Marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) : taille et part de marché – Analyse de la croissance et prévisions 2026-2035

Taille du marché par type (composants discrets SiC, modules de puissance SiC, substrats et plaquettes SiC), taille des plaquettes, application et technologie : analyse de l’offre et de la demande mondiales, prévisions de croissance et rapport statistique. Les prévisions de marché sont exprimées en chiffre d’affaires (millions/milliards de dollars américains).

  • ID du Rapport: 8610
  • Date de Publication: Jun 10, 2026
  • Format du Rapport: PDF, PPT

Perspectives du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) :

Le marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) était évalué à 939,8 millions de dollars en 2025 et devrait dépasser 4,40 milliards de dollars d'ici fin 2035, avec un taux de croissance annuel composé (TCAC) supérieur à 16,7 % sur la période 2026-2035. En 2026, la taille de ce marché était estimée à 1,09 milliard de dollars.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductor Market Size
Découvrez les tendances du marché et les opportunités de croissance:

La dynamique de croissance du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium est profondément remodelée par la transition des industries vers des solutions électroniques haute performance et haute température. La demande est principalement tirée par l'essor rapide des véhicules électriques, des systèmes d'énergies renouvelables et de l'électronique de puissance industrielle avancée, domaines dans lesquels les dispositifs SiC offrent des performances supérieures aux semi-conducteurs traditionnels à base de silicium. Selon un article de l'Agence internationale de l'énergie, les ventes mondiales de voitures électriques ont dépassé les 17 millions d'unités en 2024, représentant plus de 20 % des ventes de voitures neuves dans le monde. La Chine a mené cette croissance avec 11 millions d'unités, soit près des deux tiers des ventes mondiales de véhicules électriques. Le parc automobile mondial de véhicules électriques a atteint 58 millions de voitures, permettant d'économiser plus d'un million de barils de pétrole par jour. En Chine, la part de marché des véhicules électriques a atteint 50 %. En Europe, la croissance a stagné à 20 % de part de marché, tandis qu'au Royaume-Uni, elle a atteint 30 % et que la Norvège s'est rapprochée de l'électrification complète avec 88 % de ventes de véhicules électriques à batterie (VEB). Aux États-Unis, les ventes ont atteint 1,6 million d'unités, dépassant ainsi les 10 % de parts de marché et contribuant à une expansion plus large du marché.

Par ailleurs, le marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) bénéficie de l'intégration de composants SiC dans les groupes motopropulseurs et les infrastructures de recharge par les constructeurs automobiles, afin d'améliorer l'efficacité énergétique et de réduire les pertes du système. Le secteur des énergies renouvelables, quant à lui, les adopte dans les onduleurs pour les applications solaires et éoliennes. Dans le même temps, les progrès réalisés en matière de fabrication de semi-conducteurs et l'augmentation des investissements dans les technologies à large bande interdite renforcent les capacités de production et accélèrent la commercialisation. En octobre 2024, le département du Commerce américain a révélé que l'administration Biden-Harris avait annoncé un accord préliminaire avec Wolfspeed pour un financement pouvant atteindre 750 millions de dollars au titre de la loi CHIPS. Ce financement permettrait de construire en Caroline du Nord le plus grand écosystème mondial de production de plaquettes de carbure de silicium de 200 mm et d'agrandir son usine de New York. Ensemble, ces projets devraient catalyser au moins 750 millions de dollars d'investissements privés et multiplier par cinq la production de dispositifs SiC, contribuant ainsi positivement à l'expansion du marché.

Principaux développements gouvernementaux et industriels qui accélèrent la croissance du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) : 2024 à 2026

Année

Organisation

Initiative

Investissement/Financement

Opportunités du marché des semi-conducteurs SiC

2026

Association de l'industrie des semi-conducteurs (SIA)

projets d'expansion des semi-conducteurs aux États-Unis

645,3 milliards de dollars US+

Capacité accrue de production et de chaîne d'approvisionnement en SiC

2026

Systèmes Amtech

Extension des substrats et des emballages de plaquettes

60 millions de dollars américains

Écosystème amélioré de traitement et d'encapsulation des plaquettes de SiC

2024

États-Unis et Union européenne

Mise en œuvre de la loi sur les puces

programmes de financement public

Augmentation des investissements en R&D et en fabrication de SiC

Source : Communiqués de presse officiels

Clé Semiconducteur en carbure de silicium (SiC) Résumé des informations sur le marché:

  • Points saillants régionaux :

    • L'Amérique du Nord devrait représenter 37,3 % des revenus d'ici 2035, grâce à des investissements substantiels dans l'électronique de puissance avancée pour les véhicules électriques, les systèmes d'énergies renouvelables et l'automatisation industrielle.
    • La région Asie-Pacifique devrait occuper une place de choix sur le marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) entre 2026 et 2035, grâce à l'expansion rapide des pôles de production automobile et au déploiement à grande échelle des véhicules électriques et des réseaux de recharge ultra-rapide.
  • Analyse du segment :

    • Le segment des modules de puissance SiC du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) devrait représenter 37,6 % des revenus d'ici 2035, une croissance accélérée par la transition croissante vers l'intégration au niveau système et la préférence pour les modules de puissance pré-assemblés qui simplifient la complexité de conception et accélèrent la mise sur le marché.
    • D’ici 2035, le segment des plaquettes de 6 pouces devrait atteindre une part de revenus significative, grâce à sa maturité en matière de fabrication, à sa rentabilité et à une chaîne d’approvisionnement bien établie pour la production en grande série.
  • Principales tendances de croissance :

    • Réseaux électriques de nouvelle génération et énergie verte
    • Modernisation industrielle et aérospatiale
  • Principaux défis :

    • Défauts de matériaux et difficultés de rendement dans la production de plaquettes
    • Concurrence des semi-conducteurs de pointe et des matériaux alternatifs à large bande interdite
  • Acteurs clés : Wolfspeed, Inc., Infineon Technologies AG, onsemi, STMicroelectronics NV, ROHM Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Fuji Electric Co., Ltd., Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, Microchip Technology Incorporated, Renesas Electronics Corporation, Semikron Danfoss, GeneSiC Semiconductor Inc., Coherent Corp., SK Siltron Co., Ltd., Soitec SA, GlobalWafers Co., Ltd., Bosch GmbH, Navitas Semiconductor Corporation, Nexperia BV, Hitachi Energy Ltd.

Mondial Semiconducteur en carbure de silicium (SiC) Marché Prévisions et perspectives régionales:

    • Taille du marché et projections de croissance :

      • Taille du marché en 2025 : 939,8 millions de dollars américains
      • Taille du marché en 2026 : 1,09 milliard de dollars américains
      • Taille du marché prévue : 4,40 milliards de dollars américains d’ici 2035
      • Prévisions de croissance : TCAC de 16,7 % (2026-2035)
  • Dynamiques régionales clés :

    • Principale région : Amérique du Nord (part de marché de 37,3 % d’ici 2035)
    • Région à la croissance la plus rapide : Asie-Pacifique
    • Pays dominants : États-Unis, Chine, Japon, Allemagne, Corée du Sud
    • Pays émergents : Inde, Taïwan, Singapour, Italie, Vietnam
  • Last updated on : 10 June, 2026

Facteurs de croissance

  • Réseaux électriques de nouvelle génération et énergies vertes : les modules de puissance en carbure de silicium (SiC) minimisent efficacement les pertes de conversion d’énergie, notamment pour les onduleurs solaires de grande puissance et les turbines à grande capacité. De plus, la gestion améliorée de la haute tension accroît la fiabilité des transformateurs statiques utilisés dans les réseaux électriques modernes, créant ainsi un environnement commercial profitable pour les pionniers du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC). Dans ce contexte, un article publié en décembre 2025 par le World Resources Institute a révélé qu’en 2024, les énergies propres représentaient plus de 90 % des nouvelles capacités de production d’électricité mondiales. Les investissements énergétiques mondiaux ont dépassé la somme considérable de 3 300 milliards de dollars en 2025, dont près de 2 200 milliards de dollars consacrés aux énergies propres. Toutefois, les marchés émergents n’ont reçu que 15 % de ces dépenses, malgré leur vaste potentiel en énergies renouvelables. Le nombre d’emplois dans les énergies propres a atteint 35 millions en 2023, dépassant ainsi celui des énergies fossiles, et devrait augmenter de 10 millions d’ici 2030, grâce aux véhicules électriques, aux batteries, à l’énergie solaire et aux réseaux électriques.
  • Modernisation industrielle et aérospatiale : La large bande interdite des puces SiC leur permet de fonctionner parfaitement dans les entraînements de moteurs industriels à haute température. Par ailleurs, leur forte densité de puissance réduit considérablement le poids utile des unités de distribution d'énergie embarquées à bord des aéronefs, favorisant ainsi l'essor du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium. Ces semi-conducteurs SiC sont utilisés dans les systèmes aérospatiaux et de défense car ils peuvent fonctionner dans des conditions de température et de pression extrêmes. En novembre 2024, le centre de recherche Glenn de la NASA a présenté des circuits intégrés spécifiques (ASIC) JFET-R en SiC, capables de fonctionner dans des environnements extrêmes, notamment à 500 °C pendant plus d'un an, dans des conditions similaires à celles de Vénus (460 °C et 9,3 MPa) et sous une exposition aux radiations allant jusqu'à 7 Mrad TID. Ces circuits fonctionnent dans une plage de températures allant de -190 °C à +812 °C, démontrant une durabilité inégalée malgré une complexité moindre que celle des circuits intégrés en silicium. Par conséquent, la mise à l'échelle et le transfert de technologie permettent la production en série de circuits intégrés spécifiques en SiC et abaissent considérablement les barrières à leur déploiement dans l'aérospatiale et d'autres applications en environnements difficiles.

Exportations mondiales de carbure de silicium (SiC) par pays en 2024 - Valeur des échanges et volume des expéditions

Journaliste

Valeur de l'échange (1000 USD)

Quantité (kg)

Chine

317 482,63

345 806 000

Brésil

53 597,44

39 899 500

Allemagne

51 636,88

25 897 300

Pays-Bas

45 962,01

47 527 900

Japon

42 652,05

NOUS

28 613,56

Union européenne

24 219,31

9 547 300

Autres Asie, nes

23 316,43

Suède

20 170,17

9 025 060

Belgique

17 625,33

12 799 200

Roumanie

14 633,05

12 899 800

Afrique du Sud

9 361,53

12 250 800

Source : WITS

Défis

  • Défauts de matériaux et difficultés de rendement dans la production de plaquettes : La présence de défauts cristallins dans les plaquettes de SiC, tels que des micropipes, des dislocations et des défauts d'empilement, constitue un défi majeur pour le marché des semi-conducteurs en carbure de silicium. Ces défauts peuvent impacter considérablement la fiabilité, l'efficacité et les performances à long terme des dispositifs, notamment pour les applications haute tension. Bien que la qualité des plaquettes se soit améliorée ces dernières années, l'obtention de plaquettes de grand diamètre sans défaut reste un défi. Avec l'augmentation de la taille des plaquettes (de 4 à 8 pouces et plus), le maintien d'une intégrité cristalline uniforme devient encore plus complexe. Par ailleurs, la baisse des rendements se traduit directement par une augmentation des coûts de production et une réduction de la rentabilité pour les fabricants, tandis que des efforts continus de R&D sont nécessaires pour améliorer les techniques de croissance cristalline et la qualité globale des plaquettes.
  • Concurrence des semi-conducteurs à base de silicium avancé et d'autres matériaux à large bande interdite : Bien que le SiC présente plusieurs avantages avérés, il reste confronté à une forte concurrence de la part des technologies de silicium avancées et d'autres matériaux à large bande interdite tels que le nitrure de gallium. Les solutions à base de silicium offrent une meilleure efficacité et un meilleur rapport coût-efficacité pour les applications de moyenne puissance, ce qui peut limiter l'adoption du SiC dans certains segments. Parallèlement, le GaN gagne du terrain pour les applications haute fréquence et à commutation rapide, créant ainsi une concurrence accrue sur le marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC). Ceci oblige les fabricants de SiC à justifier leurs coûts élevés par des performances supérieures. Par conséquent, le positionnement sur le marché devient un enjeu particulièrement crucial dans les secteurs axés sur le consommateur, où la sensibilité au prix prime sur les gains d'efficacité, ce qui ralentit la diffusion des solutions SiC à plus grande échelle.

Taille et prévisions du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) :

Attribut du rapport Détails

Année de base

2025

Année prévisionnelle

2026-2035

TCAC

16.7%

Taille du marché de l'année de référence (2025)

939,8 millions de dollars américains

Taille du marché prévisionnelle pour l'année 2035

4,40 milliards de dollars américains

Portée régionale

  • Amérique du Nord (États-Unis et Canada)
  • Asie-Pacifique (Japon, Chine, Inde, Indonésie, Malaisie, Australie, Corée du Sud, Reste de l'Asie-Pacifique)
  • Europe (Royaume-Uni, Allemagne, France, Italie, Espagne, Russie, Pays nordiques, Reste de l'Europe)
  • Amérique latine (Mexique, Argentine, Brésil, Reste de l'Amérique latine)
  • Moyen-Orient et Afrique (Israël, CCG, Afrique du Nord, Afrique du Sud, Reste du Moyen-Orient et de l'Afrique)

Accédez à des prévisions détaillées et des analyses basées sur les données:

Segmentation du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) :

Analyse de segmentation par type

Dans le segment des types de composants, les modules de puissance en carbure de silicium (SiC) devraient représenter la plus grande part de revenus (37,6 %) du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) au cours de la période de prévision. Cette domination s'explique principalement par une évolution majeure vers l'intégration au niveau système plutôt que vers les composants discrets. Les équipementiers privilégient en effet les modules de puissance pré-assemblés afin de réduire la complexité de conception et d'accélérer la mise sur le marché. La demande est également stimulée par l'électrification rapide des véhicules commerciaux et des stations de recharge haute puissance, où les architectures modulaires améliorent l'évolutivité et la gestion thermique. En septembre 2024, Wolfspeed a lancé des modules en carbure de silicium 2300 V sans plaque de base, basés sur la technologie des plaquettes de 200 mm et conçus pour les applications de bus CC 1500 V dans les domaines des énergies renouvelables, du stockage et des infrastructures de recharge rapide. Développés en partenariat avec EPC Power, ces modules permettront d'améliorer les systèmes solaires et de stockage à grande échelle grâce à une conversion évolutive et performante.

Analyse du segment de taille des plaquettes

Dans le segment des plaquettes, les plaquettes de 6 pouces devraient représenter une part significative du chiffre d'affaires du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium d'ici fin 2035. L'équilibre établi entre maturité de fabrication, rentabilité et rendement de production est le principal facteur expliquant le leadership de ce sous-segment dans ce secteur. Elles bénéficient également d'une chaîne d'approvisionnement plus stable et qualifiée, ce qui en fait le choix privilégié pour la production en série destinée aux véhicules électriques, aux systèmes d'alimentation industriels et aux applications d'énergies renouvelables. En avril 2024, SiCrystal, filiale du groupe ROHM, et STMicroelectronics ont étendu leur accord d'approvisionnement à long terme pour des plaquettes de substrat SiC de 150 mm, d'une valeur minimale de 230 millions de dollars américains. La production a été réalisée à Nuremberg, en Allemagne. Cet accord renforce la chaîne d'approvisionnement de ST et soutient son développement dans la fabrication de dispositifs SiC pour les clients des secteurs automobile et industriel du monde entier, ce qui élargit son champ d'action.

Analyse du segment d'application

D'ici la fin de la période de prévision, le marché des semi-conducteurs SiC devrait connaître une croissance considérable dans le secteur automobile. Cette croissance est principalement alimentée par l'utilisation accrue de ces semi-conducteurs dans les onduleurs de traction, les chargeurs embarqués et les convertisseurs CC-CC, contribuant ainsi à améliorer l'autonomie et l'efficacité énergétique. Les constructeurs automobiles privilégient également les architectures haute tension (800 V et plus), qui tirent pleinement parti des performances de commutation et de la stabilité thermique supérieures du SiC. Par exemple, en décembre 2025, Wolfspeed a annoncé que ses MOSFET en carbure de silicium équiperaient les plateformes de véhicules électriques à batterie de Toyota, notamment les systèmes de chargeurs embarqués, afin d'améliorer l'efficacité, la fiabilité et les performances de charge. Cette technologie réduit considérablement les pertes d'énergie et permet une charge plus rapide. La technologie SiC de l'entreprise améliore l'autonomie et réduit les coûts totaux, s'inscrivant ainsi dans la stratégie d'électrification mondiale de Toyota.

Notre analyse approfondie du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium comprend les segments suivants :

Segment

Sous-segments

Taper

  • Dispositifs discrets en SiC
    • 2 pouces
    • 4 pouces
    • 6 pouces
    • 8 pouces
  • Modules de puissance SiC
  • Substrats et plaquettes de SiC
  • Autres

Taille de la plaquette

  • Plaquettes de 2 pouces
  • Plaquettes de 4 pouces
  • Plaquettes de 6 pouces
  • Plaquettes de 8 pouces

Application

  • Automobile
  • Électronique grand public
  • Industriel
  • Aérospatiale et défense
  • Télécommunications
  • Énergie et puissance
  • Autres

Technologie

  • Technologie SiC planaire
  • Technologie SiC de tranchée
Vishnu Nair

Vishnu Nair

Responsable du développement commercial mondial

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Marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) - Analyse régionale

Aperçu du marché nord-américain

Le marché nord-américain des semi-conducteurs en carbure de silicium devrait représenter la plus grande part de revenus, soit 37,3 %, au cours de la période considérée. Cette domination régionale s'explique principalement par d'importants investissements dans l'électronique de puissance avancée pour les véhicules électriques, les systèmes d'énergies renouvelables et l'automatisation industrielle. Par ailleurs, le développement rapide des infrastructures haute tension pour véhicules électriques, l'adoption croissante des dispositifs de puissance à base de SiC dans les centres de données et les activités de R&D soutenues par les initiatives gouvernementales contribuent également à la croissance régionale. Selon un article publié par le gouvernement américain en avril 2023, les semi-conducteurs sont considérés comme essentiels à la fois pour l'économie et la sécurité nationale, et alimentent des secteurs allant de l'IA et de la défense à l'automobile et aux communications. Les entreprises américaines dominent le marché mondial en termes de conception de puces (46 %), d'équipements de fabrication (42 %) et de logiciels de conception (72 %), avec environ 11 % de la fabrication de plaquettes et 5 % des capacités d'assemblage, de test et de conditionnement réalisées aux États-Unis.

Le dynamisme du marché américain des semi-conducteurs en carbure de silicium est amplifié par des initiatives de financement fédéral visant à garantir la souveraineté technologique nationale. Ces initiatives incitent à des investissements massifs dans l'expansion des usines de fabrication de plaquettes aux États-Unis et la mise en place de chaînes d'approvisionnement locales et sécurisées pour les matières premières. Le marché des semi-conducteurs SiC bénéficie d'une forte concentration d'acteurs des secteurs de l'aérospatiale, de la défense et des infrastructures de réseaux électriques à haute tension, qui dépendent des performances thermiques supérieures de ce matériau. Parallèlement, les opérateurs de centres de données hyperscale modernisent leurs architectures de distribution d'énergie afin de supporter des charges de calcul intensives. À titre d'exemple, Coherent Corp. a annoncé en avril 2026 des avancées dans l'épitaxie épaisse de carbure de silicium sur des plateformes de 150 mm et 200 mm, permettant la fabrication de dispositifs multikilovolts jusqu'à 10 kV pour les centres de données d'IA et les systèmes d'alimentation industriels. L'entreprise souligne également que ces innovations favorisent des architectures de conversion compactes et économes en énergie pour les énergies renouvelables, le ferroviaire, la recharge rapide et les infrastructures de réseaux électriques, répondant ainsi aux exigences de fiabilité des déploiements à grande échelle.

Projets d'investissement de l'industrie américaine des semi-conducteurs 2020-2026 : Installations de fabrication, d'emballage et de matériaux pour puces

Entreprise

État

Type de projet

Catégorie

Taille du projet

Absolus

Géorgie

Nouvelle installation

Matériels

343 millions de dollars américains

AGC Electronic America

OU

Expansion/Modernisation

Matériels

-

Air Liquide

AZ

Nouvelle installation

Matériels

60 millions de dollars américains

Air Liquide

IDENTIFIANT

Nouvelle installation

Matériels

250 millions de dollars américains

Air Liquide

NOUS

Nouvelle installation

Matériels

50 millions de dollars américains

Akash Systems

Californie

Nouvelle installation

semi-conducteurs

121 millions de dollars américains

AMD

New York

Nouvelle installation

Conception de puces

3,3 millions de dollars (sur 2 sites)

AMD

New York

Nouvelle installation

Conception de puces

3,3 millions de dollars (sur 2 sites)

Amkor

AZ

Nouvelle installation

Conditionnement

7 milliards de dollars américains

Amorphyx

OU

Expansion

semi-conducteurs

-

Source : SIA

Avec un accent renforcé sur l'intégration automobile de pointe, le déploiement des énergies vertes et la recherche technique approfondie, le marché canadien des semi-conducteurs en carbure de silicium devrait connaître une forte croissance au cours de la prochaine décennie. Ce marché est principalement stimulé par la transition stratégique du pays vers des objectifs de véhicules zéro émission, ce qui favorise une intégration étroite entre les fabricants canadiens de composants automobiles et les chaînes d'approvisionnement internationales de véhicules électriques afin de développer des sous-ensembles de groupes motopropulseurs et de gestion thermique. Selon des données gouvernementales de mai 2026, le Canada prévoit de transformer le Centre de fabrication de photonique du Canada (CFPC) en une entité commerciale afin d'accroître la production nationale de semi-conducteurs photoniques et de renforcer sa souveraineté technologique. Situé à Ottawa, le CFPC est la seule installation de semi-conducteurs composés entièrement intégrée en Amérique du Nord, desservant des industries allant des centres de données d'IA et des technologies quantiques à la défense et à l'aérospatiale.

Perspectives du marché APAC

Le marché des semi-conducteurs SiC en Asie-Pacifique devrait occuper une place de choix dans la dynamique mondiale entre 2026 et 2035. La croissance de ce secteur dans la région est principalement alimentée par les pôles de production automobile, notamment en Chine, au Japon et en Corée du Sud, où la production en série rapide de véhicules électriques et le déploiement de réseaux de recharge ultra-rapides engendrent une demande insatiable de modules SiC. Cette dynamique est également soutenue par les importantes politiques gouvernementales en faveur de la transition énergétique, qui favorisent l'adoption généralisée des composants SiC dans les grandes centrales solaires, les installations éoliennes et les réseaux de transport d'électricité à courant continu haute tension de la région. En juin 2023, le ministère japonais de l'Économie, du Commerce et de l'Industrie (METI) a annoncé un soutien financier de 70,5 millions de dollars à Sumitomo Electric Industries pour la production de plaquettes de carbure de silicium. Cette aide, qualifiée de subvention nationale, vise à renforcer les capacités de production de semi-conducteurs du pays et à améliorer la résilience de la chaîne d'approvisionnement, contribuant ainsi à la forte croissance du marché.

L'immense écosystème des véhicules électriques chinois, premier consommateur et fabricant mondial de groupes motopropulseurs, d'onduleurs et d'infrastructures de recharge ultra-rapide en carbure de silicium (SiC), dynamise de manière responsable le marché des semi-conducteurs en carbure de silicium en Chine . Cette dynamique est également amplifiée par d'importants investissements publics visant à construire une chaîne d'approvisionnement entièrement localisée, depuis les matières premières jusqu'aux usines de fabrication spécialisées, en passant par l'épitaxie par croissance cristalline avancée, afin de s'affranchir des technologies de puces étrangères. En mai 2023, Infineon a signé un accord à long terme avec le groupe chinois SICC pour sécuriser son approvisionnement en plaquettes et lingots de carbure de silicium de 150 mm de haute qualité, couvrant ainsi une part à deux chiffres de sa demande future. Cet accord soutient délibérément la transition d'Infineon vers la technologie des plaquettes de 200 mm et renforce la résilience de la chaîne d'approvisionnement pour les secteurs en pleine croissance de l'automobile, du solaire, de la recharge des véhicules électriques et du stockage d'énergie.

En Inde, le marché des semi-conducteurs en carbure de silicium connaît une croissance rapide, portée par l'accent mis sur la production électronique locale et les transports plus propres. Cette croissance est fortement stimulée par la révolution des véhicules électriques, notamment sur les segments importants des deux-roues, des trois-roues et des transports en commun, ce qui alimente une demande croissante de groupes motopropulseurs à haut rendement à base de SiC, de chargeurs embarqués et de réseaux de recharge rapide. Cette dynamique est encore amplifiée par les incitations fiscales du gouvernement central, qui encouragent activement les acteurs mondiaux et nationaux à implanter des installations de pointe pour l'encapsulation, les tests et la fabrication de plaquettes dans le pays. Selon un article publié par le Bureau d'information de la presse (PIB) en août 2025, le Conseil des ministres indien a approuvé quatre nouveaux projets de semi-conducteurs dans le cadre de la Mission indienne pour les semi-conducteurs, représentant un investissement total conséquent d'environ 550 millions de dollars américains, dont la première usine de fabrication de semi-conducteurs composés en carbure de silicium du pays, située dans l'État d'Odisha. Par ailleurs, cette usine SiCSem fabriquera des dispositifs SiC destinés aux missiles, à la défense, aux véhicules électriques, aux chemins de fer, aux chargeurs rapides, aux centres de données et aux onduleurs solaires, tandis que d'autres projets au Pendjab et en Andhra Pradesh développent les capacités de fabrication discrète et d'encapsulation avancée.

Aperçu du marché européen

Le marché européen des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) occupe une place prépondérante en tant que centre névralgique de l'ingénierie de haute performance, de l'innovation automobile et de la décarbonation industrielle. La croissance dans cette région est principalement tirée par des réglementations strictes en matière d'émissions automobiles et des objectifs ambitieux d'électrification, qui incitent les grands constructeurs automobiles et les équipementiers de premier rang à intégrer des modules de puissance SiC dans les véhicules électriques de luxe de nouvelle génération et les réseaux de recharge haute puissance. À titre d'exemple, en mars 2024, la Commission européenne a approuvé une aide d'État italienne de 2,2 milliards de dollars américains, destinée à soutenir STMicroelectronics dans la construction d'une nouvelle usine de fabrication de semi-conducteurs en carbure de silicium à Catane, en Sicile. Ce projet permettra de développer la technologie SiC 200 mm, de renforcer la chaîne de valeur des semi-conducteurs en Europe et de garantir la résilience de la chaîne d'approvisionnement conformément au règlement européen sur les puces (Chips Act), contribuant ainsi à dynamiser la croissance du marché européen.

La présence de constructeurs automobiles nationaux haut de gamme et d'équipementiers automobiles de premier rang, qui intègrent massivement des modules de puissance en carbure de silicium (SiC) dans les plateformes de véhicules électriques de nouvelle génération, est à l'origine de l'expansion du marché allemand des semi-conducteurs en carbure de silicium. Cette dynamique est également alimentée par d'importants investissements industriels et le soutien gouvernemental dans le cadre d'initiatives régionales en microélectronique. Ces initiatives financent la construction d'usines de fabrication de SiC et de centres de recherche de grande envergure sur le territoire allemand afin de garantir un approvisionnement national en puces à large bande interdite. En mai 2026, la Commission européenne a approuvé une aide d'État allemande d'un montant total de 310 millions de dollars pour renforcer la chaîne d'approvisionnement des semi-conducteurs grâce à deux installations inédites. Dans ce contexte, Carl Zeiss recevra 239 millions de dollars pour la construction d'une usine à Oberkochen dédiée aux colonnes optiques EUV de nouvelle génération, essentielles aux machines de lithographie avancées. Zadient Materials Europe GmbH bénéficiera quant à elle de 71 millions de dollars pour la création d'une nouvelle usine à Bitterfeld, spécialisée dans les matériaux sources de carbure de silicium ultra-pur, contribuant ainsi à renforcer la sécurité d'approvisionnement et l'efficacité énergétique conformément au règlement européen sur les puces (Chip Act).

Le marché britannique des semi-conducteurs en carbure de silicium connaît une forte croissance, portée par l'intérêt croissant du pays pour l'innovation dans ce domaine, les transports électrifiés et les systèmes énergétiques de nouvelle génération. Cette croissance est également soutenue par une collaboration étroite entre l'industrie, les instituts de recherche et les initiatives technologiques gouvernementales, visant à renforcer les capacités nationales en matière de semi-conducteurs. En mai 2023, le gouvernement britannique a annoncé le lancement de sa Stratégie nationale pour les semi-conducteurs, qui identifie les semi-conducteurs composés comme un axe stratégique majeur et alloue jusqu'à 250 millions de dollars pour la période 2023-2025, avec un objectif d'investissement de 1,25 milliard de dollars sur les dix prochaines années. Cette stratégie accorde une priorité accrue à la R&D dans le domaine des semi-conducteurs, à la conception de puces, à la propriété intellectuelle et aux technologies des semi-conducteurs composés, grâce à des initiatives ciblées de développement des infrastructures et d'innovation, ce qui augure de perspectives de marché prometteuses.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductor Market Share
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Principaux acteurs du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) :

    Voici une liste des principaux acteurs opérant sur le marché mondial des semi-conducteurs SiC :

    • Wolfspeed, Inc. (États-Unis)
    • Infineon Technologies AG (Allemagne)
    • onsemi (États-Unis)
    • STMicroelectronics NV (Suisse)
    • ROHM Co., Ltd. (Japon)
    • Société Mitsubishi Electric (Japon)
    • Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
    • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
    • Microchip Technology Incorporated (États-Unis)
    • Renesas Electronics Corporation (Japon)
    • Semikron Danfoss (Allemagne)
    • GeneSiC Semiconductor Inc. (États-Unis)
    • Coherent Corp. (États-Unis)
    • SK Siltron Co., Ltd. (Corée du Sud)
    • Soitec SA (France)
    • GlobalWafers Co., Ltd. (Taïwan)
    • Bosch GmbH (Allemagne)
    • Navitas Semiconductor Corporation (États-Unis)
    • Nexperia BV (Pays-Bas)
    • Hitachi Energy Ltd. (Suisse)
      • Présentation de l'entreprise
      • Stratégie d'entreprise
      • Principaux produits proposés
      • Performance financière
      • Indicateurs clés de performance
      • Analyse des risques
      • Développements récents
      • Présence régionale
      • Analyse SWOT

    Le marché mondial des semi-conducteurs en carbure de silicium regroupe des fabricants de semi-conducteurs, des fournisseurs de plaquettes et des spécialistes de l'électronique de puissance. Les entreprises leaders du secteur s'attachent à accroître leurs capacités de production de plaquettes SiC, à développer des technologies de plaquettes de plus grande taille et à renforcer leurs chaînes d'approvisionnement intégrées verticalement, avec pour principaux objectifs la disponibilité des substrats et la réduction des coûts. Parmi les initiatives stratégiques adoptées par les acteurs du marché des semi-conducteurs SiC figurent les investissements dans la fabrication de plaquettes SiC de 200 mm et de 300 mm (nouvelle génération), les accords d'approvisionnement à long terme avec les constructeurs automobiles, les partenariats pour les applications liées aux véhicules électriques et aux énergies renouvelables, ainsi que le développement de dispositifs de puissance à haut rendement pour les centres de données d'IA et les systèmes industriels. À titre d'exemple, en novembre 2025, GE Aerospace a présenté ses puces MOSFET SiC de quatrième génération, capables de supporter une tension de 1 200 V, offrant une résistance ultra-faible et une température de fonctionnement record de 200 °C, ce qui permet une commutation plus rapide, un rendement accru et une durabilité supérieure pour les systèmes d'alimentation de nouvelle génération.

    Paysage concurrentiel du marché des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) :

    • Wolfspeed, Inc. est devenue une entreprise pionnière dans le domaine des technologies du carbure de silicium et possède l'un des portefeuilles de propriété intellectuelle les plus importants du secteur. Son modèle d'affaires est verticalement intégré et s'articule autour de la croissance cristalline, de la fabrication de plaquettes, de la production de dispositifs et du conditionnement avancé.
    • Infineon Technologies AG est un autre acteur majeur du marché des semi-conducteurs SiC et s'est imposé comme un fournisseur de premier plan de semi-conducteurs de puissance SiC. L'entreprise s'attache à améliorer l'efficacité énergétique et l'intégration des systèmes grâce à une innovation produit continue et à l'expansion de ses capacités de production.
    • Onsemi s'est imposée comme un acteur majeur du marché des semi-conducteurs SiC grâce à son portefeuille EliteSiC™ et à son orientation stratégique vers la mobilité électrique et les infrastructures énergétiques. L'entreprise a conclu plusieurs accords d'approvisionnement à long terme avec des constructeurs automobiles et continue de développer ses capacités de production de SiC.
    • STMicroelectronics NV est un leader mondial incontesté des composants de puissance en carbure de silicium (SiC), fournissant des MOSFET, des diodes et des modules de puissance SiC aux secteurs automobile et industriel à travers le monde. L'entreprise a consolidé sa position sur le marché grâce à des partenariats stratégiques avec des constructeurs de véhicules électriques et à d'importants investissements dans l'approvisionnement en substrats SiC et ses capacités de production.
    • ROHM Co., Ltd. est un acteur majeur de l'innovation dans le domaine des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium. Son portefeuille comprend des MOSFET SiC, des diodes Schottky et des modules de puissance. L'entreprise collabore activement avec les constructeurs automobiles et les fabricants de systèmes d'alimentation afin de développer des solutions d'alimentation à haut rendement.

Développements récents

  • En juin 2026, Infineon Technologies a présenté le tout premier commutateur bidirectionnel en carbure de silicium du secteur, basé sur sa technologie CoolSiC™ G2 750 V, intégrant ainsi deux commutateurs de puissance dans un seul boîtier refroidi par le dessus afin de simplifier la conception du système tout en améliorant l'efficacité et la fiabilité.
  • En janvier 2026, Wolfspeed a annoncé une avancée majeure dans la technologie du carbure de silicium avec la production réussie d'une plaquette monocristalline de 300 mm, soit une plaquette de SiC de 12 pouces, ce qui constitue une étape importante vers une commercialisation à grande échelle et une capacité de production accrue.
  • Report ID: 8610
  • Published Date: Jun 10, 2026
  • Report Format: PDF, PPT
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Questions fréquemment posées (FAQ)

En 2025, le marché des semi-conducteurs en carbure de silicium était évalué à 939,8 millions de dollars américains.

Le marché des semi-conducteurs en carbure de silicium devrait atteindre 4,40 milliards de dollars d'ici la fin de 2035, avec un TCAC de 16,7 % sur la période de prévision (2026-2035).

Les principaux acteurs du marché sont Wolfspeed, Inc., Infineon Technologies AG, Onsemi, STMicroelectronics N.V., ROHM Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Fuji Electric Co., Ltd., et d'autres.

Dans le segment des types, le sous-segment des modules de puissance SiC devrait capter la plus grande part de marché à l'avenir, soit 37,6 %, et présenter des opportunités de croissance lucratives entre 2026 et 2035.

L'Amérique du Nord devrait détenir la plus grande part de marché, soit 37,3 %, d'ici fin 2035 et offrir davantage d'opportunités commerciales à l'avenir.

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Akshay Pardeshi

Akshay Pardeshi

Analyste de recherche principal

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