Marktsegmentierung für magnetoresistive Rams (MRAM) nach Technologie (Toggle- und Spin-Transfer-Drehmoment); Nach Produkt (diskret und eingebettet) und nach Anwendung (Unterhaltungselektronik Luft- und Raumfahrt und Verteidigung Robotik Unternehmensspeicher Automobil und andere) - Global Demand Analysis &; Opportunity Outlook 2028

  • Berichts-ID: 2622
  • Veröffentlichungsdatum: Feb 01, 2022
  • Berichtsformat: PDF, PPT

Einführung in den magnetoresistiven Stößel (MRAM)

Magnetoresistiver RAM (MRAM) ist ein Prozess zum Speichern von Datenbits der Elektronenspin verwendet um Informationen zu speichern die vom dynamischen RAM verwendet werden. Es ist das Ergebnis einer Verschmelzung der Vorteile von dynamischem RAM und statischem RAM. Magnetoresistiver RAM (MRAM) hat im Vergleich zu herkömmlichen Speichergeräten eine hohe Leistung und ist viel schneller verbraucht weniger Strom und kann Datenverluste verhindern. Die magnetoresistive RAM-Technologie (MRAM) ist robust und zuverlässig in extremen Temperaturbereichen sodass sie elektronische Produkte bei der Speicherung großer Datenmengen unterstützen und gleichzeitig eine schnelle Zugriffsgeschwindigkeit gewährleisten und weniger Batteriestrom verbrauchen.

Marktgröße und Prognose

Die zunehmende Digitalisierung und der technologische Fortschritt wie das Internet der Dinge (IoT) und Cloud Computing sowie die steigende Nachfrage nach elektronischen Produkten sind einige der wichtigsten Faktoren die das Marktwachstum ankurbeln. Nach Angaben des United States Census Bureau besaßen im Jahr 2016 76 % der Haushalte ein Smartphone und 77 % der Haushalte nutzten Desktop- oder Laptop-Computer.

Es wird erwartet dass der Markt für magnetoresistive RAM (MRAM) im Prognosezeitraum d. h. 2020-2028 eine signifikante CAGR verzeichnen wird. Der Markt ist nach Anwendung in Unterhaltungselektronik Luft- und Raumfahrt und Verteidigung Robotik Unternehmensspeicher Automobil und andere unterteilt. Unter diesen Segmenten wird erwartet dass das Segment für Unterhaltungselektronik mit der höchsten Rate auf dem Markt für magnetoresistive RAM (MRAM) wachsen wird was auf die zunehmende Akzeptanz von Smartphones Laptops elektronischen Wearables und Digitalkameras zurückzuführen ist die fortschrittliche Speichergeräte verwenden um einen niedrigen Energieverbrauch zu gewährleisten und die Startzeit zu verkürzen. >KLICKEN SIE HIER UM DEN BEISPIELBERICHT HERUNTERZULADEN

Wachstumstreiber

Potenzial alternative Speicherprodukte zu ersetzen um das Marktwachstum anzukurbeln

Die Zunahme der Forschungsaktivitäten zur Entwicklung innovativer Lesezugriffsspeicherprodukte wie eingebettete und diskrete MRAMs treibt das Wachstum des Marktes voran. Darüber hinaus hat der magnetoresistive RAM (MRAM) das Potenzial Flash-Speicher und andere elektrisch löschbare programmierbare Nur-Lese-Speicher (EEPROM) zu ersetzen. Es wird erwartet dass dies den Markt für magnetoresistive RAM (MRAM) erheblich erweitern wird.

Wachsende Nachfrage in der Elektronikgeräte- und Luft- und Raumfahrtindustrie treibt das Marktwachstum voran

Es besteht eine erhöhte Nachfrage nach kostengünstigen kleinen energieeffizienten MRAMs in Elektronik- Luft- und Raumfahrt- Verteidigungs- und Militärsystemen aufgrund ihrer günstigen physikalischen Eigenschaften wie Beständigkeit gegen hohe Strahlung Betrieb bei extremen Temperaturen manipulationssichere und schnellere Datenverarbeitung. Darüber hinaus reduzieren die Anwendungen in Enterprise-Speicherlösungen die Ausfallzeiten des Gesamtsystems was das Marktwachstum weiter ankurbelt. Vor diesem Hintergrund wird prognostiziert dass der globale Markt für magnetoresistive RAM (MRAM) im Prognosezeitraum wachsen wird.

Beschränkungen

Hohe Kosten und komplexe Schnittstelle behindern das Marktwachstum

Trotz des technologischen Fortschritts sind bei der Entwicklung und Herstellung hohe Kosten mit sich verbunden die sich negativ auf das Marktwachstum auswirken. Darüber hinaus wird geschätzt dass die mit dem Speicher verbundenen Schnittstellenprobleme das Wachstum des Marktes für magnetoresistive RAM (MRAM) in Zukunft behindern werden.

Marktaufteilung

Unsere eingehende Analyse des Marktes für magnetoresistive RAM (MRAM) umfasst die folgenden Segmente:

Nach Technologie

  • umschalten
  • Spin-Transfer-Drehmoment

Nach Produkt

  • diskret
  • eingebettet

Nach Anwendung

  • Unterhaltungselektronik
  • Luft- und Raumfahrt und Verteidigung
  • Robotertechnik
  • Enterprise-Speicher
  • selbstfahrend
  • andere

Nach Region

Auf der Grundlage einer regionalen Analyse ist der Markt für magnetoresistive RAM (MRAM) in fünf Hauptregionen unterteilt darunter Nordamerika Europa Asien-Pazifik Lateinamerika sowie die Region Naher Osten und Afrika.

Es wird erwartet dass der Markt für magnetoresistive RAM (MRAM) in Nordamerika den größten Marktanteil halten wird da führende Marktteilnehmer in der Region präsent sind die magnetoresistive RAM (MRAM) herstellen und vermarkten. Darüber hinaus verlagern sich die Unternehmen in Richtung Rechenzentren um die Kosten für die Technologieinfrastruktur zu senken und eine schnellere Berechnungen einen geringeren Stromverbrauch und eine bessere Skalierbarkeit zu erreichen was die Produktnachfrage weiter erhöht. Es wird prognostiziert dass der Markt im asiatisch-pazifischen Raum im Prognosezeitraum aufgrund von Fortschritten in der Infrastruktur von Rechenzentren und IT-Hubs am stärksten wachsen wird. Darüber hinaus erhöhen die zunehmende Nutzung des Internets und die Durchdringung von Cloud Computing zusammen mit der großen Anzahl von Speicherherstellern in Ländern wie China und Indien aufgrund der ausreichenden Verfügbarkeit von Rohstoffen und billigen Arbeitskräften die Nachfrage nach dem Markt für magnetoresistive RAM (MRAM) weiter.

Der Markt für magnetoresistive RAM (MRAM) wird auf der Grundlage der Region wie folgt weiter klassifiziert:

  • Nordamerika (USA & Kanada) Marktgröße Wachstum im Jahresvergleich & Chancenanalyse
  • Lateinamerika (Brasilien Mexiko Argentinien Rest von Lateinamerika) Marktgröße Wachstum im Jahresvergleich & Chancenanalyse
  • Europa
  • (Großbritannien Deutschland Frankreich Italien Spanien Ungarn Belgien Niederlande & Luxemburg Skandinavien Polen Türkei Russland übriges Europa) Marktgröße Wachstum im Jahresvergleich & Chancenanalyse
  • Asien-Pazifik (China Indien Japan Südkorea Indonesien Malaysia Australien Neuseeland Rest des asiatisch-pazifischen Raums) Marktgröße Wachstum im Jahresvergleich und Chancenanalyse.
  • Naher Osten und Afrika (
  • Israel GCC (Saudi-Arabien Vereinigte Arabische Emirate Bahrain Kuwait Katar Oman) Nordafrika Südafrika Rest des Nahen Ostens und Afrika) Marktgröße Wachstum im Jahresvergleich und Chancenanalyse.

Top-Unternehmen die den Markt dominieren


In-the-news

In den Nachrichten

 · September 2016: Spin Memory Inc. (STT) gab bekannt dass es senkrechte magnetische MRAM-Tunnelübergänge ([MTJs] ist die Hauptkomponente einer MRAM-Speicherzelle und Kerntechnologie eines MRAM-Geräts) mit einer Größe von nur 20 nm hergestellt hat was zu den kleinsten MTJs gehört die bisher gemeldet wurden.

Autorennachweise:  Abhishek Verma, Hetal Singh


  • Berichts-ID: 2622
  • Veröffentlichungsdatum: Feb 01, 2022
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