Marktgröße und Marktanteil von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, nach Spannung (Niederspannung, Mittelspannung, Hochspannung); Anwendung – Globale Angebots- und Nachfrageanalyse, Wachstumsprognosen, Statistischer Bericht 2025–2037

  • Berichts-ID: 7485
  • Veröffentlichungsdatum: May 02, 2025
  • Berichtsformat: PDF, PPT

Globale Marktgröße, Prognose und Trendhighlights für 2025–2037

Die Größe des Insulated-Gate-Bipolartransistoren-Marktes wurde im Jahr 2024 auf 3,6 Milliarden US-Dollar geschätzt und dürfte im Jahr 2037 einen Wert von 12,4 Milliarden US-Dollar erreichen, wobei er im Prognosezeitraum, d. h. 2025–2037, mit einer jährlichen Wachstumsrate von 10 % wächst. Im Jahr 2025 wird die Branchengröße von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate auf 3,9 Milliarden US-Dollar geschätzt.

Die kontinuierlichen Innovationen in der Industrie 4.0 und der Fabrikautomatisierung haben die Integration von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) in Anwendungen beschleunigt, darunter Robotik, Motorantriebe und industrielle Stromversorgungen. Um den Anforderungen automatisierter Systeme gerecht zu werden, entwickeln Unternehmen IGBTs für ein effizientes Energiemanagement und eine präzise Steuerung mit verbesserter Systemleistung und niedrigen Betriebskosten. Beispielsweise brachte onsemi im Februar 2024 seine 7. Generation IGBT-basierter intelligenter Leistungsmodule auf den Markt, um den Energieverbrauch in Heiz- und Kühlsystemen zu reduzieren, wobei der Schwerpunkt der Branche auf der Energieeffizienz ihrer Anwendungen liegt.

Die Effizienz der Stromübertragung und -verteilung in intelligenten Netzen hängt maßgeblich von IGBTs ab, da diese den Betrieb leistungselektronischer Geräte verbessern können. Verschiedene Organisationen erweitern ihre Produktlinien gezielt, um eine höhere Energieeffizienz in industriellen Automatisierungssystemen zu erreichen. Beispielsweise übernahm ABB im Mai 2023 Siemens. Das Geschäft mit Niederspannungs-NEMA-Motoren stärkt seine Position als führender Hersteller industrieller NEMA-Motoren und erweitert seine Fähigkeit, Effizienzlösungen für industrielle Automatisierungssysteme bereitzustellen.


Insulated Gate Bipolar Transistors Market overview
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Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate: Wachstumstreiber und Herausforderungen

Wachstumstreiber

  • Ausbau von Hochgeschwindigkeitsbahnnetzen: Der Ausbau von Hochgeschwindigkeitsbahnen erfordert aufgrund ihrer entscheidenden Rolle als Traktionswechselrichter für die Eisenbahnelektrifizierung isolierte Gate-Bipolartransistoren. Länder wie Indien, China und Japan investieren zunehmend in Hochgeschwindigkeitsbahnprojekte, um den CO2-Ausstoß zu reduzieren und die Transporteffizienz zu steigern. Im Mai 2023 sicherte sich das Hitachi Toshiba Supreme Consortium einen Auftrag über 1,13 Milliarden US-Dollar von der Taiwan High Speed ​​Rail Corporation zur Lieferung von 12 Hochgeschwindigkeitszügen der nächsten Generation. Die Züge sind mit der Implementierung der fortschrittlichen N700S-Serie für den Betrieb mit Geschwindigkeiten von bis zu 300 km/h konzipiert und nutzen energieeffiziente Traktionssysteme, einschließlich Siliziumkarbid-Geräten.

    Regierungen und Bahnbetreiber legen aufgrund des Trends zur Bahnelektrifizierung Wert auf einen nachhaltigen Transport, was zu einem steigenden Bedarf an leistungsstarken IGBT-Modulen führt, die in der Lage sind, hohe Leistungsniveaus aufrechtzuerhalten und eine zuverlässige energieeffiziente Leistung zu erbringen. Diese Geräte verbessern die Effizienz der gesamten Stromumwandlung, die Langlebigkeit von Schienensystemen und minimieren Energieverluste.
     
  • Fortschritte in der IGBT-Technologie: Die rasanten Fortschritte in der IGBT-Technologie und Innovationen bei Trench-Gate- und Siliziumkarbid (SiC)-basierten IGBTs ermöglichen eine verbesserte Effizienzleistung und minimierte Schaltverluste bei gleichzeitiger Verbesserung der thermischen Fähigkeiten. Diese Fortschritte sind für Hochleistungsanwendungen, einschließlich Industrieanlagen und Elektrofahrzeuge, von Bedeutung. Mehrere Unternehmen nutzen diese Innovationen, indem sie neue Geräte für Elektrofahrzeuge einführen. Beispielsweise stellte ROHM Semiconductor im November 2024 neue 1200-V-IGBTs für die Automobilindustrie vor, die branchenführende verlustarme Eigenschaften und eine hohe Kurzschlusstoleranz bieten und sich daher ideal für elektrische Fahrzeugkompressoren und industrielle Wechselrichter eignen.

Herausforderungen

  • Lange Entwicklungs- und Testzyklen: Die Entwicklung von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate erfordert strenge Design-, Test- und Zertifizierungsprozesse, um eine hohe Zuverlässigkeit und Leistung in kritischen Anwendungen wie industrieller Automatisierung, Elektrofahrzeugen und Stromnetzen sicherzustellen. Umfangreiche Tests zur thermischen Stabilität, Schalteffizienz und Haltbarkeit verursachen einen erheblichen Zeit- und Kostenaufwand für die Produktentwicklung. Die Einhaltung globaler Sicherheits- und Effizienzstandards verzögert die Kommerzialisierung zusätzlich. Diese verlängerten Zyklen können die Einführung von IGBTs der nächsten Generation verlangsamen und sich auf Innovation und Akzeptanz in sich schnell entwickelnden Märkten für Leistungselektronik auswirken.
     
  • Rückläufige Nachfrage bei Anwendungen mit geringem Stromverbrauch: Galliumnitrid (GaN)-basierte Transistoren erfreuen sich bei Anwendungen mit geringem Stromverbrauch zunehmender Beliebtheit, wodurch das Wachstum des IGBT-Marktes begrenzt wird. Darüber hinaus werden Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aufgrund ihrer Kosteneffizienz und ihres hervorragenden Frequenzgangs bevorzugt für Niederspannungsbetriebe eingesetzt. Da sich die Industrie auf diese Alternativen verlagert, sehen sich IGBTs mit einer geringeren Marktrelevanz in Anwendungen konfrontiert, die kompakte, hocheffiziente Stromversorgungslösungen erfordern.

Basisjahr

2024

Prognosejahr

2025-2037

CAGR

10 %

Marktgröße im Basisjahr (2024)

3,6 Milliarden US-Dollar

Prognosejahr der Marktgröße (2037)

12,4 Milliarden US-Dollar

Regionaler Geltungsbereich

  • Nordamerika (USA und Kanada)
  • Asien-Pazifik (Japan, China, Indien, Indonesien, Malaysia, Australien, Südkorea, übriger Asien-Pazifik-Raum)
  • Europa (Großbritannien, Deutschland, Frankreich, Italien, Spanien, Russland, NORDIC, übriges Europa)
  • Lateinamerika (Mexiko, Argentinien, Brasilien, übriges Lateinamerika)
  • Naher Osten und Afrika (Israel, GCC-Nordafrika, Südafrika, Rest des Nahen Ostens und Afrika)

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Segmentierung von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate

Spannung (Niederspannung, Mittelspannung, Hochspannung)

Das Hochspannungssegment wird bis 2037 voraussichtlich rund 56,4 % des Marktanteils von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) ausmachen, was auf den zunehmenden Einsatz von Hochspannungs-Gleichstromübertragungssystemen für eine effiziente Stromübertragung über große Entfernungen, insbesondere für die Integration erneuerbarer Energiequellen in das Netz, zurückzuführen ist. Die Nachfrage nach Hochspannungs-IGBTs steigt aufgrund ihrer Fähigkeit, die Effizienz und Zuverlässigkeit von HGÜ-Wandlern zu steigern und so die Netzstabilität und Energieverteilung zu verbessern. Verschiedene Unternehmen führen neue Hochspannungs-IGBT-Geräte ein, um die Zuverlässigkeit zu verbessern und Leistungsverluste zu reduzieren und so den wachsenden Anforderungen von Hochspannungsanwendungen gerecht zu werden. Beispielsweise kündigte Mitsubishi Electric im Dezember 2024 die Lieferung von Mustern für seine neuen Hochspannungs-Bipolartransistormodule mit isoliertem Gate der S1-Serie mit einer Nennspannung von 1,7 kV an, die auf Anwendungen in großen Industrieanlagen und Eisenbahnwaggons abzielen.

Anwendung (Verbraucher, Elektronikindustrie, industrielle Fertigung, Automobil, Wechselrichter/USV, Eisenbahn, erneuerbare Energien)

Das Segment der industriellen Fertigung im Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) dürfte aufgrund der schnellen Fortschritte bei Halbleitertechnologien zur Verbesserung der Produktionseffizienz und Geräteleistung einen erheblichen Anteil ausmachen. Ein solches Beispiel ist der erste 300-mm-Wafer von Hitachi Energy für IGBT-Leistungshalbleiterbauelemente, der im März 2024 auf den Markt kam und eine 2,4-fache Steigerung der funktionalen integrierten Schaltkreise pro Wafer im Vergleich zu herkömmlichen 200-mm-Wafern bietet. Diese Entwicklung ermöglicht komplexere Strukturen in 1200-V-IGBTs, was zu einer energieeffizienten Stromumwandlung und geringeren Betriebsverlusten führt. Solche Innovationen sind von entscheidender Bedeutung für industrielle Anwendungen, die leistungsstarke Leistungselektronik erfordern.

Der zunehmende Einsatz von Fabrikautomation und Robotik in der Fertigung steigert die Nachfrage nach Hochspannungs-IGBT-Modulen. Moderne Industrieroboter und automatisierte Montagelinien erfordern zuverlässige, energieeffiziente Leistungselektronik, um die Leistung zu optimieren und den Energieverbrauch zu minimieren. IGBTs spielen eine entscheidende Rolle in Motorantrieben, Schweißgeräten und industriellen Stromversorgungen, da sie effiziente Schaltfunktionen und eine hohe thermische Stabilität bieten.

Unsere eingehende Analyse des globalen IGBT-Marktes umfasst die folgenden Segmente:

Spannung

  • Niederspannung
  • Mittelspannung
  • Hochspannung

Anwendung

  • Verbraucher
  • Elektronikindustrie
  • Fertigung
  • Automobil (EV/HEV)
  • Wechselrichter/USV
  • Eisenbahnen
  • Erneuerbare Energien

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Branche für isolierte Gate-Bipolartransistoren – regionaler Geltungsbereich

Marktanalyse im asiatisch-pazifischen Raum

Der Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate im asiatisch-pazifischen Raum wird bis Ende 2037 voraussichtlich einen Umsatzanteil von mehr als 45,6 % haben, was auf den raschen Ausbau der Infrastruktur für erneuerbare Energien, insbesondere bei der Solar- und Windenergieerzeugung, zurückzuführen ist. Länder wie Indien und China investieren mehr in große Energieprojekte und steigern so die Nachfrage nach effizienten Stromumwandlungslösungen. Die zunehmende Einführung der Automatisierung in allen Branchen, einschließlich Fertigung, Transport und Smart Grids, steigert die Nachfrage nach IGBTs in Hochleistungsanwendungen. Die zunehmende Verbreitung von Elektrolokomotiven, Hochgeschwindigkeitszügen und industriellen Motorantrieben erfordert fortschrittliche Leistungselektronik für ein effizientes Energiemanagement. Darüber hinaus treibt der Übergang zu Elektrofahrzeugen und Hybridtransportlösungen die Nachfrage nach Hochleistungs-IGBT-Modulen weiter voran und unterstützt den Übergang der Region hin zu Elektrifizierung und energieeffizienten Technologien.

Der China-Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate erlebt ein starkes Wachstum, da das Land über inländische Halbleiterfertigungskapazitäten verfügt, um die Abhängigkeit von ausländischen Lieferanten zu verringern. Von der Regierung unterstützte Initiativen sowie Investitionen in die Herstellung von Leistungshalbleitern beschleunigen die Entwicklung und Produktion von IGBT-Modulen. Lokale Hersteller erweitern ihre Produktionskapazitäten und entwickeln Technologien voran, um der steigenden Nachfrage aus Branchen wie Elektrofahrzeugen, industrieller Automatisierung und Energieinfrastruktur gerecht zu werden. Diese Autarkie-Strategie fördert einen robusten IGBT-Markt mit Schwerpunkt auf Innovation und Kosteneffizienz.

Der Markt für bipolare Transistoren mit isoliertem Gate in Indien wächst rasant, was auf die zunehmende Konzentration des Landes auf die Eigenständigkeit von Halbleitern zurückzuführen ist. Das Production Linked Incentive-Programm der Regierung und Partnerschaften mit globalen Halbleiterunternehmen fördern die inländische Produktion von Leistungselektronikkomponenten, einschließlich IGBTs. Mit der Initiative „Make in India“ werden neue Fertigungseinheiten und Designzentren eingerichtet, um der steigenden Nachfrage aus den Bereichen Industrieautomation, Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energien gerecht zu werden. Diese Lokalisierungsbemühungen verringern die Abhängigkeit von Importen und stärken Indiens Position in der globalen Halbleiterlieferkette.

Indiens U-Bahn-Ausbau steigert die Nachfrage nach IGBTs, die in Traktionswechselrichtern für Elektrozüge verwendet werden, erheblich. Laut einem Bericht des Press Information Bureau erstreckte sich das indische U-Bahn-Netz im Januar 2025 auf über 1.000 km in 11 Bundesstaaten und 23 Städten und ist damit das drittgrößte der Welt. Millionen Menschen verlassen sich für schnelles und effizientes Reisen auf U-Bahn-Systeme, was den wachsenden Bedarf an fortschrittlicher Leistungselektronik wie IGBTs zur Verbesserung der Energieeffizienz und Betriebszuverlässigkeit verdeutlicht. Der Einsatz von Hochleistungs-IGBTs nimmt kontinuierlich zu und die Regierung investiert zunehmend in die städtische Mobilität.

Nordamerikanischer Markt

Es wird erwartet, dass der Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate in Nordamerika ein schnelles Wachstum verzeichnen wird, was auf den raschen Ausbau der Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge zurückzuführen ist. Regierungsinitiativen und Investitionen des Privatsektors beschleunigen den Einsatz von Schnellladestationen, bei denen IGBTs eine entscheidende Rolle bei der Steuerung der Hochspannungsumwandlung spielen. Mit der Verlagerung der Automobilhersteller auf die Produktion von Elektrofahrzeugen steigt der Bedarf an fortschrittlichen Leistungshalbleiterlösungen zur Verbesserung der Ladeeffizienz und zur Reduzierung von Energieverlusten, was IGBTs zu einem wichtigen Wegbereiter für die Elektrifizierungsziele der Region macht.

Der US-amerikanische Markt für bipolare Transistoren mit isoliertem Gate verzeichnet aufgrund des zunehmenden Ausbaus von Rechenzentren und Hochleistungsrechnerinfrastruktur ein stetiges Wachstum. Da Hyperscale-Rechenzentren Hochleistungsumwandlungssysteme benötigen, um Energieeffizienz und Zuverlässigkeit aufrechtzuerhalten, werden IGBTs in unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen, Wechselrichtern und Spannungsregelungsanwendungen eingesetzt. Da Cloud-Dienstanbieter und KI-gestütztes Computing wachsen, nimmt die Akzeptanz von Hochleistungs-IGBTs in der Leistungselektronik von Rechenzentren zu.

Der Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate in Kanada schreitet moderat voran, was auf die zunehmende Nutzung erneuerbarer Energien zurückzuführen ist, die zu steigenden Investitionen in Batteriespeichersysteme führt. Angesichts der zunehmenden Abhängigkeit von Solar- und Windenergie spielt BESS eine entscheidende Rolle beim Ausgleich von Schwankungen in der Stromversorgung und der Gewährleistung der Netzstabilität. IGBTs sind in Energiespeicher-Wechselrichtern unverzichtbar, da sie Strom effizient zwischen Batterien und dem Netz umwandeln und verwalten. Da das Land seine Initiativen für saubere Energie ausweitet, steigt die Nachfrage nach hocheffizienten IGBT-basierten Stromumwandlungslösungen, um die Energiespeicherleistung zu optimieren, Verluste zu reduzieren und die Systemzuverlässigkeit zu verbessern.

Der lokale Schifffahrtssektor wird derzeit elektrifiziert. Von der Regierung unterstützte Initiativen fördern Hybrid- und vollelektrische Fähren, um die Emissionen zu reduzieren. IGBT-basierte Antriebssysteme ermöglichen eine präzise Motorsteuerung, verbessern die Energieeffizienz und verlängern die Batterielebensdauer in Elektroschiffen. Häfen und Küstenregionen setzen zunehmend auf Land-zu-Schiff-Stromversorgungssysteme, bei denen IGBTs eine nahtlose Stromumwandlung ermöglichen. Während Kanada sein Engagement für die Dekarbonisierung des Seetransports verstärkt, wird die IGBT-Technologie für Schiffbauer und Flottenbetreiber unverzichtbar und unterstützt den Übergang zu einem nachhaltigen, energieeffizienten Schiffsbetrieb.

Insulated Gate Bipolar Transistors Market trend
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Unternehmen, die den Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate dominieren

    Der Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate ist durch einen intensiven Wettbewerb zwischen globalen Halbleiterherstellern gekennzeichnet, die nach technologischer Überlegenheit streben. Infineon Technologies, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, ON Semiconductor und STMicroelectronics sind wichtige Akteure, die fortschrittliche Forschung und Entwicklung sowie Großserienproduktion nutzen, um ihre Marktpositionen zu behaupten. Unterdessen expandieren chinesische Firmen wie CRRC Times Electric und BYD Semiconductor aggressiv, um etablierten Marken Konkurrenz zu machen. Unternehmen konzentrieren sich auf Hochspannungs-IGBTs für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und Industrieautomation, wobei strategische Initiativen wie Partnerschaften, Übernahmen und Produktinnovationen eine entscheidende Rolle bei der Steigerung des Marktanteils und der Deckung der wachsenden globalen Nachfrage spielen. Hier sind einige wichtige Akteure, die auf dem globalen Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) tätig sind:

    • Infineon Technologies AG
      • Unternehmensübersicht
      • Geschäftsstrategie
      • Wichtige Technologieangebote
      • Finanzielle Leistung
      • Wichtige Leistungsindikatoren
      • Risikoanalyse
      • Neueste Entwicklung
      • Regionale Präsenz
      • SWOT-Analyse 
    • ON Semiconductor
    • ABB Ltd
    • STMicroelectronics
    • Semikron International GmbH
    • Texas Instruments Incorporated
    • Vishay Intertechnology, Inc.
    • Fairchild Semiconductor
    • IXYS Corporation

In the News

  • Im Juli 2024 schloss Magnachip Semiconductor Corporation die Entwicklung seines neuen 1200-V-75-A-IGBT in einem TO-247PLUS-Gehäuse ab, das für Solarwechselrichter konzipiert ist. Die Massenproduktion ist für Oktober 2024 geplant. Diese neueste Ergänzung baut auf den früheren IGBT-Angeboten von Magnachip auf, einschließlich des 1200-V-40-A-Modells, das im Jahr eingeführt wurde 2020 und die 650 V 75 A-Version, die 2022 eingeführt wurde.
  • Im Oktober 2023 gingen Hyundai und Kia eine strategische Partnerschaft mit der Infineon Technologies AG ein, um eine stabile Versorgung mit Leistungshalbleitern, einschließlich Dioden, IGBTs und Siliziumkarbid-Leistungsmodulen (SiC), sicherzustellen. Ziel dieser Zusammenarbeit ist es, die wachsende weltweite Nachfrage nach Elektrofahrzeugen zu unterstützen und die Leistung ihrer elektrifizierten Modelle bis 2030 zu verbessern.

Autorenangaben:   Radhika Pawar


  • Report ID: 7485
  • Published Date: May 02, 2025
  • Report Format: PDF, PPT

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Die Marktgröße für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate betrug im Jahr 2024 3,6 Milliarden US-Dollar.

Die weltweite Marktgröße für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate wurde im Jahr 2024 auf 3,6 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis Ende 2037 12,4 Milliarden US-Dollar erreichen, was einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum von 10 % im Prognosezeitraum, d. h. 2025–2037, entspricht.

ON Semiconductor, ABB Ltd, STMicroelectronics und Semikron International GmbH sind einige wichtige Akteure auf dem globalen Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate.

Aufgrund des zunehmenden Einsatzes von Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragungssystemen wird erwartet, dass das Hochspannungssegment im Prognosezeitraum mit 56,4 % den größten Umsatzanteil ausmachen wird.

Es wird erwartet, dass der asiatisch-pazifische Raum in den kommenden Jahren lukrative Möglichkeiten eröffnen wird.
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