碳化硅晶圆市场展望：
2025年碳化硅晶圆市场规模为5098亿美元，预计到2035年底将达到1.3万亿美元，在预测期（即2026-2035年）内，复合年增长率为11.3%。2026年，碳化硅晶圆行业规模预计为5674亿美元。
由于汽车、工业和可再生能源领域的增长，碳化硅晶圆市场需求持续旺盛。此外，向电动汽车、节能电力系统和高压应用领域的转型也推动制造商扩大产能。经合组织 (OECD) 于 2025 年 12 月发布的一篇文章指出，包括原材料、晶圆制造和前端半导体制造在内的半导体价值链仍然高度集中且相互依存，关键投入由少数几个国家提供。文章指出，全球约 90% 的晶圆制造产能集中在五个经济体：中国、台湾、韩国、日本和美国。因此，这构成了一个强大且可扩展的基础设施，能够高效地满足不断增长的碳化硅晶圆需求。
此外，美国地质调查局2024年1月发布的《矿产商品概要》显示，2023年美国硅材料主要产自六家工厂，服务于钢铁、铝业、化工、半导体和太阳能行业。美国依赖进口硅铁和金属硅，其中中国、巴西、挪威和俄罗斯是主要的全球供应来源。此外，全球硅材料产量保持稳定，中国仍是主要生产国，产量占全球总产量的70%以上。与此同时，美国持续进行的投资，包括新建太阳能级硅片生产设施，体现了其扩大国内高纯度硅产量、减少对国外资源依赖的努力。因此，国内硅产量的快速增长正在增强高纯度硅的供应，从而支持碳化硅（SiC）硅片市场的增长和规模化发展。
关键 碳化硅晶片 市场洞察摘要:
区域洞察：
- 由于亚太地区拥有强大的电子产品制造业基础和电动汽车的快速普及，预计到 2035 年，亚太地区的市场份额将达到 55.7%。
- 预计到 2035 年，北美将快速增长，这主要得益于交通运输领域的电气化和国内 SiC 制造能力的扩大。
细分市场洞察：
- 预计到 2035 年，汽车细分市场将占 70.6% 的市场份额，这主要得益于 800V 电气架构的快速普及。
- 由于从 100 毫米晶圆过渡到 150 毫米晶圆降低了芯片制造成本，到 2035 年，150 毫米晶圆尺寸细分市场可能会占据相当大的市场份额。
主要增长趋势：
- 电动汽车和电力电子产品需求
- 可再生能源和电网基础设施应用的扩展
主要挑战：
- 高昂的生产成本
- 制造复杂性和良率问题
主要参与者： II?VI Incorporated（现为 Coherent Corp.）（美国）、ROHM Co., Ltd.（日本）、STMicroelectronics（瑞士）、Infineon Technologies AG（德国）、SK Siltron Co., Ltd.（韩国）、昭和电工株式会社（日本）、TankeBlue Semiconductor Co., Ltd.（中国）、SICC Co., Ltd.（台湾）、厦门普威先进材料有限公司（中国）、住友电工株式会社（日本）、河北新光晶股份有限公司（中国）、陶氏（杜邦）（美国）、Entegris, Inc.（美国）、东芝公司（日本）。
全球 碳化硅晶片 市场 预测与区域展望:
市场规模及增长预测：
- 2025年市场规模： 5098亿美元
- 2026年市场规模： 5674亿美元
- 预计市场规模：到2035年将达到1.3万亿美元
- 增长预测：年复合增长率 11.3%（2026-2035 年）
关键区域动态：
- 最大区域：亚太地区（到2035年占55.7%的份额）
- 增长最快的地区：北美
- 主要国家：美国、中国、德国、日本、英国
- 新兴国家：印度、巴西、韩国、澳大利亚、印度尼西亚
Last updated on : 10 December, 2025
碳化硅晶圆市场——增长驱动因素与挑战
增长驱动因素
- 电动汽车及电力电子需求：全球向电动汽车的转型是推动碳化硅晶圆市场扩张的主要动力。由于碳化硅晶圆能够承受更高的电压并具有更优异的散热性能，因此被广泛应用于电动汽车逆变器、车载充电器和电力电子模块中。美国能源部于2024年11月发表的一篇文章指出，其贷款项目办公室强调了对先进汽车零部件（包括对电动汽车效率和性能至关重要的电力电子器件）日益增长的需求。与此同时，诸如ATVM和LPO等项目也支持了半导体及相关零部件的国内生产，截至2024年中期，相关融资申请总额已达168亿美元，这表明各国对将先进电动汽车供应链迁回国内有着浓厚的兴趣。因此，这直接促进了高效电力电子器件的应用，从而持续推动了电动汽车逆变器和模块对碳化硅晶圆的需求。
- 可再生能源和电网基础设施应用的扩展：太阳能、风能和储能装置的进步，以及电网和工业电力系统对更智能电力转换日益增长的需求，正在推动碳化硅 (SiC) 晶片市场更广泛地应用。橡树岭国家实验室和国家可再生能源实验室于 2025 年 12 月展示了用于光伏逆变器的 SiC 基电力电子器件，并指出与硅相比，SiC 能够在更高的电压和温度下运行，具有更快的开关速度和更低的能量损耗。报告还指出，SETO 资助的项目正在推进用于电网集成、储能和微电网的 SiC 逆变器和转换器设计，同时，美国也在探索将 SiC 用于聚光太阳能发电应用，包括 3D 打印热交换器和稳定的太阳能接收器，凸显了其在可再生能源系统中的高效性。
- 技术进步：结合晶圆制造规模的改进，例如更大的晶圆直径和更高效的晶体生长，正在降低单片晶圆的成本，从而提高良率，并使这些晶圆在规模化生产中更具商业可行性。2023年5月，英飞凌科技股份公司宣布与中国碳化硅供应商SICC签署战略协议，以实现碳化硅材料来源多元化，确保获得用于碳化硅半导体生产的高质量150毫米晶圆和晶锭。该公司还表示，此次合作初期将专注于150毫米晶圆，同时也将支持英飞凌向200毫米晶圆的转型，从而在汽车、太阳能、电动汽车充电和储能等行业需求不断增长的情况下，增强供应链稳定性，进而支持碳化硅晶圆市场的快速增长。
碳化硅晶圆制造和投资领域的最新进展
年 | 公司 | 事件 | 市场聚焦 | 笔记 |
2024 | TankBlue | 中国国际半导体展 | SiC晶片产品 | 推出 8 英寸导电外延晶片、扩展衬底和外延产品组合。 |
2023 | 电装 | 对 Silicon Carbide LLC 的少数股权投资 | SiC晶圆采购 | 5亿美元用于确保150毫米和200毫米晶圆的稳定供应，12.5%的股份 |
资料来源：公司官方新闻稿
挑战
- 高昂的生产成本：这是碳化硅晶圆市场增长的主要障碍，因为与传统硅晶圆相比，碳化硅晶圆的生产成本更高。此外，由于原材料、晶体生长、切割和抛光工艺的复杂性，每片晶圆的成本可能高出两到四倍，这反过来又会导致制造商和最终用户的器件成本增加。价格方面的担忧可能会限制碳化硅晶圆在成本敏感型应用中的普及，尤其是在新兴市场或低利润行业。除了需要扩大晶圆直径（例如 200 毫米）外，还需要对专用设备和基础设施进行大量资本投资。此外，在良率提高和生产工艺更加高效之前，高成本被认为是碳化硅晶圆广泛应用的关键障碍。
- 制造复杂性和良率问题：碳化硅 (SiC) 晶圆市场面临着复杂的制造挑战，这源于该材料的硬度、高熔点以及易产生晶体缺陷的特性。在此背景下，生产高质量、大直径（例如 150 毫米至 200 毫米）且无位错、微管或其他缺陷的晶圆十分困难，导致良率波动较大。即使是极小的缺陷也可能导致晶圆无法用于高性能器件，从而增加浪费和生产成本。另一方面，用于制造器件级晶圆的外延生长工艺要求对掺杂、厚度均匀性和晶体质量进行精确控制。由于制造商不断追求更大的晶圆尺寸，因此提高良率对于确保成本效益和在各种应用中保持竞争力至关重要。
碳化硅晶片市场规模及预测：
| 报告属性 | 详细信息 |
|---|---|
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基准年 |
2025 |
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预测年份 |
2026-2035 |
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复合年增长率 |
11.3% |
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基准年市场规模（2025 年） |
5098亿美元 |
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预测年份市场规模（2035 年） |
1.3万亿美元 |
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区域范围 |
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碳化硅晶片市场细分：
最终用户细分分析
预计汽车行业将引领全球碳化硅晶圆市场，在预测期内占据70.6%的最大市场份额。这一增长主要得益于800V电气架构的快速普及，而这种架构对于下一代电动汽车至关重要。此外，这些碳化硅器件对于以更低的损耗管理更高电压也至关重要。2025年5月，Nexperia宣布推出采用紧凑型D2PAK-7封装的全新AEC-Q101认证1200V碳化硅MOSFET，该MOSFET提供30、40和60 mΩ三种导通电阻（RDS(on)）选项，可实现汽车应用的高效性能。此外，这些器件具有卓越的热稳定性，RDS（导通）仅从 25 °C 到 175 °C 增加了 38%，这也优于典型的 SiC 解决方案，从而能够为电动汽车充电器、牵引逆变器和 HVAC 系统提供更高的输出功率、更低的冷却需求和更低的系统成本。
晶圆尺寸细分分析
在晶圆尺寸细分市场中，150纳米子尺寸预计将在所讨论的时间范围内占据碳化硅（SiC）晶圆市场的重要份额。从100毫米晶圆向150毫米晶圆的转变是降低芯片制造成本的关键行业驱动因素，其通过增加每片晶圆上的芯片数量来提高规模经济效益。此外，这一转变对于满足汽车行业蓬勃发展的需求至关重要。2024年4月，罗姆公司宣布，旗下SiCrystal和意法半导体（STMicroelectronics）已扩大其150毫米碳化硅（SiC）衬底晶圆的长期合作协议，确保了价值至少2.3亿美元的额外产量。该协议增强了意法半导体的全球供应链，扩大了其面向汽车和工业碳化硅晶圆市场的SiC器件生产规模；同时，SiCrystal在德国持续扩大生产规模，表明其业务范围更加广泛。
应用细分市场分析
到2025年底，电动汽车预计将在碳化硅晶圆市场占据可观的份额。全球向电动出行转型，对高效高压电力电子器件的需求日益增长，这是推动这一市场领先地位的关键因素。碳化硅在牵引逆变器、车载充电器以及DC-DC转换器等领域均发挥着重要作用。2025年7月，安森美半导体宣布，通过一项新的设计合作，扩大了与舍弗勒的合作。该合作将新一代EliteSiC MOSFET集成到一家全球主要汽车制造商的下一代插电式混合动力电动汽车平台的牵引逆变器中。安森美半导体还提到，EliteSiC技术具有更低的导通损耗、更优异的热性能和更高的功率密度，从而能够实现更长的续航里程、更高的可靠性和更紧凑的逆变器设计。
我们对碳化硅（SiC）晶圆市场的深入分析涵盖以下几个方面：
部分 | 子段 |
最终用户 |
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晶圆尺寸 |
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应用 |
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产品 |
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晶圆直径 |
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抛光型 |
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Vishnu Nair
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碳化硅晶片市场——区域分析
亚太市场洞察
预计到2035年底，亚太地区将占据全球碳化硅（SiC）晶圆市场55.7%的最大份额。该地区在该领域的领先地位主要归功于其强大的电子制造业基础和电动汽车的快速普及。亚太地区持续投资建设本地晶圆厂，并得到政府的大力支持，这确保了相关技术在主要领域的快速扩散。2025年8月，东芝和SICC宣布签署合作备忘录，旨在探索合作的可能性，提升SICC碳化硅功率半导体晶圆的特性和质量，并加强对东芝的稳定晶圆供应。此次合作将助力东芝加速开发用于汽车、服务器电源和高效转换系统的碳化硅器件，这些应用对可靠性和性能要求极高。
中国是该地区碳化硅（SiC）晶圆市场的主要增长引擎，这得益于其庞大的电动汽车产量、快速发展的国内半导体产业以及对宽禁带技术的强有力政策支持。另一方面，各公司正积极扩大SiC晶圆、外延层和器件的生产规模，共同目标是增强供应自主性，并满足国家电动汽车和电力基础设施项目日益增长的需求。意法半导体（STMicroelectronics）和三安光电于2023年6月宣布达成战略联盟，在重庆成立一家合资企业，为中国蓬勃发展的电动汽车和工业能源领域生产200毫米碳化硅功率器件。该合资企业将采用意法半导体的专有工艺，专门为意法半导体生产SiC器件，而三安光电将单独建设一座专用的200毫米SiC衬底工厂，为合资企业提供生产所需材料。
由于大力推动电动汽车普及、电网现代化以及本土半导体产业发展，印度碳化硅晶圆市场持续增长。另一方面，政府支持的各项举措吸引了全球碳化硅企业在印度的投资，而国内研究机构也在努力提升未来电力电子产品生产所需的材料能力。2025年8月，印度政府宣布批准四个新的半导体制造项目，总投资额达460亿卢比（约合5.52亿美元），这将进一步推动印度半导体生态系统的发展。报告还指出，SiCSem将与Clas-SiC Wafer Fab合作，在奥里萨邦建立印度首个商业化碳化硅化合物半导体工厂，而CDIL则在旁遮普邦扩大其碳化硅器件的生产规模。此外，3D Glass Solutions在奥里萨邦和ASIP Technologies在安得拉邦的先进封装项目也为碳化硅晶圆市场的发展前景提供了有力支撑。
北美市场洞察
受交通运输领域快速电气化、电动汽车电力电子领域强劲投资以及国内碳化硅（SiC）晶圆产能扩张的推动，北美碳化硅晶圆市场预计将快速增长。该地区还受益于汽车制造商与半导体供应商之间的合作，这些合作正在加速碳化硅晶圆的普及应用；同时，政府支持清洁能源和制造业回流的举措也促进了国内碳化硅生态系统的发展。2023年7月，瑞萨电子和Wolfspeed宣布签署一项为期10年的碳化硅晶圆供应协议，瑞萨电子支付20亿美元的定金以确保150毫米和200毫米晶圆的供应，从而支持Wolfspeed在美国的产能扩张。此外，该协议还使瑞萨电子能够扩大碳化硅功率半导体的生产规模，以满足汽车、工业和能源市场日益增长的需求。
在碳化硅晶圆市场，美国凭借其完善的半导体供应链、研发项目以及主要碳化硅生产商的大规模扩张，获得了巨大的市场份额。与此同时，电动汽车制造商和可再生能源项目也依赖美国的碳化硅产能，以保持在该领域的竞争力。2025年12月，Coherent公司推出了新一代300毫米碳化硅平台，旨在提升人工智能数据中心基础设施的热效率，并在此基础上进一步拓展其在200毫米衬底方面的技术优势。此外，这些更大尺寸的晶圆还具有更高的功率密度、更低的电阻率和更高的热稳定性，从而支持数据中心、AR/VR设备和电力电子等领域的应用。因此，这一突破巩固了Coherent在宽禁带半导体领域的领先地位，并展现了其致力于为计算和可再生能源领域提供可扩展解决方案的决心。
加拿大在可持续交通和清洁能源领域的专注，以及电动汽车组装业的增长和区域创新中心的推动，使其碳化硅（SiC）晶圆市场呈指数级增长。与此同时，产学研合作正有效促进材料研究，为碳化硅技术在交通运输、电网和工业电气化领域的应用创造了令人鼓舞的机遇。此外，加拿大政府的各项举措和资助计划也受益于此，这些举措和计划有效地强化了半导体生态系统，为先进材料和晶圆制造研究提供了资源。私营领域的关键企业正在投资碳化硅生产能力，并与国际领先企业建立合作关系，以确保长期供应链的稳定。此外，这种综合策略使加拿大成为新兴的碳化硅晶圆创新中心，从而有助于推动碳化硅技术在全球电动汽车、可再生能源和高效电力电子领域的应用。
欧洲市场洞察
凭借在汽车电气化领域的领先地位和严格的能效政策，欧洲已在国际碳化硅晶圆市场占据主导地位。随着该地区成熟企业和新兴企业纷纷投资碳化硅晶圆和器件生产，以支持下一代电动汽车平台的发展，区域供应链正在不断加强。GF加工方案于2025年1月宣布推出LASER S 500 U，这是一款专为碳化硅晶圆制造而设计的激光烧蚀设备。该公司还表示，LASER S 500 U采用非接触式激光技术，革新了这一工艺，将加工时间从数小时缩短至数分钟，从而消除刀具磨损并降低成本。此外，它还与GF的LaserSUITE360软件配合使用，可实现精确的边缘轮廓、切口形状和晶圆尺寸调整，而内置摄像头则确保了对晶圆的精准识别和处理。
德国被认为是区域碳化硅（SiC）晶圆市场的主导国家，这主要得益于各大汽车制造商向碳化硅动力系统的转型。此外，德国还凭借其强大的工程技术实力和对晶圆及器件技术的大力投资，巩固了其在高性能电动汽车和工业电源应用领域的领先地位。为此，AIXTRON SE 于 2025 年 9 月宣布其第 100 套 G10-SiC 系统已交付，这标志着其碳化硅外延批量技术在全球推广应用方面取得了重大进展。该 G10-SiC 系统支持 150 毫米和 200 毫米碳化硅晶圆的大批量生产，这些晶圆对于电动汽车、可再生能源和工业电源中使用的高效功率器件至关重要。此外，该系统采用 6×200 毫米多晶圆配置和多射流技术，能够提供均匀、高质量的外延层，从而实现可扩展、高通量的生产。
英国通过专注于研发的举措，支持碳化硅材料开发和电力电子创新，从而在区域碳化硅晶圆市场保持着更强大的地位。主要行业领导者之间的合作正在推动碳化硅晶圆技术的发展，这些技术将应用于电动汽车原型、航空航天电气化和下一代能源系统。Clas-SiC Wafer Fab Limited 于 2024 年 10 月宣布，已成功获得 1500 万英镑（约合 1875 万美元）的投资，该投资将用于扩大其制造能力并推进技术研发。该公司还指出，这项投资旨在巩固其在半导体行业的地位，该行业专注于节能型碳化硅器件。因此，致力于构建高效生态系统的这一举措凸显了其在未来几年支持全球向电气化和可持续技术转型方面所发挥的作用。
碳化硅晶圆市场主要参与者：
- Wolfspeed公司（美国）
- 公司概况
- 商业战略
- 主要产品
- 财务业绩
- 关键绩效指标
- 风险分析
- 最新进展
- 区域影响力
- SWOT分析
- II?VI 公司（现为 Coherent 公司）（美国）
- ROHM株式会社（日本）
- 意法半导体（瑞士）
- 英飞凌科技股份公司（德国）
- SK Siltron有限公司（韩国）
- 昭和电工株式会社（日本）
- 坦克蓝半导体有限公司 (中国)
- SICC有限公司（台湾）
- 厦门普威先进材料有限公司（中国）
- 住友电工株式会社（日本）
- 河北新光水晶有限公司（中国）
- 陶氏（杜邦）（美国）
- Entegris公司（美国）
- 东芝公司（日本）
- Wolfspeed公司被公认为碳化硅（SiC）材料和晶圆领域的领先先驱，拥有从晶体生长到成品衬底乃至功率器件制造的全流程能力。该公司运营着全球首批也是规模最大的8英寸（200毫米）碳化硅晶圆制造厂之一，这在扩大高功率和汽车应用领域的产能方面具有显著优势。凭借技术领先、垂直整合和大规模产能，Wolfspeed在竞争中占据优势，尤其是在面向电动汽车、可再生能源和工业电力电子的大批量碳化硅晶圆市场。
- II-VI公司（现更名为Coherent公司）是全球领先的工程材料供应商，产品包括用于电力电子和射频应用的碳化硅衬底和外延晶片。该公司凭借其先进的晶体生长和晶片加工能力，服务于众多终端用户。此外，由于电动汽车、工业和能源领域对碳化硅的需求不断增长，II-VI公司多元化的产品组合和制造技术使其在竞争中占据优势地位。
- 罗姆株式会社（ROHM Co., Ltd.）及其专注于碳化硅（SiClystal GmbH）的子公司SiCrystal GmbH，也是该领域的另一巨头。该公司在衬底/晶圆生产和功率器件制造方面均拥有稳固的地位，从而构建了垂直整合的“晶圆到器件”供应链。罗姆株式会社尤其注重对汽车和工业应用领域的投资，特别是对高可靠性和大规模质量控制要求极高的碳化硅晶圆市场。
- 意法半导体（STMicroelectronics NV）凭借其强大的半导体制造能力，在业内享有盛誉。该公司集晶圆供应和器件制造于一体，能够为汽车、工业和可再生能源行业的客户提供基于碳化硅（SiC）的集成解决方案。此外，该公司拥有多元化的业务布局和全球客户群，使其能够灵活应对市场扩张和需求日益分散的局面。
- 英飞凌科技股份公司已成为碳化硅晶圆领域最引人注目的竞争者，尤其是在其200毫米碳化硅晶圆路线图近期取得里程碑式进展之后。该公司通过利用从晶圆到模块的垂直整合，将碳化硅晶圆供应与其功率半导体器件生产相结合，为电动汽车、可再生能源系统和工业电力电子领域提供高压、高效的碳化硅解决方案。此外，英飞凌作为全球半导体领导者的地位使其拥有强大的市场覆盖范围和应对不断增长的碳化硅需求的能力。
以下是一些在全球碳化硅晶圆市场运营的主要参与者名单：
以Wolfspeed、Coherent、ROHM、STMicroelectronics和Infineon为代表的先驱企业凭借其庞大的衬底供应能力，主导着碳化硅晶圆市场，并且通常也生产功率器件。这些公司正在投资扩大产能，升级到8英寸或200毫米晶圆生产线，提升外延质量，并加强供应链控制，以满足各行业日益增长的需求。2024年9月，Coherent公司宣布推出厚度分别为350微米和500微米的200毫米碳化硅（SiC）外延晶圆，这标志着高质量、均匀SiC衬底生产技术的重大进步。该公司还指出，更大的晶圆尺寸使制造商能够在每片晶圆上生产更多器件，从而提高良率，进而支持用于电动汽车、能源基础设施和大功率充电器的高性能SiC功率半导体，从而推动碳化硅晶圆市场的长期增长。
碳化硅晶圆市场企业格局：
最新发展
- 2025 年 12 月， X-FAB宣布推出其 XbloX 平台，该平台提供可扩展和标准化的 SiC 工艺技术，以加速先进功率 MOSFET 的开发和生产。
- 2025 年 9 月， Wolfspeed 公司宣布推出其 200 毫米碳化硅 (SiC) 材料组合，其中包括裸晶圆和外延，这标志着高性能功率器件生产规模化迈出了重要一步。
- 2025 年 2 月，英飞凌科技宣布，其位于奥地利菲拉赫的工厂开始推出首批基于 200 毫米碳化硅 (SiC) 晶圆技术的产品，目标应用领域为电动汽车、可再生能源和火车等高压应用。
- 2024 年 6 月，安森美半导体宣布计划在捷克共和国建立一家垂直整合的碳化硅制造工厂，未来多年投资高达 20 亿美元，用于生产各种应用的高级功率半导体。
- Report ID: 8302
- Published Date: Dec 10, 2025
- Report Format: PDF, PPT
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