Marché des transistors à effet de champ à effet tunnel (TFET) : taille et prévisions par type (effet tunnel latéral, effet tunnel vertical), application (commutateurs analogiques, amplificateurs, oscillateurs à déphasage, limiteurs de courant, circuits numériques), utilisateur final (électronique grand public, électronique industrielle, aérospatiale, défense) – Tendances de croissance, principaux acteurs, analyse régionale 2026-2035

  • ID du Rapport: 4207
  • Date de Publication: Nov 21, 2025
  • Format du Rapport: PDF, PPT
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Perspectives du marché des transistors à effet de champ tunnel (TFET) :

Le marché des transistors à effet de champ à effet tunnel (TFET) représentait plus de 1,39 milliard de dollars en 2025 et devrait dépasser les 3,84 milliards de dollars d'ici 2035, avec un taux de croissance annuel composé (TCAC) supérieur à 10,7 % sur la période 2026-2035. En 2026, la taille de ce marché était estimée à 1,52 milliard de dollars.

Tunnel Field-Effect Transistor (TFET) Market Size
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La croissance du marché s'explique par la demande croissante de transistors basse consommation et hautes performances, conjuguée à l'augmentation du nombre de centres de données à travers le monde. Dans les services de centres de données, le traitement de volumes importants de données engendre une consommation énergétique considérable, en constante augmentation. À titre d'exemple, en janvier 2022, on recensait environ 2 750 centres de données aux États-Unis et près de 450 au Royaume-Uni. La disponibilité croissante de données massives à analyser par de nombreux centres de données, ainsi que la nécessité de garantir leur sécurité, accroissent la demande en transistors. Le développement du secteur informatique et des applications logicielles devrait également stimuler la croissance du marché dans les années à venir.

Le marché des transistors à effet de champ à effet tunnel (TFET) devrait également connaître une croissance soutenue, portée par la demande croissante de ces transistors, considérés comme la technologie d'avenir pour les objets connectés (IoT) de nouvelle génération. Selon les estimations, on comptait environ 10 milliards d'objets connectés dans le monde en 2019, un chiffre qui devrait atteindre 30 milliards d'ici fin 2025. Par ailleurs, les transistors à effet de champ à effet tunnel à base de silicium présentent l'avantage d'afficher de faibles pentes sous-seuil tout en ne consommant que de faibles courants. De plus, les fabricants remplacent progressivement les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) traditionnels par des TFET, séduits par les nombreux atouts de ces derniers, notamment leur faible consommation d'énergie et leur faible courant à l'état impair. Ces facteurs devraient donc stimuler la croissance du marché dans les années à venir.

Clé Transistor à effet de champ tunnel (TFET) Résumé des informations sur le marché:

  • Points saillants régionaux :

    • D’ici 2035, l’Amérique du Nord devrait détenir la plus grande part de revenus sur le marché des transistors à effet de champ tunnel (TFET), soutenue par la pénétration croissante des smartphones de nouvelle génération, elle-même stimulée par l’augmentation du nombre de propriétaires de smartphones dans la région.
    • D’ici 2035, l’Europe devrait enregistrer une croissance substantielle de son marché, soutenue par la forte demande de systèmes de connectivité sans fil de nouvelle génération, grâce aux progrès rapides de la région en matière de déploiement de la 5G.
  • Analyse du segment :

    • D’ici 2035, le segment des circuits numériques du marché des transistors à effet de champ tunnel (TFET) devrait capter la plus grande part, propulsé par l’intégration croissante des circuits numériques dans la fabrication de produits électroniques grand public, elle-même alimentée par l’adoption croissante des smartphones, des ordinateurs portables et des appareils similaires.
    • D’ici 2035, le segment de l’électronique grand public devrait s’assurer une part importante du marché, renforcée par l’utilisation croissante des téléviseurs, des tablettes, des téléphones portables, des ordinateurs et des appareils connexes grâce à la pénétration croissante d’Internet et à l’augmentation des revenus disponibles.
  • Principales tendances de croissance :

    • Croissance de l'industrie des semi-conducteurs liée à la consommation croissante d'électronique grand public
    • Accroître le soutien gouvernemental par le biais de politiques à travers le monde
  • Principaux défis :

    • Le marché est moins sensibilisé aux avantages du TFET.
    • Asymétrie source/drain qui soulève des problèmes de fiabilité
  • Acteurs clés : STMicroelectronics International NV, Infineon Technologies AG, Texas Instruments Incorporated, Advanced Linear Devices Inc., Fairchild Semiconductor International Inc. (Semiconductor Components Industries, LLC), Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Avago Technologies Limited (Broadcom, Inc.), Qorvo Inc., Toshiba Corporation, Alsephina Innovations, Inc. (Wi-LAN Inc.).

Mondial Transistor à effet de champ tunnel (TFET) Marché Prévisions et perspectives régionales:

  • Taille du marché et projections de croissance :

    • Taille du marché en 2025 : 1,39 milliard de dollars américains
    • Taille du marché en 2026 : 1,52 milliard de dollars américains
    • Taille du marché prévue : 3,84 milliards de dollars américains d'ici 2035
    • Prévisions de croissance : 10,7 %
  • Dynamiques régionales clés :

    • Plus grande région : Amérique du Nord
    • Région à la croissance la plus rapide : l’Europe
    • Pays dominants : États-Unis, Chine, Japon, Allemagne, Corée du Sud
    • Pays émergents : Inde, Vietnam, Indonésie, Mexique, Brésil
  • Last updated on : 21 November, 2025

Facteurs de croissance

  • Croissance du secteur des semi-conducteurs portée par la consommation croissante d'électronique grand public – L'utilisation accrue des appareils électroniques, les progrès de l'intelligence artificielle et la forte pénétration d'Internet devraient stimuler la croissance du marché. L'intégration de puces mémoire haute capacité dans les téléphones mobiles et autres appareils, ainsi que la multiplication des puces de communication sans fil, devraient également contribuer à cette croissance. Le développement du secteur des semi-conducteurs est attribué à la demande croissante de smartphones, de circuits intégrés et de dispositifs de mémoire à travers le monde. Selon les estimations, le chiffre d'affaires total du secteur mondial des semi-conducteurs en 2021 s'élevait à environ 580 milliards de dollars américains, dépassant ainsi les quelque 460 milliards de dollars américains de 2020.
  • Renforcement du soutien gouvernemental par le biais de politiques à travers le monde – Selon les données, en 2019, le gouvernement indien a lancé la Politique nationale sur l'électronique (NPE 2019) afin de renforcer l'industrie manufacturière avec un objectif d'environ 390 milliards de dollars d'activité dans la fabrication nationale d'ici fin 2025.
  • Augmentation des dépenses de recherche et développement pour améliorer les progrès de l'électronique – Selon les données de la Banque mondiale, les dépenses mondiales de recherche et développement en proportion du produit intérieur brut (PIB) étaient d'environ 2,63 % en 2021, contre 2,2 % en 2018.
  • Hausse des ventes de smartphones liée à la numérisation croissante et à l'urbanisation rapide – Selon les estimations, environ 1,4 milliard d'unités de smartphones ont été vendues dans le monde en 2021, contre environ 1,3 milliard d'unités en 2020.
  • Adoption croissante des ordinateurs portables avec l'augmentation du revenu disponible des ménages – Selon les estimations, les livraisons mondiales d'ordinateurs portables devraient dépasser les 265 millions d'unités d'ici fin 2025.

Défis

  • Méconnaissance des avantages des transistors TFET sur le marché : les avantages des modèles TFET, contrairement à d’autres transistors, sont moins connus du grand public. De plus, la nécessité de disposer de personnel qualifié pour exploiter et développer ces transistors à effet tunnel devrait freiner la croissance du marché.
  • Asymétrie source/drain qui soulève des problèmes de fiabilité
  • Augmentation des fluctuations sous le seuil à un taux de tunnelage plus élevé

Taille et prévisions du marché des transistors à effet de champ tunnel (TFET) :

Attribut du rapport Détails

Année de base

2025

Année prévisionnelle

2026-2035

TCAC

10,7%

Taille du marché de l'année de référence (2025)

1,39 milliard de dollars américains

Taille du marché prévisionnelle pour l'année 2035

3,84 milliards de dollars américains

Portée régionale

  • Amérique du Nord (États-Unis et Canada)
  • Asie-Pacifique (Japon, Chine, Inde, Indonésie, Malaisie, Australie, Corée du Sud, reste de l'Asie-Pacifique)
  • Europe (Royaume-Uni, Allemagne, France, Italie, Espagne, Russie, pays nordiques, reste de l'Europe)
  • Amérique latine (Mexique, Argentine, Brésil, reste de l'Amérique latine)
  • Moyen-Orient et Afrique (Israël, pays du Golfe, Afrique du Nord, Afrique du Sud, reste du Moyen-Orient et de l'Afrique)

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Segmentation du marché des transistors à effet de champ tunnel (TFET) :

Analyse du segment d'application

Le marché mondial des transistors à effet de champ tunnel (TFET) est segmenté et analysé en fonction de l'offre et de la demande selon les applications suivantes : commutateurs analogiques, amplificateurs, oscillateurs à déphasage, limiteurs de courant, circuits numériques et autres. Parmi ces applications, le segment des circuits numériques devrait représenter la plus grande part de marché au cours de la période de prévision, grâce à l'adoption croissante des circuits numériques dans la fabrication de produits électroniques grand public. La demande croissante de smartphones et l'adoption des ordinateurs portables et autres appareils électroniques devraient stimuler la croissance de ce segment de marché. Selon les estimations, en Inde, le secteur de l'électroménager et de l'électronique grand public était évalué à environ 9 milliards de dollars américains en 2021 et devrait dépasser les 19 milliards de dollars américains d'ici fin 2025. Ce facteur devrait également contribuer à la croissance du segment au cours de la période de prévision. L'augmentation du revenu disponible devrait également accroître le nombre d'utilisateurs d'Internet dans le monde.

Analyse du segment des utilisateurs finaux

Le marché mondial des transistors à effet de champ tunnel (TFET) est segmenté et analysé en fonction de l'offre et de la demande par utilisateur final, notamment pour l'électronique grand public, l'industrie, l'aérospatiale et la défense, et d'autres secteurs. Parmi ces segments, celui de l'électronique grand public devrait représenter une part importante du marché. La croissance de ce segment est attribuée à l'utilisation croissante d'appareils électroniques tels que les téléviseurs, les tablettes, les téléphones portables, les ordinateurs, les ordinateurs portables et les climatiseurs. L'amélioration du niveau de vie contribue à l'augmentation du nombre d'utilisateurs d'Internet, grâce à la pénétration croissante d'Internet et à l'accroissement du revenu disponible. Selon les observations, plus de 5 milliards de personnes utilisaient la télévision dans le monde en 2021. On estime à environ 5 milliards le nombre d'utilisateurs d'Internet dans le monde en 2023. Par ailleurs, le développement des technologies numériques et l'urbanisation rapide devraient stimuler la croissance du marché.

Notre analyse approfondie du marché mondial comprend les segments suivants :

Par type

  • Tunnelage latéral
  • Tunnelage vertical

Sur demande

  • Commutateurs analogiques
  • Amplificateurs
  • Oscillateurs à déphasage
  • Limiteur de courant
  • Circuits numériques
  • Autres

Par l'utilisateur final

  • Électronique grand public
  • Électronique industrielle
  • Aérospatiale et défense
  • Autres
Vishnu Nair
Vishnu Nair
Responsable du développement commercial mondial

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Marché des transistors à effet de champ tunnel (TFET) - Analyse régionale

Aperçu du marché nord-américain

Le marché nord-américain devrait représenter la plus grande part des revenus d'ici 2035. Cette croissance s'explique principalement par la demande croissante et la forte pénétration des smartphones de nouvelle génération dans la région. Aux États-Unis, plus de 75 % de la population, soit environ 265 millions de personnes, possède un smartphone. Par ailleurs, les progrès technologiques, tels que l'intégration de transistors TFET à la technologie CMOS, contribuent à améliorer les circuits intégrés basse consommation. Ces facteurs devraient donc stimuler la croissance du marché nord-américain au cours de la période de prévision.

Aperçu du marché européen

Par ailleurs, le marché européen devrait connaître une croissance significative au cours de la période de prévision, grâce à la demande croissante de systèmes de connectivité sans fil de nouvelle génération. Ces dernières années, les progrès technologiques ont fait de l'Europe une région clé dans le déploiement de la 5G, ouvrant ainsi la voie à la connectivité sans fil de nouvelle génération. De plus, des facteurs essentiels tels que la numérisation croissante, l'augmentation des investissements dans les technologies de pointe et la transformation numérique des appareils mobiles devraient stimuler la croissance du marché des transistors à effet de champ tunnel (TFET) dans les années à venir.

Tunnel Field-Effect Transistor (TFET) Market Share
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Acteurs du marché des transistors à effet de champ tunnel (TFET) :

    • STMicroelectronics International NV
      • Présentation de l'entreprise
      • Stratégie d'entreprise
      • Principaux produits proposés
      • Performance financière
      • Indicateurs clés de performance
      • Analyse des risques
      • Développements récents
      • Présence régionale
      • Analyse SWOT
    • Infineon Technologies AG
    • Texas Instruments Incorporated
    • Dispositifs linéaires avancés Inc.
    • Fairchild Semiconductor International Inc. (Semiconductor Components Industries, LLC)
    • Société de fabrication de semi-conducteurs de Taïwan
    • Avago Technologies Limited (Broadcom, Inc.)
    • Qorvo Inc.
    • Société Toshiba
    • Alsephina Innovations, Inc. (Wi-LAN Inc.)

Développements récents

  • Alsephina Innovations, Inc., une filiale à 100 % de Wi-LAN Inc., a annoncé avoir acquis environ 1 000 brevets de semi-conducteurs auprès d'une fonderie de semi-conducteurs de premier plan.

  • Texas Instruments Incorporated (TI), leader du marché dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs analogiques et embarqués, a annoncé aujourd'hui son projet de construction d'une nouvelle usine de fabrication de plaquettes de semi-conducteurs de 300 mm à Sherman, au Texas. Cette décision s'inscrit dans une stratégie visant à renforcer son avantage concurrentiel en matière de fabrication et de technologie, tout en répondant à la demande croissante de ses clients dans les années à venir.

  • Report ID: 4207
  • Published Date: Nov 21, 2025
  • Report Format: PDF, PPT
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Questions fréquemment posées (FAQ)

En 2026, le marché des transistors à effet de champ à effet tunnel devrait atteindre 1,52 milliard de dollars américains.

Le marché mondial des transistors à effet de champ à effet tunnel était évalué à environ 1,39 milliard de dollars en 2025 et devrait croître à un TCAC de plus de 10,7 %, pour atteindre un chiffre d'affaires de 3,84 milliards de dollars d'ici 2035.

D’ici 2035, l’Amérique du Nord devrait détenir la plus grande part de revenus sur le marché des transistors à effet de champ tunnel (TFET), soutenue par la pénétration croissante des smartphones de nouvelle génération, elle-même stimulée par l’augmentation du nombre de propriétaires de smartphones dans la région.

Les principaux acteurs du marché comprennent STMicroelectronics International N.V., Infineon Technologies AG, Texas Instruments Incorporated, Advanced Linear Devices Inc., Fairchild Semiconductor International Inc. (Semiconductor Components Industries, L.L.C.), Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Avago Technologies Limited (Broadcom, Inc.), Qorvo Inc., Toshiba Corporation, Alsephina Innovations, Inc. (Wi-LAN Inc.).
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Preeti Wani
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