Размер мирового рынка, прогноз и основные тенденции на 2025-2037 гг.
Объем рынка пленок SiC-на-изоляторе, как ожидается, увеличится с 47,9 млн долларов США в 2024 году до 171,94 млрд долларов США к 2037 году, при этом среднегодовой темп роста составит около 87,7 % в течение прогнозируемого периода с 2025 по 2037 год. В настоящее время в 2025 году отраслевая выручка от пленки SiC-на-изоляторе (SiCOI) увеличится. оценивается в 77,31 млн долларов США.
Пленки SiC-на-изоляторе (SiCOI) находят широкое применение в энергоэффективных устройствах, игровых устройствах, квантовой фотонике и оптоэлектронике. Предполагается, что в ближайшие годы непрерывный технологический прогресс расширит возможности применения изоляционных пленок SiCOI. Эти пленки играют несколько ролей в оптоэлектронных устройствах, включая оптоэлектронные транзисторы, такие как пассивирующее покрытие и проницаемость/инкапсуляция слоев. Например, прогнозируется, что к 2036 году мировой рынок оптоэлектронных транзисторов будет расти в среднем на 20,1 % в среднем на 20,1 %. Учитывая эти статистические данные, рост спроса на оптоэлектронные транзисторы окажет прямое влияние на продажи пленок SiC-на-изоляторе.
Пленки SiC-на-изоляторе эффективно включают в себя фотонные интегральные схемы, что приводит к формированию прочной платформы, которая эффективно совместима с комплементарной обработкой металл-оксид-полупроводник (КМОП) — производственным процессом, используемым для изготовления интегральных схем. Кроме того, пленки SiC-на-изоляторе известны своей превосходной теплопроводностью и способностью работать при высоких напряжениях и температурах, что делает их идеальным компонентом для высокопроизводительных продуктов, таких как силовая электроника, используемая в печатных платах. Таким образом, растущее использование КМОП в производстве печатных плат окажет положительное влияние на продажи пленок SiC-на-изоляторе в ближайшие годы.
Сектор пленок SiC-на-изоляторе (SiCOI): движущие силы роста и проблемы
Драйверы роста
- Инновации в производстве полупроводников SiCOI: Усовершенствования в технологиях изготовления, включая соединение пластин и эпитаксиальный рост, значительно способствуют повышению производительности и масштабируемости пленок SiC-на-изоляторе. Благодаря технологии соединения пластин тонкие слои SiC могут быть интегрированы в изолятор, что уменьшает размер необходимого материала и приводит к экономии затрат. Комбинированные пленочные полупроводники SiC-on-изолятор также улучшают характеристики электронных устройств.
Например, в сентябре 2024 года Resonac Holdings Corporation подписала соглашение о стратегическом партнерстве с Soitec о совместном производстве 200-миллиметровых (8-дюймовых) подложек на связке из карбида кремния (SiC), которые используются в качестве эпитаксиальных пластин SiC в силовых полупроводниках. Высококачественные монокристаллические подложки SiC компании Resonac Holdings Corporation были объединены с использованием технологии соединения подложек Soitec, чтобы повысить производительность производства 8-дюймовых пластин SiC и расширить цепочку поставок в сфере торговли эпи-подложками SiC. - Высокое использование пленок SiC-на-изоляторе для расширения возможностей подключения и ускорения обмена данными в устройствах 5G и IoT: Пленки SiC-на-изоляторе станут свидетелями увеличения числа применений в беспроводной связи, таких как 5G и Интернет вещей (IoT), в ближайшие годы. Интеграция пленок SiC-on-изолятор приводит к улучшению связи и быстрому обмену данными в технологиях 5G. Устройства Интернета вещей взаимосвязаны друг с другом и требуют надежных технологий, таких как пленки SiC-на-изоляторе, для эффективной связи и передачи информации. Таким образом, согласно прогнозам, растущий спрос на коммуникационные технологии 5G и устройства IoT в производственном секторе в обозримом будущем приведет к увеличению доли доходов производителей пленок SiC на изоляторе.
Задачи
- Недостаток достоверной информации. Пленка SiC-на-изоляторе — это новая технология, и многие исследователи все еще работают над ее потенциальным применением, важностью и ограничениями. Отсутствие исследований, осведомленности и знаний о пленках SiC на изоляторе удерживает конечных пользователей от их использования и тенденций. Кроме того, низкая доступность надежных данных ставит под сомнение точность результатов пленок SiC на изоляторе, что затрудняет понимание их истинного рыночного потенциала. Таким образом, недостаток информации может в некоторой степени ограничить использование пленок SiC-на-изоляторе.
- Высокие производственные затраты: Сложности, связанные с технологиями производства пленок SiC-на-изоляторе, создают серьезные проблемы для участников рынка пленок SiC-на-изоляторе (SiCOI). Изготовление пленок SiC-на-изоляторе требует наличия современных материалов, таких как карбид кремния, и технологий, включая послойную и ионную резку, что увеличивает общие производственные затраты.
Рынок пленок SiC-на-изоляторе (SiCOI): основные выводы
|
Базовый год |
2024 |
|
Прогнозируемый год |
2025-2037 |
|
CAGR |
87,7% |
|
Размер рынка базового года (2024) |
47,9 млн долларов США |
|
Прогнозируемый размер рынка на год (2037) |
171,94 миллиарда долларов США |
|
Региональный охват |
|
Сегментация пленки SiC-на-изоляторе (SiCOI)
Применение (силовая электроника, аэрокосмическая и оборонная промышленность, автомобильная промышленность, бытовая электроника, другое)
К 2037 году в сегменте силовой электроники доля рынка пленок SiC-на-изоляторе (SiCOI) составит более 31,4%. Пленки SiC-на-изоляторе в основном используются в силовой электронике, такой как приводы двигателей, преобразователи и инверторы, благодаря их высокой теплопроводности и широкой запрещенной зоне. Пленки SiC-на-изоляторе с широкой запрещенной зоной 3,2 эВ помогают ему работать при высоких температурах и уровнях мощности. Интегрированная силовая электроника с пленкой SiC на изоляторе по сравнению с обычными устройствами значительно снижает потери переключения, что делает ее решающей в преобразователях мощности, которые управляют энергией из нескольких источников. Кроме того, в технологиях возобновляемой энергетики, таких как солнечные инверторы, пленки SiC-на-изоляторе максимизируют отбор энергии и снижают потери, улучшая общую производительность системы.
Размер пластины (100 мм (4 дюйма) пластины, 150 мм (6 дюймов) пластины, 200 мм (8 дюймов) пластины, 300 мм (12 дюймов) пластины)
300 мм (12 дюймов) пластин SiC на рынке пленок SiC-на-изоляторе (SiCOI) ожидается рост примерно на 94,5% до 2037 года. Высокий спрос на пластины этого типа обусловлен их большей площадью поверхности и большим размером, что повышает уровень производительности. Пластины SiC диаметром 300 мм (12 дюймов) находят применение в производстве транзисторов и интегральных схем. Также его больший размер способствует экономичности и при производстве устройств сложной конструкции. Производители флэш-памяти NAND (не AND) и DRAM (динамическое оперативное запоминающее устройство) являются основными пользователями 300-мм (12-дюймовых) пластин SiC, поскольку это помогает им максимизировать свою производительность. Например, в июле 2022 года STMicroelectronics и GlobalFoundries Inc. совместно управляли заводом по производству пластин диаметром 300 мм в Кроле, Франция. Целью этого сотрудничества является производство 6 20 000 пластин диаметром 300 мм в год, чтобы удовлетворить высокий спрос со стороны автомобильного, промышленного и коммуникационного секторов.
Наш углубленный анализ мирового рынка включает следующие сегменты:
|
Подложка |
|
|
Размер пластины |
|
|
Технологии |
|
|
Приложение |
|
Хотите настроить этот исследовательский отчет в соответствии с вашими требованиями? Наша исследовательская команда предоставит необходимую информацию, чтобы помочь вам принимать эффективные бизнес-решения.
Настроить этот отчетПроизводство пленок SiC-на-изоляторе (SiCOI) – региональный охват
Прогноз рынка Северной Америки
Северная Америка По прогнозам, доля рынка пленок SiC-на-изоляторе (SiCOI) в Северной Америке к 2037 году составит более 45,5 %. Быстрорастущие аэрокосмический и автомобильный секторы быстро повышают спрос на пленки SiC-на-изоляторе. Растущие инвестиции ключевых игроков рынка в исследования и разработки, а также поддерживающая государственная политика, поощряющая производство передовых энергетических систем, еще больше способствуют общему росту рынка.
В США местные органы власти вкладывают значительные средства в развитие полупроводникового и аэрокосмического секторов, что, как ожидается, положительно повлияет на спрос на современные пленки SiC-на-изоляторе. Эти пленки SiCOI используются в этих секторах для повышения общих характеристик конечной продукции. Например, Министерство торговли США сообщает, что центральное правительство (администрация Байдена-Харриса) инвестировало около 1,6 миллиарда долларов США в создание и стимулирование внутреннего производства современной упаковки для полупроводников. Кроме того, производители компонентов для аэрокосмической отрасли активно планируют расширять свои производственные мощности, принимая решения о крупных инвестициях. Такие шаги этих фирм напрямую повысят спрос на пленки SiC-на-изоляторе в ближайшие годы. Например, GE Aerospace объявила о своем плане инвестировать более 650 миллионов долларов США в свои производственные подразделения и цепочку поставок в течение 2024 года.
Канада также демонстрирует положительный вклад в рост рынка пленок SiC-на-изоляторе (SiCOI) благодаря расширению деятельности в сфере телекоммуникаций. Например, Канадская телекоммуникационная ассоциация сообщила, что в 2023 году телекоммуникационный сектор Канады инвестировал 11,4 миллиарда долларов США в капитальные затраты на улучшение связи в стране.
Статистика рынка Азиатско-Тихоокеанского региона
Ожидается, что рынок пленок SiC-на-изоляторе (SiCOI) в Азиатско-Тихоокеанском регионе будет расширяться быстрыми темпами в течение прогнозируемого периода. Ожидается, что расширяющаяся деятельность по производству полупроводников, достижения в области производства и технологии изготовления пластин, а также быстро развивающийся телекоммуникационный сектор откроют прибыльные возможности для производителей пленок SiCOI в регионе. Китай, Индия, Южная Корея и Япония – одни из быстрорастущих рынков Азиатско-Тихоокеанского региона.
Китай — один из крупнейших потребителей электроники, и быстрое развитие технологий изготовления микросхем и полупроводников способствует широкому распространению пленок SiCOI. В развитие сектора производства полупроводников правительство Китая инвестирует более 150 миллиардов долларов США в период с 2014 по 2030 год.
Индия, наиболее быстро развивающаяся отрасль разработки электронных систем, производства и телекоммуникаций, продвигает внедрение современных силовых материалов, включая пленки SiC на изоляторе. По данным India Brand Equity Foundation, в программу развития производства электронных компонентов и полупроводников правительство инвестировало около 1,06 млрд долларов США.
Компании, доминирующие на рынке пленок SiC-на-изоляторе (SiCOI)
- Корпорация MTI
- Обзор компании
- Бизнес-стратегия
- Основные предложения продуктов
- Финансовые показатели
- Ключевые показатели эффективности
- Анализ рисков
- Последние разработки
- Региональное присутствие
- SWOT-анализ
- Корпорация Resonac Holdings
- SICC Co., Ltd.
- Soitec
- STMicroelectronics
- Wolfspeed, Inc.
- Глобальныеваферы
- Технология материалов Homray
- Precision Micro-optics Inc.
- Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd.
- Корпорация Coherent
- SK siltron Co., Ltd
- Tianyu Semiconductor Technology Co., Ltd.
- Infineon Technologies Co., Ltd.
Ведущие компании на рынке пленок SiC-на-изоляторе (SiCOI) ориентированы на производство технологически передовых решений. Чтобы улучшить свои продуктовые предложения, они также сотрудничают с другими игроками и исследовательскими фирмами. Растущие инвестиции в исследования и разработки призваны расширить области применения пленок SiC-на-изоляторе (SiCOI) в ближайшие годы. Помимо этого, они также используют такие стратегии, как региональная экспансия и слияния компаний. приобретения, чтобы максимизировать свою долю прибыли.
В число ключевых игроков входят:
In the News
- В сентябре 2024 года Coherent Corp. объявила о выпуске эпитаксиальных пластин карбида кремния диаметром 200 мм. Компания ориентирована на надежное производство подложек и эпи-подложек толщиной 350 микрон и толщиной 500 микрон.
- В августе 2024 года компания Infineon Technologies Co., Ltd. объявила об открытии одного из крупнейших и наиболее конкурентоспособных заводов по производству силовых полупроводников из карбида кремния (SiC) диаметром 200 мм в Малайзии. Этот завод работает на экологически чистой электроэнергии и применяет экологически чистые методы производства.
Авторы отчета: Rajrani Baghel
- Report ID: 6645
- Published Date: Mar 19, 2025
- Report Format: PDF, PPT
