Global Next-Generation Memory Market TOC
- Market Definition and Research Methodology
- Market Definition and Segmentation
- Assumptions and Acronyms
- Research Objective and Methodology
- Executive Summary
- Industry Value Chain Analysis
- Market Dynamics
- Drivers
- Challenges
- Trends
- Opportunities
- Regulatory & Standards Landscape
- Industry Risk Analysis
- Technology Analysis
- COVID-19 Impact on the Global Next-Generation Memory Market
- Average Pricing Analysis
- Cross Segmentation of Technology with Respect to End-Use Industry
- Cross Segmentation of Storage Type with Respect to End-Use Industry
- Cross Segmentation of Size with Respect to End-Use Industry
- Feature Analysis
- Competitive Positioning
- Competitive Landscape
- Samsung Electronics Co., Ltd.
- Micron Technology, Inc.
- Cypress Semiconductor Corporation
- Everspin Technologies Inc.
- NXP Semiconductors
- KIOXIA Corporation
- Intel Corporation
- Avalanche Technology
- IBM Corporation
- Fujitsu Limited
- Western Digital Corporation
- CrossBar, Inc.
- SK HYNIX INC.
- Global Next-Generation Memory Market
- By Value (USD Million)
- Global Next-Generation Memory Market Segmentation Analysis 2020-2030
- By Technology
- Non-Volatile Memory
- Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM)
- Ferroelectric RAM (FRAM)
- Resistive Random-Access Memory (RERAM)
- 3D XPoint (Quantx & Optane)
- Nano RAM (NRAM)
- Others
- Volatile Memory
- Hybrid Memory Cube (HMC)
- High-Bandwidth Memory (HBM)
- Non-Volatile Memory
- By Storage Type
- Mass Storage
- Embedded storage
- Others
- By Size
- 200 mm
- 300 mm
- 450 mm
- By End-User
- Enterprises
- Consumer Electronics
- Automotive and Transportation
- Telecommunications
- Military and Aerospace
- Energy and Power
- Banking and Financial Services
- Healthcare
- Others
- By Region
- North America
- Latin America
- Europe
- Asia-Pacific
- Middle East & Africa
- By Technology
- North America Next-Generation Memory Market
- Market by Value (USD Million)
- Market Segmentation:
- By Technology
- Non-Volatile Memory
- Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM)
- Ferroelectric RAM (FRAM)
- Resistive Random-Access Memory (RERAM)
- 3D XPoint (Quantx & Optane)
- Nano RAM (NRAM)
- Others
- Volatile Memory
- Hybrid Memory Cube (HMC)
- High-Bandwidth Memory (HBM)
- Non-Volatile Memory
- By Storage Type
- Mass Storage
- Embedded storage
- Others
- By Size
- 200 mm
- 300 mm
- 450 mm
- By End-User
- Enterprises
- Consumer Electronics
- Automotive and Transportation
- Telecommunications
- Military and Aerospace
- Energy and Power
- Banking and Financial Services
- Healthcare
- Others
- By Country
- United States
- Canada
- By Technology
- Latin America Next-Generation Memory Market
- Market by Value (USD Million)
- Market Segmentation:
- By Technology
- By Storage Type
- By Size
- By End-User
- By Country
- Brazil
- Mexico
- Argentina
- Rest of Latin America
- Europe Next-Generation Memory Market
- Market by Value (USD Million)
- Market Segmentation:
- By Technology
- By Storage Type
- By Size
- By End-User
- By Country
- United Kingdom
- Italy
- France
- Germany
- Spain
- Russia
- Netherlands
- Rest of Europe
- Asia Pacific Next-Generation Memory Market
- Market by Value (USD Million)
- Market Segmentation:
- By Technology
- By Storage Type
- By Size
- By End-User
- By Country
- China
- India
- Australia
- Japan
- South Korea
- Rest of Asia Pacific
- Middle East & Africa Next-Generation Memory Market
- Market by Value (USD Million)
- Market Segmentation:
- By Technology
- By Storage Type
- By Size
- By End-User
- By Country
- GCC
- South Africa
- Israel
- Rest of Middle East & Africa
Markt für Speicher der nächsten Generation – Historische Daten (2019–2024), globale Trends 2025, Wachstumsprognosen 2037
DerSpeichermarkt der nächsten Generation wird im Jahr 2025 auf 9,7 Milliarden US-Dollar geschätzt. Die globale Marktgröße wurde im Jahr 2024 auf mehr als 8,53 Milliarden US-Dollar geschätzt und wird voraussichtlich eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von über 17,2 % verzeichnen, was einem Umsatz von mehr als 67,14 Milliarden US-Dollar bis 2037 entspricht. Nordamerika wird voraussichtlich bis 2037 23,5 Milliarden US-Dollar erreichen, was auf die frühzeitige Einführung von Technologien und Infrastrukturen der nächsten Generation sowie auf die entscheidende Rolle der IT bei der Förderung des Wirtschaftswachstums in der Region zurückzuführen ist.
Die steigende Nachfrage nach universellen Speichergeräten, die durch zahlreiche Vorteile dieses Speichertyps unterstützt wird, ist auf das Wachstum des Marktes zurückzuführen. Im Zeitraum von 2023 bis 2028 wird das weltweite Volumen an Speichereinheiten für Unterhaltungselektronik voraussichtlich um insgesamt 6,9 Millionen Stück wachsen. Es wird prognostiziert, dass das Volumen im Jahr 2028 2,6 Milliarden Stück betragen wird.
Darüber hinaus ist die steigende Nachfrage nach High-Tech-Geräten der Hauptfaktor für das Wachstum des Speichermarkts der nächsten Generation in dieser Region. In einer Reihe von Ländern der Region wurde ein Anstieg der Internetnutzung beobachtet. Folglich steigt die Nachfrage von Internetnutzern nach fortschrittlichen Computerprodukten, was wiederum zur Produktion von Speichergeräten der nächsten Generation führen wird. Die Anzahl der Menschen, die das Internet in Asien und Asien nutzen Laut Statistiken der Internationalen Fernmeldeunion (ITU) ist der Pazifik zwischen 2005 und 2019 von 355 Millionen auf 1901 Millionen gestiegen.
Speichersektor der nächsten Generation: Wachstumstreiber und Herausforderungen
Wachstumstreiber
- Verstärkter Einsatz von Speichertechnologien der nächsten Generation in eingebetteten Systemen und IOT-Geräten – Speicher der nächsten Generation wie MRAM und ReRAM, die eine hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeit bei geringem Energieverbrauch und ohne Volatilität bieten, eignen sich für den Einsatz in eingebetteten Systemen und Internet der Dinge (IoT) Geräte, die herkömmliche Speicher zunehmend ersetzen. Die Zahl der vernetzten Internet-of-Things-Geräte wird nach den neuesten verfügbaren Daten auf etwa 15,14 Milliarden geschätzt. Schätzungen zufolge wird sich diese Zahl bis 2030 auf 29,42 Milliarden mehr als verdoppeln. Dieser Speicher kann Instanton-Funktionen ermöglichen, die Energieeffizienz verbessern und die Datenspeicherung in intelligenten Geräten verbessern.
- Zunehmende Einführung von künstlicher Intelligenz, Big Data, maschinellem Lernen und Cloud Computing- Die steigende Nachfrage nach hoher Bandbreite, geringem Stromverbrauch und großem skalierbarem Speicher ist auf die zunehmende Einführung fortschrittlicher Technologien wie Big Data, künstliche Intelligenz, maschinelles Lernen, Cloud Computing usw. zurückzuführen. Täglich werden etwa 2,5 Billionen Datenbits erstellt. Bei den globalen Daten handelt es sich um 70 % nutzergenerierte Cloud-Computing-Endnutzerausgaben, die sich auf rund 500 Milliarden US-Dollar pro Jahr belaufen.
- Erhöhte Nachfrage nach Speichergeräten, die schnellen Zugriff ermöglichen und wenig Strom verbrauchen – Speicher mit hoher Kapazität und schneller Speicherung wird aufgrund der wachsenden Datenmenge in Unternehmen sowie der Beliebtheit von Cloud-Speicherlösungen immer beliebter. Fortschrittliche Produkte verbessern weiterhin ihre Leistung, was einen großen Teil der Halbleiterindustrie antreibt. Um den Anforderungen von Speichergeräten mit hoher Geschwindigkeit, geringerem Stromverbrauch und größerer Skalierbarkeit gerecht zu werden. Es wurden verschiedene neue nichtflüchtige Speicher erstellt, darunter RRAM, MRAM, FeRAM und NRAM. Diese Technologien sind skalierbarer, dichter, schneller und langlebiger als herkömmliche Technologien. Nach einer Befehlsanforderung dauert es bei den meisten neuen Speichertechnologien zwischen 1 und 10 Nanosekunden, bis die Ausgabe die angegebenen Anforderungen erfüllt.
Herausforderungen
- Die Herstellungskosten der nächsten Generation' Speicher nehmen weiter zu – Die Produktionskosten für DRAM und SRAM mit hoher Bitdichte sind heute sehr hoch, während auch die Herstellung von Speicher mit hoher Bitdichte der nächsten Generation mit erheblichen Kosten verbunden ist. Bei einer neuen Generation von Speichertechnologien sind im Vergleich zur herkömmlichen Technologie zur Speicherung von Erinnerungen häufig kompliziertere Produktionsprozesse erforderlich. Für diese Prozesse kann der Einsatz spezieller Ausrüstung, Materialien und Fachwissen erforderlich sein, was zu höheren Kosten führen kann. Speichertechnologien der nächsten Generation können aufgrund von Problemen wie Defekten, Prozessschwankungen oder Materialproblemen in der ersten Entwicklungs- und Herstellungsphase zu geringeren Produktionsausbeuten führen. Dadurch sind die Kosten pro funktionsfähigem Chip aufgrund geringer Ausbeuten höher.
- Je stärker Speichergeräte einem Temperaturschock ausgesetzt sind, desto wahrscheinlicher ist es, dass sie beschädigt werden und somit das Marktwachstum behindern.
- Das Wachstum des Marktes kann durch höhere Designkosten aufgrund fehlender standardisierter Produktionsprozesse behindert werden.
Markt für Speicher der nächsten Generation: Wichtige Erkenntnisse
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Basisjahr |
2024 |
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Prognosejahr |
2025-2037 |
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CAGR |
17,2 % |
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Marktgröße im Basisjahr (2024) |
8,53 Milliarden US-Dollar |
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Prognosejahr der Marktgröße (2037) |
67,14 Milliarden US-Dollar |
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Regionaler Geltungsbereich |
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Speichersegmentierung der nächsten Generation
Technologie {Nichtflüchtiger Speicher (MRAM, FRAM, ReRAM, 3D XPoint, NRAM), flüchtiger Speicher (Hybrid Memory Cube, Speicher mit hoher Bandbreite)}
Auf dem Speichermarkt der nächsten Generation wird das Segment der nichtflüchtigen Speicher bis Ende 2037 voraussichtlich einen Umsatzanteil von rund 68 % erreichen. Die gestiegene Nachfrage nach besseren, effektiveren und kostengünstigeren Speicherlösungen kann auf das Wachstum des Segments auf dem Markt zurückgeführt werden. Die Einschränkungen herkömmlicher nichtflüchtiger Speichergeräte in Bezug auf Skalierbarkeit, Stabilität und andere Parameter wurden durch das Aufkommen moderner Speichertechnologien ebenfalls beseitigt. Durch die weltweite Anhäufung von Daten entsteht ein Bedarf an effizienteren Speicherlösungen mit hoher Kapazität, was auf die große Menge an erzeugten Daten zurückzuführen ist. Täglich werden rund 328,77 Terabyte an Daten generiert. In diesem Jahr werden etwa 120 Zettabytes an Daten produziert. Geschwindigkeit und Leistung von nichtflüchtigem Speicher sind vergleichbar mit Flash-Speichertechnologien wie DRAM oder SRAM, wobei höhere Speicherdichten, z.B. im Fall von ReRAM und STT RAM PCM.
Speichertyp (Masse, eingebettet)
Das Massensegment im Speichermarkt der nächsten Generation soll bis 2037 einen Umsatzanteil von über 52 % erreichen. Der Massenspeicher wird üblicherweise in Rechenzentren, Unternehmensspeichersystemen, Unterhaltungselektronik und anderen Anwendungen verwendet, die eine hohe Kapazität mit schnellen Zugriffsgeschwindigkeiten und zuverlässiger Datenspeicherung erfordern. Weltweit gibt es etwa 8.000 Rechenzentrumsstandorte. Künstliche Intelligenz wird für etwa 20 % der weltweiten Rechenzentrumskapazität eingesetzt.
Unsere eingehende Analyse des globalen Marktes umfasst die folgenden Segmente:
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Technologie |
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Speichertyp |
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Größe |
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Endbenutzer |
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Möchten Sie diesen Forschungsbericht an Ihre Anforderungen anpassen? Unser Forschungsteam wird die von Ihnen benötigten Informationen bereitstellen, um Ihnen zu helfen, effektive Geschäftsentscheidungen zu treffen.
Diesen Bericht anpassenSpeicherindustrie der nächsten Generation – Regionale Zusammenfassung
Nordamerikanische Marktprognose
Es wird geschätzt, dass Nordamerika bis 2037 einen Marktanteil von über 35 % am Speichermarkt der nächsten Generation erobern wird. Die frühe Einführung der Technologien und Infrastruktur der nächsten Generation wurde von der Region Nordamerika angeführt. In den Vereinigten Staaten ist die IT ein wichtiger Motor des Wirtschaftswachstums. Es müssen effektivere Verarbeitungssysteme entwickelt werden, um mit der schnellen Entwicklung der Technologien und einem wachsenden Datenvolumen in allen Sektoren in der Region Nordamerika zurechtzukommen. Der US-amerikanische Technologiemarkt macht 35 % der weltweiten Gesamtwirtschaft aus. Im Jahr 2023 wird der Technologiesektor der USA voraussichtlich um 5,4 % wachsen. In den USA gibt es mehr als 585.000 Technologieunternehmen.
APAC-Marktstatistiken
Es wird erwartet, dass die Region Asien-Pazifik bis Ende 2037 einen Marktanteil von rund 28 % am Speichermarkt der nächsten Generation erobern wird. Es wird erwartet, dass die Region aufgrund der starken Verbreitung von Unterhaltungselektronik in diesem Bereich, insbesondere Smartphones, Tablets und Laptops, stark wachsen wird. Einem Bericht zufolge wird die Mobiltelefonnutzung im Asien-Pazifik-Raum bis 2021 bei 74 % liegen und im nächsten Jahrzehnt voraussichtlich auf 84 % ansteigen. Darüber hinaus wird erwartet, dass im selben Jahr 62 % der Mobilfunkabonnenten anwesend sein werden.
Unternehmen, die die Speicherlandschaft der nächsten Generation dominieren
- Intel Corporation
- Unternehmensübersicht
- Geschäftsstrategie
- Wichtige Produktangebote
- Finanzielle Leistung
- Wichtige Leistungsindikatoren
- Risikoanalyse
- Neueste Entwicklung
- Regionale Präsenz
- SWOT-Analyse
- Honeywell International Inc.
- Micron Technology, Inc.
- Samsung Electronics Co., Ltd
- SK Hynix, Inc.
- Everspin Technologies, Inc.
- Nanya Technology Corporation
- Kingston Technology Corporation
- Infineon Technologies AG
- Crossbar Inc.
In the News
- SK Hynix Inc. hat als erstes Unternehmen der Branche ein 12-schichtiges HBM31-Produkt mit einer Speicherkapazität von 24 Gigabyte 2 entwickelt, dem derzeit größten der Branche. Nach der Massenproduktion des weltweit ersten HBM3 im Juni 2022 gelang es dem Unternehmen, das 24-GB-Paketprodukt zu entwickeln, das die Speicherkapazität gegenüber dem Vorgängerprodukt um 50 % erhöhte.
- Samsung gab den Beginn der Massenproduktion seiner vertikalen NAND-Chips (V-NAND) der 8. Generation bekannt, um erweiterten Speicherplatz in Serversystemen der nächsten Generation zu ermöglichen. Diese Chips verfügen über die branchenweit höchste Bitdichte und Speicherkapazität. Sie sollen es Unternehmen ermöglichen, die Speicherkapazität von Unternehmensservern der nächsten Generation zu erweitern und gleichzeitig deren Einsatz auf den Automobilmarkt auszudehnen.
Autorenangaben: Abhishek Verma
- Report ID: 3724
- Published Date: May 08, 2025
- Report Format: PDF, PPT
