Marktteilnehmer im Bereich Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET):
- STMicroelectronics International NV
- Unternehmensübersicht
- Geschäftsstrategie
- Wichtigste Produktangebote
- Finanzielle Leistung
- Wichtigste Leistungsindikatoren
- Risikoanalyse
- Aktuelle Entwicklung
- Regionale Präsenz
- SWOT-Analyse
- Infineon Technologies AG
- Texas Instruments Incorporated
- Advanced Linear Devices Inc.
- Fairchild Semiconductor International Inc. (Semiconductor Components Industries, LLC)
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company
- Avago Technologies Limited (Broadcom, Inc.)
- Qorvo Inc.
- Toshiba Corporation
- Alsephina Innovations, Inc. (Wi-LAN Inc.)
Durchsuchen Sie wichtige Branchenerkenntnisse mit Marktdaten-Tabellen und -Diagrammen aus dem Bericht.:
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Im Jahr 2026 wird der Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren auf 1,52 Milliarden US-Dollar geschätzt.
Der globale Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren hatte im Jahr 2025 einen Wert von rund 1,39 Milliarden US-Dollar und soll mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von mehr als 10,7 % wachsen und bis 2035 einen Umsatz von 3,84 Milliarden US-Dollar erreichen.
Bis 2035 wird Nordamerika voraussichtlich den größten Umsatzanteil am Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET) halten. Dies wird durch die zunehmende Verbreitung von Smartphones der nächsten Generation begünstigt, die durch den steigenden Smartphone-Besitz in der Region vorangetrieben wird.
Zu den wichtigsten Akteuren auf dem Markt gehören STMicroelectronics International N.V., Infineon Technologies AG, Texas Instruments Incorporated, Advanced Linear Devices Inc., Fairchild Semiconductor International Inc. (Semiconductor Components Industries, L.L.C.), Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Avago Technologies Limited (Broadcom, Inc.), Qorvo Inc., Toshiba Corporation, Alsephina Innovations, Inc. (Wi-LAN Inc.).
