Размер мирового рынка, прогноз и основные тенденции на 2025-2037 годы
Рынок нитрида галлия оценивался в 1 миллиард долларов США в 2024 году, и, по прогнозам, к концу 2037 года его стоимость достигнет 29,5 миллиардов долларов США, а среднегодовой темп роста составит 29,7 % в течение прогнозируемого периода, то есть 2025–2037 годов. В 2025 году объем отрасли производства нитрида галлия оценивается в 1,2 миллиарда долларов США.
Рынок нитрида галлия (GaN) будет быстро расти, что обусловлено его применением в электромобилях, сетях 5G, аэрокосмической отрасли и возобновляемых источниках энергии. Такие свойства, как высокая подвижность электронов и теплопроводность материала, полезны для повышения эффективности использования энергии в небольших устройствах. В октябре 2024 года компания Infineon Technologies AG добилась значительного прогресса в развитии технологии GaN, создав первую платформу для массового производства с силовыми пластинами диаметром 300 мм. Это нововведение было использовано для сокращения производственных затрат при одновременном увеличении выходной мощности чипов. Эта тенденция наблюдается во всей электронной промышленности для достижения целей по масштабированию и снижению затрат в силовой электронике.
Сильная нормативная и инвестиционная среда поддерживает рост рынка GaN. Международное энергетическое агентство далее сообщает, что инвестиции в энергетику в 2024 году достигнут 3 триллионов долларов США, из которых 2 триллиона долларов США будут направлены на чистую энергетику. Это соответствует более широкому использованию полупроводников GaN в управлении энергопотреблением и повышении эффективности. Кроме того, в феврале 2025 года DigiKey и Qorvo заключили глобальное дистрибьюторское партнерство, чтобы помочь обеспечить доступность компонентов GaN в приложениях Интернета вещей, автомобилестроении, аэрокосмической отрасли и телекоммуникациях. Эта разработка лежит в основе растущих тенденций коммерциализации присутствия GaN на международном рынке.

Сектор нитрида галлия: драйверы роста и проблемы
Драйверы роста
- 5G и телекоммуникационная инфраструктура. Поскольку в декабре 2024 года количество подключений 5G во всем мире превысило 2 миллиарда, потребность в высокопроизводительных радиочастотных компонентах стала критической. Полупроводники GaN важны для создания эффективных, компактных, мощных и термостойких радиочастотных усилителей. В июне 2024 года компания Mitsubishi Electric выпустила новый GaN PAM мощностью 16 Вт для антенн mMIMO 5G, позволяющий увеличить дальность действия базовых станций и одновременно снизить энергопотребление. Эта тенденция поддерживает GaN в беспроводной инфраструктуре следующего поколения, и по мере внедрения 5G во всем мире использование радиочастотных компонентов на основе GaN будет увеличиваться. Такой повышенный спрос обусловлен тем, что GaN обеспечивает более высокую плотность мощности, эффективность и пропускную способность по сравнению с другими материалами, что идеально подходит для сетей 5G.
- Ускорение внедрения электромобилей (EV): GaN-силовые устройства постепенно заменяют кремний в электрических трансмиссиях, зарядных устройствах и инверторах, поскольку GaN обеспечивает более высокую скорость переключения и более высокую эффективность. В декабре 2024 года ROHM и TSMC сформировали партнерство для совместного производства GaN-устройств для электромобилей с использованием технологии GaN-on-Si от TSMC. С ростом глобального распространения электромобилей производители автомобилей и поставщики первого уровня переходят на GaN, чтобы увеличить срок службы и эффективность аккумуляторов. GaN предлагает более короткое время зарядки, меньшую рассеиваемую мощность, а также меньшие по размеру и более легкие преобразователи энергии, которые жизненно важны для повышения мощности и плотности энергии электромобилей. Ожидается, что рост использования GaN в индустрии электромобилей станет одним из основных факторов, которые будут способствовать росту рынка нитрида галлия.
- Расширение использования искусственного интеллекта и amp; центры обработки данных. Развитие искусственного интеллекта привело к высокому энергопотреблению в гипермасштабных центрах обработки данных, что привело к увеличению спроса на блоки питания на основе GaN. В ноябре 2024 года компания Navitas Semiconductor выпустила первый блок питания мощностью 8,5 кВт на основе GaN и SiC, достигающий эффективности 98%. Таким образом, поскольку рабочие нагрузки искусственного интеллекта продолжают расти, способность GaN реализовывать небольшие силовые решения с высокой теплопроводностью делает его ценным материалом в приложениях HPC. Блоки питания на основе GaN обеспечивают повышенную плотность мощности и эффективность по сравнению с блоками питания на основе кремния, что приводит к экономии энергии и снижению эксплуатационных расходов. Энергоэффективность в центрах обработки данных, а также растущий интерес к искусственному интеллекту и машинному обучению в центрах обработки данных стимулируют использование GaN в центрах обработки данных.
Задачи
- Масштабируемость производства и ограничения по объему производства. Производство нитрида галлия (GaN) на коммерческом уровне по-прежнему остается проблемой, несмотря на технологические усовершенствования. Выращивание кристаллов GaN является сложной задачей и часто сопровождается дефектами из-за проблем совместимости подложек, что снижает выход продукции. Это приводит к возникновению узких мест в цепочке поставок, что может замедлить дальнейшее внедрение GaN и повысить затраты из-за менее эффективного производства.
- Регулирование и радиационная стойкость для аэрокосмической отрасли. Одной из ключевых проблем на рынке GaN, которая, вероятно, замедлит рост внедрения GaN, являются строгие законодательные стандарты и требования к радиационной стойкости в аэрокосмической и спутниковой промышленности. Этим отраслям требуются детали, способные работать в космических условиях, таких как радиация. Требование производить GaN-устройства, отвечающие этим стандартам, сохраняя при этом производительность и надежность, увеличивает стоимость и сложность производства, что замедляет выход и рост новых игроков на рынке нитрида галлия (GaN).
Рынок нитрида галлия: ключевые выводы
Базовый год |
2024 год |
Прогнозный год |
2025-2037 гг. |
Среднегодовой темп роста |
29,7% |
Размер рынка в базовом году (2024 г.) |
1 миллиард долларов США |
Прогнозируемый год Размер рынка (2037 г.) |
29,5 млрд долларов США |
Региональный охват |
|
Сегментация нитрида галлия
Тип продукта (оптополупроводники, ВЧ полупроводники, силовые полупроводники)
По прогнозам, к 2037 году сегмент опто-полупроводников будет занимать более 39,9% рынка нитрида галлия благодаря растущему внедрению оптической передачи данных, LiDAR и светодиодов. Благодаря своей высокой эффективности излучения синего и ультрафиолетового света GaN является важным материалом в приложениях с высокой яркостью и энергетикой, таких как оптические системы. В декабре 2024 года компания STMicroelectronics представила два новых мостовых устройства GaN серии MasterGaN для оптических и осветительных приложений. Рост этого сегмента еще больше ускоряется за счет интеграции в автомобильные фары, дисплеи и промышленные лазеры. Оптополупроводники на основе GaN также используются в медицине, включая диагностические и хирургические инструменты, а также помогают повысить эффективность и производительность потребительских товаров, таких как смартфоны и телевизоры.
Устройство (дискретный полупроводник, интегрированный полупроводник)
Сегмент дискретных полупроводников GaN, вероятно, захватит долю рынка нитрида галлия, составляющую более 62,2%, к 2037 году, что связано с их адаптируемостью в электромобилях, телекоммуникациях и источниках питания. Эти дискретные GaN-транзисторы и полевые транзисторы характеризуются высокой скоростью переключения и миниатюризацией, что идеально подходит для модульных систем. В июне 2024 года компания Transphorm Inc. представила источник питания SuperGaN мощностью 300 Вт, специально разработанный для промышленных приложений и электромобилей. Ожидается, что этот сегмент будет продолжать расти благодаря повышению гибкости конструкции и простоте управления температурным режимом в системах высокого напряжения. Кроме того, текущие и будущие достижения в области исследований и разработок дискретных GaN-устройств направлены на повышение их производительности и снижение затрат, что облегчит их использование во многих отраслях.
Наш углубленный анализ мирового рынка нитрида галлия включает следующие сегменты:
Тип продукта |
|
Устройство |
|
Диапазон напряжения |
|
Приложение |
|
Хотите настроить этот исследовательский отчет в соответствии с вашими требованиями? Наша исследовательская команда предоставит необходимую информацию, чтобы помочь вам принимать эффективные бизнес-решения.
Настроить этот отчетПромышленность нитрида галлия – региональный обзор
Азиатско-Тихоокеанский регион, за исключением статистики рынка Японии
APEJ на рынке нитрида галлия к 2037 году будет занимать более 51 % выручки, при этом лидерами будут Китай, Южная Корея, Индия и Тайвань. Ряд приложений, таких как развитие инфраструктуры 5G, электромобили и солнечные инверторы, стимулируют спрос на GaN в этом регионе. В декабре 2024 года ROHM и TSMC договорились о совместной разработке устройств GaN для электромобилей с использованием GaN-on-Si, что укрепит производственное доминирование в Азии. Благодаря амбициозной политике энергетического перехода и экспортно-ориентированной политике в области полупроводников APEJ становится якорем роста GaN.
Китайский рынок нитрида галлия быстро растет благодаря растущим планам внедрения электромобилей и инициативам по обеспечению самодостаточности отечественных чипов. В сентябре 2024 года МЭА подчеркнуло, что производство электроэнергии из возобновляемых источников в Китае увеличится в соответствии с его 14-м пятилетним планом, что приведет к увеличению спроса на GaN в силовых устройствах. Отечественные производители закупают больше продуктов GaN и проводят больше исследований и разработок материалов GaN, чтобы уменьшить зависимость от импорта. Внимание Китая к GaN также приносит пользу военным радарам, спутникам связи и бытовой электронике, что делает GaN важнейшим компонентом политики цепочки поставок GaN.
Рынок нитрида галлия в Индии находится на подъеме благодаря правительственной программе «Сделано в Индии»; полупроводниковый план и растущее использование силовой электроники в солнечных, оборонных и мобильных приложениях. В августе 2024 года Индийская полупроводниковая миссия отметила трехкратный рост финансирования исследований GaN в ведущих технических институтах страны. Отечественные игроки все чаще используют GaN в телекоммуникационных и спутниковых приложениях; с другой стороны, появляются связи с международными игроками для создания в регионе центров упаковки и тестирования.
Анализ рынка Северной Америки
По прогнозам, рынок нитрида галлия в Северной Америке будет расти более чем на 29,7% в среднем до 2037 года, что обусловлено расходами на оборону, производством полупроводников и возобновляемыми источниками энергии. Высокая концентрация коммуникационной и аэрокосмической промышленности в регионе создала благоприятную среду для использования GaN. В октябре 2024 года компания Texas Instruments открыла свой второй завод по производству GaN в Айдзу, Япония, в дополнение к заводу в Далласе, тем самым повысив устойчивость поставок в Северной Америке за счет двусторонней торговли полупроводниками. Это расширение удовлетворяет спрос в США на системы возобновляемой энергии и передовую силовую электронику.
Рынок нитрида галлия (GaN) США в значительной степени зависит от федерального финансирования и исследовательских партнерств частного и государственного секторов. В декабре 2024 года GlobalFoundries получила государственное финансирование в размере 9,5 миллионов долларов США для расширения производства чипов из GaN на кремнии на своем предприятии в Вермонте. Этот шаг также расширит внутренние возможности GaN для применения в аэрокосмической отрасли, 5G и радиочастотных системах. Наряду с Законом о CHIPS и инициативами, финансируемыми Министерством обороны, это финансирование является признаком согласованных усилий по созданию большего количества внутренних цепочек поставок полупроводников и уменьшению зависимости от иностранных источников ключевых материалов.
Канада расширяет свою производственно-сбытовую цепочку в области полупроводников, ориентируясь на экологически чистую энергетику и производство радиочастотных компонентов, где GaN наиболее уместен. Компания Cambridge GaN Devices получила 32 миллиона долларов США в рамках серии C в феврале 2025 года и планирует работать в Канаде, Великобритании и Азии. Инвестиции помогут увеличить производство устройств на основе GaN в автомобильном и промышленном секторах. Поскольку Канада все больше синхронизируется с США в вопросах безопасности чипов и экологических технологий, ее роль в росте GaN в Северной Америке также увеличивается.

Компании, доминирующие на рынке нитрида галлия
- Корпорация эффективного преобразования энергии
- Обзор компании
- Бизнес-стратегия
- Основные предложения продуктов
- Финансовые показатели
- Ключевые показатели эффективности
- Анализ рисков
- Последние разработки
- Региональное присутствие
- SWOT-анализ
- Infineon Technologies AG
- MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
- Mitsubishi Electric Corporation
- Энергосистемы NexGen
- Корпорация Nichia
- NXP Semiconductors N.V.
- Корво, Inc.
- Корпорация Renesas Electronics
- ROHM Co., Ltd.
- STMicroelectronics N.V.
- Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.
- Texas Instruments Incorporated
Мировой рынок нитрида галлия отличается высокой конкуренцией и характеризуется стратегическим сотрудничеством в области исследований и разработок устройств и решений на основе GaN. В число ключевых игроков на рынке входят Infineon Technologies AG, MACOM, Efficient Power Conversion Corporation (EPC), ROHM, Texas Instruments, Mitsubishi Electric, STMicroelectronics, NexGen Power Systems, Qorvo, Renesas Electronics, NXP Semiconductors и Sumitomo Electric Industries. Эти компании расширяют свои портфели GaN за счет вертикальной интеграции, новых технологий пластин и географической диверсификации, чтобы удовлетворить спрос на энергетические, радиочастотные и оптоэлектронные приложения.
Одно из заметных событий на рынке нитрида галлия (GaN) произошло в сентябре 2024 года, когда Infineon Technologies запустила производство первой 300-мм пластины GaN, которая обеспечивает в 2,3 раза более высокий выход чипов по сравнению с пластинами диаметром 200 мм. Этот прорыв позволяет производить полупроводники GaN для крупносерийного производства, снижая затраты и повышая эффективность. Это еще раз подчеркивает стремление компаний расширить использование GaN в автомобильной, облачной и возобновляемой энергетике.
Вот некоторые ведущие компании на рынке нитрида галлия:
In the News
- В марте 2025 года компания Frontgrade Technologies успешно проверила свой преобразователь постоянного тока из нитрида галлия (GaN) и фильтр электромагнитных помех (EMI) на соответствие требованиям MIL-PRF-38534 класса L. Эти изолированные одноступенчатые преобразователи используют передовую технологию GaN FET, чтобы предоставить разработчикам космических кораблей эффективные решения по преобразованию энергии, обеспечивающие эффективность 93%. Устройства спроектированы таким образом, чтобы быстро реагировать на динамические потребности в мощности и обеспечивать несколько выходов напряжения для максимальной гибкости.
- В феврале 2025 года компания Texas Instruments представила первый в отрасли драйвер затвора полевого транзистора (FET) на основе нитрида галлия (GaN) космического класса с напряжением 200 В. Новый драйвер затвора, предназначенный для повышения эффективности энергосистемы спутников, точно управляет GaN-транзисторами с коротким временем нарастания и спада, что позволяет использовать более компактные и более эффективные источники питания для спутников.
- В феврале 2025 года Qorvo, Inc. и DigiKey, крупный международный коммерческий дистрибьютор с самым большим ассортиментом технических компонентов и средств автоматизации на складе для быстрой отправки, объявили о глобальном дистрибьюторском соглашении. Это партнерство повысит эффективность высокопроизводительных решений Qorvo. видимость, доступность и скорость доставки клиентам по всему миру.
Авторы отчета: Rajrani Baghel
- Report ID: 7542
- Published Date: May 21, 2025
- Report Format: PDF, PPT