 之一。

作者学分:  Abhishek Verma, Hetal Singh


  • 报告编号: 2622
  • 发布日期: Feb 01, 2022
  • 报告格式: PDF, PPT
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