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Marktgröße und Prognose für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFETs) nach Typ (Lateraltunnelung, Vertikaltunnelung), Anwendung (Analogschalter, Verstärker, Phasenschiebeoszillatoren, Strombegrenzer, digitale Schaltungen), Endnutzer (Unterhaltungselektronik, Industrieelektronik, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung) – Wachstumstrends, Hauptakteure, regionale Analyse 2026–2035

  • Berichts-ID: 4207
  • Veröffentlichungsdatum: Nov 21, 2025
  • Berichtsformat: PDF, PPT

Marktausblick für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET):

Der Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFETs) hatte 2025 ein Volumen von über 1,39 Milliarden US-Dollar und wird voraussichtlich bis 2035 auf über 3,84 Milliarden US-Dollar anwachsen, was einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum von über 10,7 % im Prognosezeitraum 2026–2035 entspricht. Im Jahr 2026 wird das Marktvolumen für Tunnel-Feldeffekttransistoren auf 1,52 Milliarden US-Dollar geschätzt.

Tunnel Field-Effect Transistor (TFET) Market Size
Entdecken Sie Markttrends und Wachstumsmöglichkeiten:

Das Marktwachstum ist auf die steigende Nachfrage nach energieeffizienten und leistungsstarken Transistoren sowie die weltweit zunehmende Anzahl von Rechenzentren zurückzuführen. Im Rechenzentrumsbetrieb erfordern große Datenmengen einen signifikanten Energieverbrauch, der stetig steigt. Beispielsweise gab es im Januar 2022 in den USA rund 2.750 und in Großbritannien etwa 450 Rechenzentren. Die zunehmende Verfügbarkeit riesiger Datenmengen, die von zahlreichen Rechenzentren analysiert werden, und die Notwendigkeit, diese Daten sicher zu speichern, erhöhen den Bedarf an Transistoren. Auch das Wachstum der IT-Branche und der Softwareanwendungen dürfte das Marktwachstum in den kommenden Jahren weiter ankurbeln.

Der Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFETs) dürfte aufgrund der steigenden Nachfrage nach TFETs als zukunftsweisenden Transistoren für IoT-Geräte der nächsten Generation ebenfalls ein Wachstum verzeichnen. Schätzungen zufolge gab es 2019 weltweit rund 10 Milliarden IoT-Geräte, deren Anzahl bis Ende 2025 voraussichtlich auf 30 Milliarden ansteigen wird. Siliziumbasierte Tunnel-Feldeffekttransistoren zeichnen sich zudem durch geringe Subthreshold-Steilheit bei gleichzeitig niedrigem Stromverbrauch aus. Darüber hinaus ersetzen Hersteller die traditionellen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) durch TFETs, da diese zahlreiche Vorteile bieten, darunter geringer Stromverbrauch und niedriger Strom im ungeraden Zustand. Diese Faktoren dürften das Marktwachstum in den kommenden Jahren weiter ankurbeln.

Schlüssel Tunnel-Feldeffekttransistor (TFET) Markteinblicke Zusammenfassung:

  • Regionale Highlights:

    • Bis 2035 wird Nordamerika voraussichtlich den größten Umsatzanteil am Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET) halten. Dies wird durch die zunehmende Verbreitung von Smartphones der nächsten Generation begünstigt, die durch den steigenden Smartphone-Besitz in der Region vorangetrieben wird.
    • Bis 2035 wird in Europa voraussichtlich ein substanzielles Marktwachstum verzeichnet werden, das durch die stark steigende Nachfrage nach drahtlosen Verbindungssystemen der nächsten Generation aufgrund der rasanten Fortschritte bei der 5G-Implementierung in der Region unterstützt wird.

  • Segmenteinblicke:

    • Bis 2035 dürfte das Segment der digitalen Schaltungen im Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFETs) den größten Marktanteil einnehmen. Treiber dieser Entwicklung ist die zunehmende Integration digitaler Schaltungen in die Herstellung von Unterhaltungselektronik, die durch die steigende Verbreitung von Smartphones, Laptops und ähnlichen Geräten befeuert wird.
    • Bis 2035 wird dem Segment der Unterhaltungselektronik voraussichtlich ein bedeutender Marktanteil zugeschrieben, was durch die zunehmende Nutzung von Fernsehern, Tablets, Mobiltelefonen, Computern und verwandten Geräten aufgrund der wachsenden Internetverbreitung und steigenden verfügbaren Einkommen verstärkt wird.

  • Wichtigste Wachstumstrends:

    • Wachstum der Halbleiterindustrie durch steigenden Konsum von Unterhaltungselektronik
    • Zunehmende staatliche Unterstützung durch politische Maßnahmen weltweit

  • Größte Herausforderungen:

    • Geringeres Bewusstsein für die Vorteile von TFET auf dem Markt
    • Asymmetrie zwischen Quelle und Entnahmestelle, die Zuverlässigkeitsprobleme aufwirft

  • Wichtige Akteure: STMicroelectronics International NV, Infineon Technologies AG, Texas Instruments Incorporated, Advanced Linear Devices Inc., Fairchild Semiconductor International Inc. (Semiconductor Components Industries, LLC), Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Avago Technologies Limited (Broadcom, Inc.), Qorvo Inc., Toshiba Corporation, Alsephina Innovations, Inc. (Wi-LAN Inc.).

Global Tunnel-Feldeffekttransistor (TFET) Markt Prognose und regionaler Ausblick:

  • Marktgröße und Wachstumsprognosen:

    • Marktgröße 2025: 1,39 Milliarden US-Dollar
    • Marktgröße 2026: 1,52 Milliarden US-Dollar
    • Prognostizierte Marktgröße: 3,84 Milliarden US-Dollar bis 2035
    • Wachstumsprognosen: 10,7 %

  • Wichtigste regionale Dynamiken:

    • Größte Region: Nordamerika
    • Region mit dem schnellsten Wachstum: Europa
    • Dominierende Länder: Vereinigte Staaten, China, Japan, Deutschland, Südkorea
    • Schwellenländer: Indien, Vietnam, Indonesien, Mexiko, Brasilien

    • Last updated on : 21 November, 2025

Wachstumstreiber

  • Wachstum der Halbleiterindustrie durch steigenden Konsum von Unterhaltungselektronik – Die zunehmende Nutzung elektronischer Geräte, Fortschritte im Bereich der künstlichen Intelligenz und die steigende Internetverbreitung werden das Marktwachstum voraussichtlich antreiben. Die Einführung von Speicherchips mit hoher Kapazität in Mobiltelefonen und anderen Geräten sowie die zunehmende Verbreitung von Chipsätzen für die drahtlose Kommunikation dürften das Marktwachstum weiter beflügeln. Das Wachstum der Halbleiterindustrie ist auf die weltweit steigende Nachfrage nach Smartphones, integrierten Schaltkreisen und Speicherbausteinen zurückzuführen. Schätzungen zufolge belief sich der Gesamtumsatz der globalen Halbleiterindustrie im Jahr 2021 auf rund 580 Milliarden US-Dollar und übertraf damit den Gesamtumsatz von rund 460 Milliarden US-Dollar im Jahr 2020.
  • Zunehmende staatliche Unterstützung durch politische Maßnahmen weltweit – Laut den Daten hat die indische Regierung im Jahr 2019 die Nationale Elektronikpolitik (NPE 2019) ins Leben gerufen, um die Fertigungsindustrie zu stärken. Ziel ist es, bis Ende 2025 ein Geschäftsvolumen von rund 390 Milliarden US-Dollar in der heimischen Fertigung zu erreichen.
  • Erhöhte Ausgaben für Forschung und Entwicklung zur Verbesserung der Fortschritte in der Elektronik – Laut Daten der Weltbank beliefen sich die globalen Ausgaben für Forschung und Entwicklung im Verhältnis zum Bruttoinlandsprodukt (BIP) im Jahr 2021 auf rund 2,63 %, gegenüber 2,2 % im Jahr 2018.
  • Steigende Smartphone-Verkäufe dank zunehmender Digitalisierung und rasanter Urbanisierung – Schätzungen zufolge wurden im Jahr 2021 weltweit rund 1,4 Milliarden Smartphones verkauft, im Vergleich zu rund 1,3 Milliarden im Jahr 2020.
  • Zunehmende Verbreitung von Laptops aufgrund steigenden verfügbaren Einkommens der Bevölkerung – Schätzungen zufolge werden die weltweiten Lieferungen von Laptops bis Ende 2025 voraussichtlich 265 Millionen Einheiten überschreiten.

Herausforderungen

  • Geringeres Bewusstsein für die Vorteile von TFETs am Markt – Nicht jeder kennt die Vorteile von TFET-Modellen, da es auch andere Transistortypen gibt. Zudem dürfte der Bedarf an Fachkräften für die Bedienung und Entwicklung dieser Tunnelfeldtransistoren das Marktwachstum hemmen.
  • Asymmetrie zwischen Quelle und Entnahmestelle, die Zuverlässigkeitsprobleme aufwirft
  • Erhöhte Subthreshold-Schwankungen bei höherer Tunnelrate

Marktgröße und Prognose für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET):

Berichtsattribut Einzelheiten

Basisjahr

2025

Prognosejahr

2026–2035

CAGR

10,7 %

Marktgröße im Basisjahr (2025)

1,39 Milliarden US-Dollar

Prognostizierte Marktgröße (2035)

3,84 Milliarden US-Dollar

Regionaler Geltungsbereich

  • Nordamerika (USA und Kanada)
  • Asien-Pazifik (Japan, China, Indien, Indonesien, Malaysia, Australien, Südkorea, übriges Asien-Pazifik)
  • Europa (Großbritannien, Deutschland, Frankreich, Italien, Spanien, Russland, Nordische Länder, übriges Europa)
  • Lateinamerika (Mexiko, Argentinien, Brasilien, übriges Lateinamerika)
  • Naher Osten und Afrika (Israel, Golf-Kooperationsrat, Nordafrika, Südafrika, übriger Naher Osten und Afrika)
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Marktsegmentierung für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET):

Anwendungssegmentanalyse

Der globale Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFETs) wird nach Anwendungsbereichen in die Segmente Analogschalter, Verstärker, Phasenschieberoszillatoren, Strombegrenzer, digitale Schaltungen und Sonstige unterteilt und hinsichtlich Angebot und Nachfrage analysiert. Es wird erwartet, dass das Segment der digitalen Schaltungen im Prognosezeitraum den größten Marktanteil erzielen wird, was durch die zunehmende Verwendung digitaler Schaltungen in der Unterhaltungselektronikbranche begünstigt wird. Die steigende Nachfrage nach Smartphones sowie die zunehmende Verbreitung von Laptops und anderen elektronischen Geräten dürften das Wachstum dieses Marktsegments weiter ankurbeln. Schätzungen zufolge wurde der Wert der indischen Haushaltsgeräte- und Unterhaltungselektronikindustrie im Jahr 2021 auf rund 9 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis Ende 2025 auf über 19 Milliarden US-Dollar ansteigen. Dieser Faktor dürfte das Wachstum des Segments im Prognosezeitraum zusätzlich beflügeln. Steigende verfügbare Einkommen werden voraussichtlich auch die Zahl der Internetnutzer weltweit erhöhen.

Endnutzersegmentanalyse

Der globale Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFETs) wird hinsichtlich Angebot und Nachfrage nach Endnutzern in die Segmente Unterhaltungselektronik, Industrie, Luft- und Raumfahrt/Verteidigung sowie Sonstige unterteilt und analysiert. Dem Segment Unterhaltungselektronik wird ein signifikanter Marktanteil zugeschrieben. Das Wachstum dieses Marktsegments ist auf die zunehmende Nutzung von Unterhaltungselektronik wie Fernsehern, Tablets, Mobiltelefonen, Computern, Laptops und Klimaanlagen zurückzuführen. Der steigende Lebensstandard führt aufgrund der zunehmenden Internetverbreitung und des steigenden verfügbaren Einkommens zu einer Zunahme der Internetnutzer. Beobachtungen zufolge nutzten im Jahr 2021 weltweit über 5 Milliarden Menschen Fernsehen. Schätzungen zufolge werden im Jahr 2023 weltweit etwa 5 Milliarden Menschen das Internet nutzen. Darüber hinaus dürften die fortschreitende Digitalisierung und die rasante Urbanisierung das Marktwachstum weiter ankurbeln.

Unsere detaillierte Analyse des globalen Marktes umfasst die folgenden Segmente:

Nach Typ

  • Seitlicher Tunnelbau
  • Vertikaler Tunnelbau

Durch Bewerbung

  • Analoge Schalter
  • Verstärker
  • Phasenverschiebungsoszillatoren
  • Strombegrenzer
  • Digitale Schaltungen
  • Andere

Vom Endbenutzer

  • Unterhaltungselektronik
  • Industrieelektronik
  • Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung
  • Andere
Vishnu Nair
Vishnu Nair
Leiter - Globale Geschäftsentwicklung

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Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET) – Regionale Analyse

Einblicke in den nordamerikanischen Markt

Es wird erwartet, dass die nordamerikanische Industrie bis 2035 den größten Umsatzanteil erzielen wird. Das Marktwachstum ist maßgeblich auf die steigende Nachfrage und Verbreitung von Smartphones der nächsten Generation in der Region zurückzuführen. Schätzungen zufolge besitzen in den USA über 75 % der Bevölkerung ein Smartphone – das entspricht etwa 265 Millionen Geräten. Darüber hinaus tragen technologische Fortschritte wie die Integration von TFETs in die CMOS-Technologie (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) zur Verbesserung energieeffizienter integrierter Schaltungen bei. Diese Faktoren werden das Marktwachstum in der Region im Prognosezeitraum voraussichtlich weiter ankurbeln.

Einblicke in den europäischen Markt

Darüber hinaus wird für den europäischen Markt im Prognosezeitraum ein signifikantes Wachstum erwartet, bedingt durch die steigende Nachfrage nach drahtlosen Verbindungssystemen der nächsten Generation. Technologische Fortschritte der letzten Jahre haben Europa zu einer führenden Region im Bereich der 5G-Technologie gemacht und damit die nächste Generation drahtloser Konnektivität ermöglicht. Zudem dürften Schlüsselfaktoren wie die zunehmende Digitalisierung, steigende Investitionen in fortschrittliche Technologien und die digitale Transformation mobiler Geräte das Wachstum des Marktes für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET) in den kommenden Jahren weiter ankurbeln.

Tunnel Field-Effect Transistor (TFET) Market Share
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Marktteilnehmer im Bereich Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET):

    • STMicroelectronics International NV
      • Unternehmensübersicht
      • Geschäftsstrategie
      • Wichtigste Produktangebote
      • Finanzielle Leistung
      • Wichtigste Leistungsindikatoren
      • Risikoanalyse
      • Aktuelle Entwicklung
      • Regionale Präsenz
      • SWOT-Analyse
    • Infineon Technologies AG
    • Texas Instruments Incorporated
    • Advanced Linear Devices Inc.
    • Fairchild Semiconductor International Inc. (Semiconductor Components Industries, LLC)
    • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company
    • Avago Technologies Limited (Broadcom, Inc.)
    • Qorvo Inc.
    • Toshiba Corporation
    • Alsephina Innovations, Inc. (Wi-LAN Inc.)

Neueste Entwicklungen

  • Alsephina Innovations, Inc., eine hundertprozentige Tochtergesellschaft von Wi-LAN Inc., gab bekannt, dass sie rund 1.000 Halbleiterpatente von einem führenden Halbleiterhersteller erworben hat.

  • Texas Instruments Incorporated (TI), ein Marktführer in der Entwicklung, Herstellung und dem Vertrieb von analogen und eingebetteten Halbleitern, gab heute den Bau einer neuen Produktionsanlage für 300-mm-Halbleiterwafer in Sherman, Texas, bekannt. Diese Entscheidung ist Teil einer Strategie zur Stärkung der Fertigungs- und Technologiekompetenz und zur Deckung des zukünftigen Kundenbedarfs.

  • Report ID: 4207
  • Published Date: Nov 21, 2025
  • Report Format: PDF, PPT
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Im Jahr 2026 wird der Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren auf 1,52 Milliarden US-Dollar geschätzt.

Der globale Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren hatte im Jahr 2025 einen Wert von rund 1,39 Milliarden US-Dollar und soll mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von mehr als 10,7 % wachsen und bis 2035 einen Umsatz von 3,84 Milliarden US-Dollar erreichen.

Bis 2035 wird Nordamerika voraussichtlich den größten Umsatzanteil am Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET) halten. Dies wird durch die zunehmende Verbreitung von Smartphones der nächsten Generation begünstigt, die durch den steigenden Smartphone-Besitz in der Region vorangetrieben wird.

Zu den wichtigsten Akteuren auf dem Markt gehören STMicroelectronics International N.V., Infineon Technologies AG, Texas Instruments Incorporated, Advanced Linear Devices Inc., Fairchild Semiconductor International Inc. (Semiconductor Components Industries, L.L.C.), Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Avago Technologies Limited (Broadcom, Inc.), Qorvo Inc., Toshiba Corporation, Alsephina Innovations, Inc. (Wi-LAN Inc.).

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Akshay Pardeshi
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