Marktsegmentierung für nichtflüchtige Speicher nach Typ (elektrisch adressiert mechanisch adressiert FRAM Zero-RAM Nanobridge und molekular); Nach Anwendung (Automobilanwendung Unternehmensspeicher Unterhaltungselektronik Überwachung im Gesundheitswesen Industrie); Nach Endverbraucherbranchen (Telekommunikation &; IT Gesundheitswesen Automobilindustrie Energie & Energie sowie verarbeitendes Gewerbe) - Globale Nachfrageanalyse &; Chancenausblick 2027

  • Berichts-ID: 1124
  • Veröffentlichungsdatum: Feb 07, 2023
  • Berichtsformat: PDF, PPT

Produktübersicht

Nichtflüchtiger Speicher ist ein elektrisch programmierbarer und löschbarer Speicher der zum Speichern von Änderungen an einer bestimmten Stelle innerhalb des Speichergeräts verwendet wird und in der Lage ist die Änderung auch bei einem Stromausfall beizubehalten. Nichtflüchtiger Speicher wird für die langfristige persistente Speicherung von Daten verwendet. NVM verwendet eine vom Benutzer konfigurierbare Technologie die keine regelmäßige Aktualisierung des Speichers erfordert. Speichergeräte wie Flash-Disks Magnetbänder und Festplatten sind einige der wichtigsten Beispiele für NVM. Die Unterhaltungselektronik ist eines der wichtigsten Anwendungssegmente des NVM. Die Haupteigenschaft von NVM besteht darin dass es große Datenmengen mit geringerem Stromverbrauch und hoher Zuverlässigkeit speichern kann.

Marktgröße und Prognose

Es wird erwartet dass der globale Markt für nichtflüchtige Speicher zwischen 2017 und 2027 mit einer CAGR von etwa 11 % wachsen wird. Es wird erwartet dass die wachsende Nachfrage nach tragbarer Unterhaltungselektronik und die Substitution von Flash-Speichern neue Wachstumschancen für den Markt für nichtflüchtige Speicher bieten werden.

Der globale Markt für nichtflüchtige Speicher kann auf der Grundlage von Typ Anwendung und Endverbrauchsbranchen segmentiert werden. Auf der Grundlage des Anwendungstyps wird es weiter unterteilt in Automobilanwendungen Unternehmensspeicher Unterhaltungselektronik Überwachung des Gesundheitswesens Industrie sowie Energie- und Energieverteilung. Es wird erwartet dass das Teilsegment Unterhaltungselektronik aufgrund der rasanten Entwicklung im Elektroniksegment am schnellsten wachsen wird. Es wird erwartet dass die technologische Entwicklung wie 3D XPoint MRAM SONOS NRAM CBRAM NVDIMM FeRAM usw. das Marktwachstum für nichtflüchtige Speicher ankurbeln wird.

Nach Regionen ist der globale Markt für nichtflüchtige Speicher in Nordamerika den asiatisch-pazifischen Raum Lateinamerika Europa den Nahen Osten und Afrika unterteilt. Es wird erwartet dass der asiatisch-pazifische Raum die dominierende Region des globalen Marktes für nichtflüchtige Speicher sein wird. Dies wird auf die wachsende Bevölkerung in Verbindung mit dem steigenden verfügbaren Einkommen der Bevölkerung zurückgeführt. Darüber hinaus wird erwartet dass die hohe Durchdringung von Smartphones die nichtflüchtigen Speicher verwenden den gesamten Markt für nichtflüchtige Speicher im prognostizierten Zeitraum ankurbeln wird. Im asiatisch-pazifischen Raum wird erwartet dass Länder wie China Indien Japan und Südkorea in den kommenden Jahren erhebliche Marktanteile beisteuern werden.

Marktaufteilung

In unserer eingehenden Analyse haben wir den globalen Markt für nichtflüchtige Speicher in die folgenden Segmente unterteilt:

Nach Typ:

  • Elektrisch adressiert 
  • Aufstrebender Speicher (3D XPoint MRAM SONOS NRAM CBRAM NVDIMM FeRAM)
  • NVRAM (Flash-Speicher und Solid-Stage-Speicher)
  • ROM (EPROM &; EEPROM)
  • Mechanisch adressiert 
  • Optical-Disc-Laufwerk
  • Magnetband
  • Festplattenlaufwerk
  • Holografische Datenspeicherung
  • Tausendfüßler-Speicher
  • Fram
  • Zero-RAM
  • Nano-Brücke
  • molekular

Nach Anwendung:

  • Automotive-Anwendung
  • Enterprise-Speicher
  • Unterhaltungselektronik
  • Überwachung des Gesundheitswesens
  • industriell

Nach Endverbrauchsbranchen:

  • Telekommunikation &; IT
  • Gesundheitswesen
  • selbstfahrend
  • Energie & Strom
  • Verarbeitendes Gewerbe

Nach Region

Der globale Markt für nichtflüchtige Speicher wird auf der Grundlage der Regionen wie folgt weiter klassifiziert:

  • Nordamerika (Vereinigte Staaten Kanada) Marktgröße Wachstum im Jahresvergleich Marktgröße Wachstum im Jahresvergleich und Chancenanalyse Zukunftsprognose und Chancenanalyse
  • Lateinamerika (Brasilien Mexiko Argentinien Rest von Lateinamerika) Marktgröße Wachstum im Jahresvergleich Zukunftsprognose und Chancenanalyse
  • Europa (
  • Großbritannien Deutschland Frankreich Italien Spanien Ungarn BENELUX (Belgien Niederlande Luxemburg) Skandinavien (Norwegen Dänemark Schweden Finnland) Polen Russland übriges Europa) Marktgröße Wachstum im Jahresvergleich Zukunftsprognose und Chancenanalyse
  • Asien-Pazifik (China Indien Japan Südkorea Malaysia Indonesien Taiwan Hongkong Australien Neuseeland Rest des asiatisch-pazifischen Raums) Marktgröße Wachstum im Jahresvergleich Zukunftsprognose und Chancenanalyse
  • Naher Osten und Afrika (Israel GCC (Saudi-Arabien Vereinigte Arabische Emirate Bahrain Kuwait Katar Oman) Nordafrika Südafrika Rest des Nahen Ostens und Afrikas) Marktgröße Wachstum im Jahresvergleich Zukunftsprognose und Chancenanalyse.

nichtflüchtiger Speichermarkt Graph

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Wachstumstreiber und Herausforderungen

Die steigende Nachfrage nach Speichergeräten ist der Haupttreiber für den Markt für nichtflüchtige Speicher. Es wird erwartet dass der stetige Rückgang der Gewinne herkömmlicher Speichergeräte die Nachfrage nach nichtflüchtigen Speichern weiter steigern wird. Es wird erwartet dass das Aufkommen der technologischen Entwicklungen im Zusammenhang mit Speichern die Nachfrage nach dem globalen nichtvolatilen Markt ankurbeln wird.

Die größten Hemmnisse die mit dem globalen Markt für nichtflüchtige Speicher verbunden sind sind die hohen Designkosten.

Die wichtigsten Unternehmen die den Markt dominieren

  • Intel Corporation
  • Lieferant:Samsung Electronics Co. Ltd.
  • Crossbar Inc.
  • Sandisk Corporation
  • Toshiba-Gesellschaft
  • SK Hynix Inc.
  • Fujitsu Ltd.
  • Micron Technology Corporation
  • Adesto Technologien
  • Wikinger-Technologie

 


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Autorennachweise:  Abhishek Verma, Hetal Singh


  • Berichts-ID: 1124
  • Veröffentlichungsdatum: Feb 07, 2023
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