Tamaño del mercado global, pronóstico y tendencias destacadas durante 2025-2037
El tamaño del mercado de nitruro de galio se valoró en 1.000 millones de dólares en 2024 y se prevé que alcance una valoración de 29.500 millones de dólares a finales de 2037, con un aumento de tasa compuesta anual del 29,7 % durante el período previsto, es decir, 2025-2037. En 2025, el tamaño de la industria del nitruro de galio se estima en 1200 millones de dólares.
El mercado del nitruro de galio (GaN) experimentará un rápido crecimiento liderado por aplicaciones en vehículos eléctricos, redes 5G, aeroespacial y energía renovable. Las propiedades, como la alta movilidad de los electrones y la conductividad térmica del material, son útiles para mejorar la eficiencia energética en dispositivos de pequeña escala. En octubre de 2024, Infineon Technologies AG logró un avance significativo en el avance de la tecnología GaN al crear la primera plataforma de obleas eléctricas de 300 mm para producción en masa. Esta innovación se adoptó para reducir los costes de fabricación y al mismo tiempo aumentar la capacidad de producción de los chips, una tendencia que se ha observado en toda la industria de fabricación de productos electrónicos para lograr objetivos de escala y costes en la electrónica de potencia.
Un entorno regulatorio y de inversión sólido está respaldando el crecimiento del mercado de GaN. La Agencia Internacional de Energía informa además que la inversión en energía alcanzó los 3 billones de dólares en 2024, de los cuales 2 billones de dólares se destinarán a energía limpia. Esto está en consonancia con el mayor uso de semiconductores GaN en la gestión y la eficiencia energética. Además, en febrero de 2025, DigiKey y Qorvo firmaron una asociación de distribución global para ayudar a impulsar la disponibilidad de componentes de GaN en aplicaciones de IoT, automotrices, aeroespaciales y de telecomunicaciones. Este avance sustenta las crecientes tendencias de comercialización en la presencia de GaN en el mercado internacional.

Sector del nitruro de galio: impulsores del crecimiento y desafíos
Impulsores de crecimiento
- 5G e infraestructura de telecomunicaciones: dado que el número de conexiones 5G en todo el mundo superó los 2000 millones en diciembre del 2024, la necesidad de componentes de RF de alto rendimiento se ha vuelto crítica. Los semiconductores GaN son importantes para fabricar amplificadores de RF eficientes, compactos, de alta potencia y tolerantes al calor. En junio de 2024, Mitsubishi Electric lanzó un nuevo GaN PAM de 16 W para antenas 5G mMIMO para aumentar el alcance de las estaciones base y al mismo tiempo reducir el consumo de energía. Esta tendencia respalda el GaN en la infraestructura inalámbrica de próxima generación y, a medida que se implemente 5G en todo el mundo, aumentará el uso de componentes de RF basados en GaN. Este aumento de la demanda se debe a que GaN ofrece una alta densidad de potencia, eficiencia y ancho de banda en comparación con otros materiales, lo que es ideal para redes 5G.
- Acelerar la adopción de vehículos eléctricos (VE): los dispositivos de alimentación de GaN están reemplazando gradualmente al silicio en transmisiones, cargadores e inversores eléctricos porque el GaN ofrece una velocidad de conmutación más rápida y una mayor eficiencia. En diciembre de 2024, ROHM y TSMC formaron una asociación para fabricar conjuntamente dispositivos GaN para vehículos eléctricos utilizando la tecnología GaN-on-Si de TSMC. Con la creciente adopción global de vehículos eléctricos, los fabricantes de automóviles y los proveedores de primer nivel están cambiando a GaN para mejorar la longevidad y la eficiencia de la batería. GaN ofrece tiempos de carga más cortos, menos disipación de energía y convertidores de energía más pequeños y livianos que son vitales para mejorar la potencia y la densidad de energía de los vehículos eléctricos. Se espera que el aumento del uso de GaN en la industria de los vehículos eléctricos sea uno de los principales factores que impulsen el crecimiento del mercado del nitruro de galio.
- Aumentar el uso de inteligencia artificial y Centros de datos: El crecimiento de la IA ha generado un alto consumo de energía en los centros de datos a hiperescala, lo que ha impulsado la demanda de fuentes de alimentación basadas en GaN. En noviembre de 2024, Navitas Semiconductor lanzó la primera fuente de alimentación de 8,5 kW basada en GaN y SiC que alcanzó una eficiencia del 98 %. Por lo tanto, a medida que las cargas de trabajo de IA continúan creciendo, la capacidad de GaN para implementar soluciones de energía pequeñas y de alta conductividad térmica lo convierte en un material valioso en aplicaciones de HPC. Las PSU basadas en GaN proporcionan una mayor densidad de potencia y eficiencia en comparación con las PSU basadas en silicio, lo que genera ahorro de energía y menores costos operativos. La eficiencia energética en los centros de datos, así como el creciente interés en la IA y el aprendizaje automático de los centros de datos, están impulsando el uso de GaN en los centros de datos.
Desafíos
- Escalabilidad de la fabricación y limitaciones de rendimiento: la producción de nitruro de galio (GaN) a nivel comercial sigue siendo un desafío a pesar de las mejoras tecnológicas. El cultivo de cristales de GaN es un desafío y, a menudo, presenta defectos debido a problemas de compatibilidad del sustrato, lo que reduce el rendimiento. Esto provoca un cuello de botella en la cadena de suministro, lo que puede ralentizar la adopción de GaN y aumentar los costes debido a una producción menos eficiente.
- Refuerzo regulatorio y de radiación para el sector aeroespacial: Uno de los desafíos clave en el mercado de GaN que probablemente desacelere el crecimiento de la adopción de GaN son los estrictos estándares legislativos y el requisito de endurecimiento de la radiación en aplicaciones aeroespaciales y satelitales. Estas industrias requieren piezas que sean capaces de funcionar en condiciones espaciales como la radiación. El requisito de producir dispositivos GaN que puedan cumplir estos estándares y al mismo tiempo mantener el rendimiento y la fiabilidad aumenta el coste y la dificultad de fabricación, lo que ralentiza la entrada y el crecimiento de nuevos actores en el mercado del nitruro de galio (GaN).
Mercado de nitruro de galio: información clave
Año base |
2024 |
Año de pronóstico |
2025-2037 |
CAGR |
29,7% |
Tamaño del mercado del año base (2024) |
mil millones de dólares |
Tamaño del mercado del año previsto (2037) |
29,5 mil millones de dólares |
Alcance Regional |
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Segmentación del nitruro de galio
Tipo de producto (opto-semiconductores, semiconductores de RF, semiconductores de potencia)
Se prevé que el segmento de optosemiconductores tenga más del 39,9 % de cuota de mercado de nitruro de galio para 2037, debido a la creciente adopción de la transmisión óptica de datos, LiDAR y LED. Debido a su alta eficiencia en la emisión de luz azul y ultravioleta, GaN es un material importante en aplicaciones de energía y alto brillo, como los sistemas ópticos. En diciembre de 2024, STMicroelectronics presentó dos nuevos dispositivos puente de GaN de la serie MasterGaN para aplicaciones ópticas y de iluminación. El crecimiento de este segmento se acelera aún más gracias a la integración en faros, pantallas y láseres industriales para automóviles. Los optosemiconductores basados en GaN también benefician a las aplicaciones médicas, incluidos los instrumentos quirúrgicos y de diagnóstico, y ayudan a mejorar la eficiencia y el rendimiento de productos de consumo como smartphones y televisores.
Dispositivo (semiconductor discreto, semiconductor integrado)
Es probable que el segmento de semiconductores discretos de GaN capture una participación de mercado de nitruro de galio de más del 62,2 % para 2037, lo que se atribuye a su adaptabilidad en vehículos eléctricos, telecomunicaciones y unidades de suministro de energía. Estos transistores y FET de GaN discretos se caracterizan por capacidades de conmutación de alta velocidad y miniaturización, perfectos para sistemas modulares. En junio de 2024, Transphorm Inc. presentó una fuente de alimentación SuperGaN de 300 W diseñada específicamente para aplicaciones industriales y de movilidad eléctrica. Se espera que este segmento crezca aún más debido a una mayor flexibilidad de diseño y facilidad de gestión térmica en sistemas de alto voltaje. Además, los avances actuales y futuros en la investigación y el desarrollo de dispositivos discretos de GaN tienen como objetivo mejorar su rendimiento y reducir los costes, lo que facilitará su uso en múltiples industrias.
Nuestro análisis en profundidad del mercado mundial de nitruro de galio incluye los siguientes segmentos:
Tipo de producto |
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Dispositivo |
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Rango de voltaje |
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Aplicación |
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Personalizar este informeIndustria del nitruro de galio: sinopsis regional
Estadísticas del mercado de Asia Pacífico sin incluir Japón
Se espera queAPEJ en el mercado del nitruro de galio capte más del 51% de los ingresos en 2037, liderado por China, Corea del Sur, India y Taiwán. Una variedad de aplicaciones, como el desarrollo de infraestructura 5G, vehículos eléctricos e inversores solares, están impulsando la demanda de GaN en esta región. En diciembre de 2024, ROHM y TSMC acordaron desarrollar conjuntamente dispositivos GaN para vehículos eléctricos con GaN-on-Si, reforzando el dominio manufacturero de Asia. A través de ambiciosas políticas de transición energética y políticas de semiconductores orientadas a la exportación, APEJ se está convirtiendo en el ancla del crecimiento del GaN.
China El mercado de nitruro de galio está creciendo rápidamente debido a los crecientes planes de adopción de vehículos eléctricos y a las iniciativas nacionales de autosuficiencia de chips. En septiembre de 2024, la AIE destacó que la generación de electricidad renovable de China aumentaría bajo su 14º Plan Quinquenal, impulsando la demanda de GaN en dispositivos de energía. Los fabricantes nacionales están obteniendo más productos de GaN y realizando más investigación y desarrollo sobre materiales de GaN para disminuir la dependencia de las importaciones. El enfoque de China en el GaN también beneficia a los radares militares, los satélites de comunicaciones y la electrónica de consumo, lo que convierte al GaN en un componente crucial para la política de la cadena de suministro del GaN.
El mercado de nitruro de galio en India está en alza, debido a la iniciativa gubernamental "Make in India". plan de semiconductores y el uso cada vez mayor de la electrónica de potencia en aplicaciones solares, de defensa y de movilidad. En agosto de 2024, la Misión de Semiconductores de la India destacó que se había triplicado la financiación para la investigación de GaN en los principales institutos técnicos del país. Los actores nacionales utilizan cada vez más GaN en aplicaciones de telecomunicaciones y satélites; por otro lado, están surgiendo acuerdos con actores internacionales para establecer instalaciones de embalaje y pruebas en la región.
Análisis del mercado de América del Norte
Se prevé que el mercado de nitruro de galio de América del Norte crezca a una tasa compuesta anual de más del 29,7 % hasta 2037, impulsado por el gasto en defensa, la fabricación de semiconductores y las energías renovables. La alta concentración de industrias aeroespaciales y de comunicaciones en la región ha proporcionado un entorno favorable para el uso de GaN. En octubre de 2024, Texas Instruments inauguró su segunda planta de fabricación de GaN en Aizu, Japón, además de su planta con sede en Dallas, mejorando así la resiliencia del suministro de América del Norte a través del comercio bidireccional de semiconductores. Esta expansión satisface la demanda en Estados Unidos de sistemas de energía renovable y electrónica de potencia avanzada.
El mercado de nitruro de galio (GaN) de EE. UU. depende en gran medida de la financiación federal y de las asociaciones de investigación entre el sector público y privado. En diciembre de 2024, GlobalFoundries obtuvo una financiación gubernamental de 9,5 millones de dólares para mejorar la fabricación de chips de GaN sobre silicio en sus instalaciones de Vermont. La medida también ampliará las capacidades nacionales de GaN para aplicaciones de sistemas aeroespaciales, 5G y RF. Junto con la Ley CHIPS y las iniciativas financiadas por el Departamento de Defensa, esta financiación es una señal de un esfuerzo concertado para crear más cadenas de suministro de semiconductores nacionales y reducir la dependencia de fuentes extranjeras de materiales clave.
Canadá está ampliando su cadena de valor de semiconductores, centrándose en aplicaciones de componentes de RF y energía limpia donde el GaN es más pertinente. Cambridge GaN Devices recibió 32 millones de dólares en la Serie C en febrero de 2025, con planes de operar en Canadá, el Reino Unido y Asia. La inversión ayudará a aumentar la producción de dispositivos compatibles con GaN en los sectores automotriz e industrial. A medida que Canadá se sincroniza cada vez más con los objetivos de seguridad de los chips y tecnología ecológica de Estados Unidos, su participación en el crecimiento del GaN en América del Norte también aumenta.

Empresas que dominan el panorama del nitruro de galio
- Corporación de conversión de energía eficiente
- Descripción general de la empresa
- Estrategia empresarial
- Ofertas de productos clave
- Rendimiento financiero
- Indicadores clave de rendimiento
- Análisis de riesgos
- Desarrollo reciente
- Presencia regional
- Análisis FODA
- Infineon Technologies AG
- MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
- Corporación Eléctrica Mitsubishi
- Sistemas de energía NexGen
- Corporación Nichia
- NXP Semiconductors N.V.
- Qorvo, Inc.
- Renesas Electronics Corporation
- ROHM Co., Ltd.
- STMicroelectronics N.V.
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Texas Instruments Incorporated
El mercado mundial de nitruro de galio es altamente competitivo y presenta colaboraciones estratégicas en la investigación y el desarrollo de dispositivos y soluciones de GaN. Algunos de los actores clave en el mercado incluyen Infineon Technologies AG, MACOM, Efficient Power Conversion Corporation (EPC), ROHM, Texas Instruments, Mitsubishi Electric, STMicroelectronics, NexGen Power Systems, Qorvo, Renesas Electronics, NXP Semiconductors y Sumitomo Electric Industries. Estas empresas están ampliando sus carteras de GaN mediante la integración vertical, nuevas tecnologías de obleas y la diversificación geográfica para captar la demanda en energía, RF y aplicaciones optoelectrónicas.
Uno de los avances notables en el mercado del nitruro de galio (GaN) se produjo en septiembre de 2024, cuando Infineon Technologies lanzó la producción de la primera oblea de GaN de 300 mm, que proporciona un rendimiento de chip 2,3 veces mayor en comparación con las obleas de 200 mm. Este avance hace posible producir semiconductores de GaN para fabricación en gran volumen, reduciendo costos y aumentando la eficiencia. Además, subraya que las empresas se centran en la expansión de GaN en aplicaciones de automoción, nube y energías renovables.
A continuación se muestran algunas empresas líderes en el mercado del nitruro de galio:
In the News
- En marzo del 2025, Frontgrade Technologies probó con éxito su convertidor CC-CC de nitruro de galio (GaN) y su filtro de interferencia electromagnética (EMI) para cumplir con los requisitos MIL-PRF-38534 Clase L. Estos convertidores aislados de una sola etapa aprovechan la tecnología avanzada GaN FET para brindar a los diseñadores de naves espaciales soluciones eficientes de conversión de energía, que ofrecen una eficiencia del 93 %. Los dispositivos están diseñados para responder rápidamente a las demandas dinámicas de energía y proporcionar múltiples salidas de voltaje para una máxima flexibilidad.
- En febrero del 2025, Texas Instruments presentó el primer controlador de puerta de transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 200 V de grado espacial del sector. Diseñado para mejorar la eficiencia del sistema energético de los satélites, el nuevo controlador de puerta controla con precisión los FET de GaN con tiempos de subida y bajada rápidos, lo que permite suministros de energía satelitales más pequeños y eficientes.
- En febrero del 2025, Qorvo, Inc. y DigiKey, un importante distribuidor comercial mundial con la mayor variedad de componentes técnicos y artículos de automatización en stock para un envío rápido, anunciaron un acuerdo de distribución global. Esta asociación aumentará la capacidad de las soluciones de alto rendimiento de Qorvo. visibilidad, accesibilidad y velocidad de entrega a clientes de todo el mundo.
Créditos del autor: Rajrani Baghel
- Report ID: 7542
- Published Date: May 02, 2025
- Report Format: PDF, PPT