Perspectivas del mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN):
El mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) alcanzó un valor de 3100 millones de dólares en 2025 y se prevé que alcance los 17 700 millones de dólares a finales de 2035, con una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 19,1 % durante el período de previsión, es decir, de 2026 a 2035. En 2026, se estima que el tamaño de la industria de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) será de 3600 millones de dólares.
El mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio se beneficia de la inversión sostenida en electrificación, modernización de la infraestructura eléctrica, integración de energías renovables y sistemas informáticos avanzados. La demanda se ve reforzada por el creciente despliegue de vehículos eléctricos, redes de carga, equipos de automatización industrial y sistemas de conversión de energía de alta eficiencia. Según la Agencia Internacional de Energía (AIE) de mayo de 2024, las ventas mundiales de automóviles eléctricos superaron los 17 millones de unidades en 2024, lo que representa un aumento significativo en la base instalada de electrónica de potencia de alto rendimiento en aplicaciones de transporte y carga. Paralelamente, las empresas de servicios públicos y los operadores de red están ampliando sus inversiones en transmisión, distribución y recursos energéticos distribuidos para satisfacer la creciente demanda de electricidad y la generación de energías renovables.
El mercado también se ve impulsado por el crecimiento acelerado de las instalaciones de energía renovable y la expansión de la infraestructura digital. El Foro Económico Mundial informó en abril de 2025 que la capacidad global de energía renovable alcanzó aproximadamente 585 GW en 2024, lo que refleja la continua inversión en proyectos solares, eólicos y de almacenamiento de energía que requieren equipos de conversión de energía eficientes. Al mismo tiempo, la AIE proyecta que el consumo mundial de electricidad proveniente de centros de datos, cargas de trabajo de inteligencia artificial y servicios digitales aumentará sustancialmente hasta finales de la década, incrementando la demanda de sistemas avanzados de gestión de energía. A medida que las inversiones del sector público continúan apoyando los programas de electrificación y digitalización, el mercado de dispositivos de potencia de GaN está bien posicionado para beneficiarse de un gasto de capital sostenido en múltiples industrias de uso final.
Clave Dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) Resumen de Perspectivas del Mercado:
Aspectos destacados regionales:
- Se prevé que la región Asia-Pacífico acapare el 42,3 % de los ingresos del mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) para 2035, impulsada por la producción masiva de electrónica de consumo, la fabricación de vehículos eléctricos y el despliegue de infraestructura de telecomunicaciones.
- Se espera que Norteamérica experimente una rápida expansión entre 2026 y 2035, impulsada por la fuerte demanda de la electrificación automotriz, la infraestructura de centros de datos y las aplicaciones de defensa.
Análisis del segmento:
- Se prevé que el segmento de transistores acapare el 44,5 % del mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) para 2035, gracias a su velocidad de conmutación superior y su baja resistencia de encendido para aplicaciones de conversión de potencia de alta frecuencia.
- Se espera que el sector automotriz lidere el segmento de aplicaciones en el mercado hasta 2035, impulsado por la creciente transición global hacia vehículos eléctricos e híbridos.
Principales tendencias de crecimiento:
- Expansión de la fabricación de vehículos eléctricos
- Modernización de la red eléctrica y mejoras en la infraestructura energética
Principales desafíos:
- Altos costos de crecimiento epitaxial
- Obstáculos de confiabilidad y calificación
Principales actores:Cyient Semiconductors Private Limited (India), onsemi (EE. UU.), Imec (Bélgica), Infineon Technologies (Alemania), Texas Instruments (EE. UU.), Navitas Semiconductor (EE. UU.).
Global Dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) Mercado Pronóstico y perspectiva regional:
Tamaño del mercado y proyecciones de crecimiento:
- Tamaño del mercado en 2025: USD 3.100 millones
- Tamaño del mercado en 2026: USD 3.600 millones
- Tamaño del mercado proyectado: USD 17.700 millones para 2035
- Previsiones de crecimiento: 19,1 % de CAGR (2026-2035)
Dinámicas regionales clave:
- Región más grande: Asia Pacífico (42,3 % de cuota de mercado para 2035)
- Región de mayor crecimiento: América del Norte
- Países dominantes: Estados Unidos, China, Japón, Corea del Sur, Alemania
- Países emergentes: India, Canadá, Vietnam, Singapur, Emiratos Árabes Unidos
Last updated on : 7 July, 2026
Mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN): factores de crecimiento y desafíos
Factores de crecimiento
- Expansión de la fabricación de vehículos eléctricos: Los programas gubernamentales de adopción de vehículos eléctricos están incrementando significativamente la demanda de electrónica de potencia avanzada. Se están evaluando dispositivos de potencia de GaN para cargadores integrados, convertidores CC-CC y sistemas de carga rápida, dado que los gobiernos priorizan una mayor eficiencia de carga y la reducción de las pérdidas de energía. Según datos de Earth Justice de febrero de 2026, se destinaron más de 5 mil millones de dólares a través del Programa Nacional de Infraestructura para Vehículos Eléctricos (NIIF) para construir una red de carga a nivel nacional. Estas inversiones están aumentando los requisitos de adquisición de semiconductores de potencia de alto rendimiento en toda la infraestructura de carga y los ecosistemas de sistemas de propulsión de vehículos. En consecuencia, los fabricantes de electrónica automotriz están ampliando sus alianzas con empresas de semiconductores capaces de soportar diseños de mayor densidad de potencia.
- Modernización de la red eléctrica y mejoras en la infraestructura energética: Los gobiernos están incrementando el gasto en proyectos de transmisión, distribución y resiliencia de la red para respaldar los objetivos de electrificación y seguridad energética. Estas inversiones generan demanda de tecnologías avanzadas de conversión de energía utilizadas en subestaciones, equipos de redes inteligentes, sistemas de almacenamiento de energía y soluciones de gestión de la calidad de la energía. El Departamento de Energía de EE. UU. anunció en 2026 una inversión de más de 3460 millones de dólares en el marco del programa GRIP (Grid Resilience and Innovation Partnerships) para fortalecer la infraestructura eléctrica. A medida que los operadores de la red persiguen sus objetivos de modernización, aumenta la demanda de componentes semiconductores que permiten una gestión energética más eficiente en redes eléctricas distribuidas y a gran escala.
Desafíos
- Los elevados costes de crecimiento epitaxial, debido a los equipos especializados de MOCVD y a los precursores ultrapuros, hacen que la producción de obleas de GaN sea significativamente más costosa que la de silicio. Las empresas emergentes de menor tamaño se enfrentan a elevados gastos de capital y a economías de escala limitadas. Las alianzas con fundiciones suelen exigir compromisos de volumen mínimo, lo que supone una barrera financiera para las startups. Empresas como X-FAB han invertido fuertemente en líneas de fabricación de GaN dedicadas para superar este desafío.
- Obstáculos de fiabilidad y cualificación: La cualificación AEC-Q101 para el sector automotriz exige pruebas exhaustivas de vida útil durante miles de horas. La deriva dinámica de RDS(on) y la inestabilidad del voltaje umbral siguen siendo motivo de preocupación para los proveedores de primer nivel. Los fabricantes más pequeños carecen de recursos para campañas de fiabilidad exhaustivas, lo que retrasa su entrada en el mercado durante años. Empresas como Navitas han invertido considerablemente en generar horas de funcionamiento de dispositivos para obtener la certificación automotriz.
Tamaño y pronóstico del mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN):
| Atributo del informe | Detalles |
|---|---|
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Año base |
2025 |
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Año de previsión |
2026-2035 |
|
CAGR |
19,1% |
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Tamaño del mercado del año base (2025) |
3.100 millones de dólares |
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Tamaño del mercado previsto para el año 2035 |
17.700 millones de dólares |
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Alcance regional |
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Segmentación del mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN):
Análisis del segmento de tipo de dispositivo
En el segmento de tipos de dispositivos, los transistores dominan y se prevé que mantengan una cuota de mercado regional del 44,5 % para finales de 2035. Este segmento se ve impulsado por su velocidad de conmutación superior y su baja resistencia de encendido, lo que los hace ideales para aplicaciones de conversión de potencia de alta frecuencia. Los diodos, especialmente los diodos Schottky de GaN, se utilizan ampliamente en circuitos de corrección del factor de potencia (PFC) e inversores solares. Los rectificadores se utilizan en la conversión CA-CC para adaptadores de consumo. Según un estudio de IOP Science de febrero de 2026, los transistores basados en GaN demostraron una reducción del 32 % en las pérdidas de conmutación en comparación con los MOSFET de silicio en las pruebas de 2023. A medida que mejoran los rendimientos de fabricación, los transistores se ven impulsados por la demanda de la industria automotriz y de centros de datos, mientras que los diodos mantienen un crecimiento constante en las fuentes de alimentación industriales.
Análisis del segmento de aplicaciones
El segmento de aplicaciones del mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio se clasifica en automoción, industria, telecomunicaciones, electrónica de consumo y otros. Entre estos, la automoción emerge como el subsegmento líder, impulsado por la transición global hacia los vehículos eléctricos e híbridos. Los dispositivos de potencia de GaN permiten cargadores a bordo, convertidores CC-CC e inversores de tracción de alta eficiencia, ofreciendo una densidad de potencia superior y un funcionamiento a alta frecuencia en comparación con las soluciones de silicio tradicionales. Los fabricantes de automóviles adoptan cada vez más el GaN para reducir el peso del sistema, mejorar la gestión térmica y aumentar la autonomía de los vehículos. La creciente proliferación de arquitecturas de baterías de 400 V y 800 V acelera aún más la adopción del GaN, posicionando las aplicaciones automotrices como la principal fuente de ingresos dentro de este segmento.
Análisis del segmento de rango de voltaje
El subsegmento de alto voltaje, con una tensión nominal de 650 V o superior, lidera la categoría de rango de voltaje del mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio, impulsado por la electrificación del sector automotriz. El estudio de la NLM de diciembre de 2024 muestra que la implementación de un cargador a bordo (OBC) bidireccional de 6,6 kW para vehículos eléctricos utilizó interruptores discretos de GaN de 650 V y 25 μm, logrando una eficiencia del 96 % y una densidad de potencia de 2,2 kW/L, incluyendo refrigeración líquida. El OBC funciona con una red de CA de 90–264 Vrms a una batería de 200–450 V, integrando un front-end activo PFC tipo tótem con un convertidor CC-CC de doble puente activo, además de un convertidor auxiliar de 1 kW que utiliza interruptores de GaN de 100 V para sistemas de 12 V. Estos resultados confirman que el GaN de 650 V permite frecuencias de conmutación y densidad de potencia más altas que el silicio, lo que posiciona al GaN de alto voltaje como esencial para los vehículos eléctricos e híbridos de próxima generación.
Nuestro análisis exhaustivo de los dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) incluye los siguientes segmentos:
Segmento | Subsegmentos |
Tipo de dispositivo |
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Solicitud |
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Rango de voltaje |
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Usuario final |
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Componente |
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Vishnu Nair
Jefe de Desarrollo Comercial GlobalPersonalice este informe según sus necesidades: conéctese con nuestro consultor para obtener información y opciones personalizadas.
Mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN): análisis regional
Análisis del mercado de la región Asia-Pacífico
La región Asia-Pacífico domina el mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio y se prevé que alcance una cuota de ingresos regional del 42,3 % para finales de 2035. Esta región se ve impulsada por la producción masiva de electrónica de consumo, la fabricación de vehículos eléctricos y el despliegue de infraestructura de telecomunicaciones. China lidera la producción en volumen y el consumo interno, mientras que Japón y Corea del Sur aportan materiales avanzados y tecnologías de proceso. India, Malasia e Indonesia emergen como centros de ensamblaje y pruebas, beneficiándose de ventajas en costes e incentivos gubernamentales. La región alberga importantes fundiciones, proveedores de epitaxia y empresas de empaquetado, creando un ecosistema integrado verticalmente. El sólido respaldo gubernamental a través de subsidios y políticas industriales favorables acelera la fabricación nacional de GaN. Asia-Pacífico destaca por su fabricación de alto volumen y precios competitivos, atendiendo tanto la demanda regional como las exportaciones globales en los segmentos automotriz, de consumo e industrial.
El aumento de las inversiones en la fabricación de productos electrónicos, la movilidad eléctrica, el despliegue de energías renovables y la infraestructura digital está dando forma al mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio en la India . Las iniciativas gubernamentales que promueven la producción nacional de semiconductores y las tecnologías de bajo consumo energético están creando oportunidades para la adopción de dispositivos de potencia avanzados en aplicaciones industriales y de consumo. La rápida expansión del sector electrónico del país también impulsa la demanda. Según datos del PIB de octubre de 2025, la producción electrónica de la India alcanzó aproximadamente 11,3 billones de rupias, lo que refleja un fuerte crecimiento en las actividades de fabricación que requieren soluciones eficientes de gestión de energía. A medida que la India fortalece su ecosistema de semiconductores y expande la infraestructura de alto consumo energético, se espera que la necesidad de dispositivos de potencia basados en GaN aumente en múltiples industrias de alto crecimiento.
Las inversiones en manufactura avanzada, movilidad eléctrica, sistemas de energía renovable e infraestructura de comunicaciones de próxima generación impulsan el mercado de dispositivos de potencia de GaN en China . El sólido apoyo gubernamental a la autosuficiencia en semiconductores y la modernización industrial fomenta una mayor adopción de electrónica de potencia de alta eficiencia en sectores estratégicos. Un indicador clave de la demanda es el rápido crecimiento de la infraestructura de energía renovable. Según datos de la IEA 2025, el país añadió aproximadamente 357 GW de nueva capacidad de energía renovable, lo que representa una de las mayores expansiones anuales de energía renovable a nivel mundial. El creciente despliegue de proyectos solares, eólicos y de almacenamiento de energía requiere equipos avanzados de conversión de energía, lo que crea condiciones favorables para los proveedores de dispositivos de GaN que atienden aplicaciones energéticas, industriales y de transporte.
Análisis del mercado norteamericano
Se prevé que Norteamérica experimente un rápido crecimiento durante el periodo de evaluación, de 2026 a 2035. La región se ve impulsada por la fuerte demanda derivada de la electrificación del sector automotriz, la infraestructura de centros de datos y las aplicaciones de defensa. Estados Unidos lidera con importantes inversiones en I+D y un sólido ecosistema de semiconductores, mientras que Canadá complementa esta tendencia mediante iniciativas de energía limpia y el suministro de minerales críticos. Los principales fabricantes integrados de semiconductores (IDM) y diseñadores sin fábrica propia mantienen una presencia significativa en el diseño, las pruebas y la fabricación en toda la región. Los programas gubernamentales se centran en reducir la dependencia de las importaciones, fomentar la capacidad de fabricación nacional y acelerar la comercialización de la tecnología de banda ancha. El mercado se beneficia de la temprana adopción de arquitecturas de vehículos eléctricos de 800 V y fuentes de alimentación para servidores de alta eficiencia. Las colaboraciones estratégicas entre laboratorios nacionales, universidades y empresas del sector impulsan la innovación continua.
El aumento de las inversiones en electrónica de potencia avanzada para centros de datos, equipos industriales, sistemas de defensa y transporte electrificado está configurando el mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio en EE. UU. La demanda se ve respaldada por iniciativas federales destinadas a fortalecer la capacidad de fabricación de semiconductores y mejorar la eficiencia energética en infraestructuras críticas. Un indicador notable de la creciente demanda de electrónica de potencia es el crecimiento de las infraestructuras digitales de alto consumo eléctrico. Según datos de julio de 2024 de la Administración de Información Energética de EE. UU. (EIA), las ventas minoristas de electricidad en EE. UU. alcanzaron aproximadamente 3.861 mil millones de kWh en 2023, lo que refleja el aumento del consumo de energía en los sectores comercial e industrial. Esta tendencia está impulsando a los fabricantes de equipos originales (OEM) y a los integradores de sistemas a adoptar tecnologías de conversión de energía más eficientes, lo que genera oportunidades a largo plazo para los proveedores de dispositivos de GaN.
Las inversiones en energía limpia, electrificación, telecomunicaciones y manufactura avanzada aumentan la demanda de electrónica de potencia eficiente, lo que está dando forma al mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) en Canadá . Las iniciativas federales y provinciales que apoyan la modernización de la red eléctrica y las tecnologías bajas en carbono están fomentando la adopción de componentes semiconductores de última generación en aplicaciones industriales y energéticas. La creciente infraestructura eléctrica de Canadá impulsa aún más el crecimiento del mercado. Según datos del Gobierno de Canadá de abril de 2023, las fuentes no contaminantes representaron aproximadamente el 84 % de la generación de electricidad de Canadá, lo que destaca el fuerte enfoque del país en sistemas de energía limpia que dependen de tecnologías avanzadas de conversión de energía y gestión energética.
Análisis del mercado europeo
El mercado europeo de dispositivos de potencia de GaN está impulsado por la electrificación del sector automotriz, la integración de energías renovables y la automatización industrial. Alemania, Francia y el Reino Unido lideran la I+D y la cualificación para el sector automotriz, mientras que los países nórdicos se centran en inversores para energías renovables y aplicaciones para la red eléctrica. Europa alberga fabricantes de dispositivos integrados (IDM), institutos de investigación y fundiciones líderes, con un sólido respaldo gubernamental a través de la IPCEI sobre microelectrónica. La región prioriza la sostenibilidad, los principios de la economía circular y las normativas de eficiencia energética, acelerando la adopción de GaN en cargadores de vehículos eléctricos, convertidores eólicos y sistemas de tracción ferroviaria. Las colaboraciones público-privadas, como IMEC y Fraunhofer, impulsan la innovación en la epitaxia de GaN sobre silicio y las pruebas de fiabilidad. Europa mantiene un posicionamiento de alta calidad, priorizando la fiabilidad en los sectores automotriz e industrial sobre los segmentos de consumo de gran volumen.
El mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio en Alemania se beneficia del enfoque del país en la digitalización industrial, los proyectos de transición energética, la movilidad eléctrica y la innovación en semiconductores. La demanda crece en sistemas de automatización industrial, instalaciones de energías renovables, infraestructura de carga y equipos de fabricación avanzada, donde la gestión eficiente de la energía es cada vez más importante. Según datos de Enerdata de marzo de 2025, la generación bruta de electricidad a partir de fuentes de energía renovables alcanzó el 59,4 % de la generación total, lo que subraya la magnitud de la integración de las energías renovables en el sistema eléctrico nacional. A medida que las empresas de servicios públicos y los fabricantes buscan tecnologías de conversión de energía más eficientes, se espera que las oportunidades para los dispositivos basados en GaN se expandan en los sectores industrial y energético de Alemania.
El mercado de dispositivos de potencia de GaN en el Reino Unido está en auge gracias a las inversiones en energías limpias, transporte electrificado, infraestructura de telecomunicaciones y manufactura de alto valor, que incrementan la demanda de electrónica de potencia eficiente. Las iniciativas gubernamentales que apoyan la investigación en semiconductores, la seguridad energética y la innovación industrial están creando condiciones favorables para la adopción de dispositivos de potencia avanzados en aplicaciones comerciales e industriales. Un indicador notable de las crecientes necesidades de infraestructura es la expansión del ecosistema de vehículos eléctricos. Según datos del Gobierno del Reino Unido de julio de 2025, el país contaba con más de 82 000 puntos de recarga públicos para vehículos eléctricos, lo que refleja la continua inversión en infraestructura de recarga. Esta expansión está fortaleciendo la demanda de sistemas de conversión de potencia de alto rendimiento, lo que genera oportunidades para los fabricantes y proveedores de dispositivos de GaN.
Principales actores del mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN):
- Cyient Semiconductors Private Limited (India)
- onsemi ( EE. UU.)
- Imec (Bélgica)
- Infineon Technologies (Alemania)
- Texas Instruments (EE. UU.)
- Navitas Semiconductores (EE. UU.)
- Descripción general de la empresa
- Estrategia empresarial
- Principales productos ofrecidos
- Desempeño financiero
- Indicadores clave de rendimiento
- Análisis de riesgos
- Desarrollos recientes
- Presencia regional
- Análisis FODA
- Cyient Semiconductors apoya el mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) mediante servicios de diseño, ofreciendo propiedad intelectual (IP) de controladores y drivers compatibles con GaN. Su enfoque estratégico incluye diseños de referencia para adaptadores de potencia compactos y fuentes de alimentación industriales. Gracias a la colaboración con fundiciones, facilita la creación rápida de prototipos para desarrolladores de chips GaN sin fábrica propia que se incorporan a este mercado en constante evolución.
- onsemi es un fabricante integrado de dispositivos clave en el mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN), que ofrece transistores FET de GaN de alto voltaje para aplicaciones automotrices e industriales. Su estrategia se centra en expandir la capacidad de fabricación e integrar el GaN en módulos de potencia inteligentes. La compañía busca acuerdos de suministro a largo plazo para fortalecer su posición en los segmentos de vehículos eléctricos y energías renovables.
- IMEC es un instituto líder en I+D que impulsa la innovación en el mercado. Desarrolla módulos de proceso avanzados de GaN sobre silicio y estándares de confiabilidad mediante colaboraciones con la industria. Si bien no es fabricante, sus líneas piloto y kits de diseño aceleran la comercialización para las empresas de semiconductores globales que buscan soluciones de GaN de última generación.
- Infineon es líder del mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio, con una cartera de tecnología dual que abarca amplios rangos de voltaje. Su estrategia incluye la ampliación de la producción en múltiples fábricas y la integración de GaN con controladores y sensores. Este enfoque vertical se dirige a aplicaciones para los sectores automotriz, de servidores y de consumo que requieren alta eficiencia y compacidad.
- Texas Instruments compite en el mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) integrando transistores FET de GaN con controladores de puerta en soluciones de encapsulado único. Su estrategia se basa en la fabricación analógica de alto volumen y en un amplio ecosistema de herramientas de diseño. La compañía se centra en simplificar la adopción del GaN para sistemas de conversión de energía industriales, de comunicaciones y automotrices en todo el mundo.
Aquí hay una lista de los principales actores que operan en el mercado global de dispositivos de potencia de nitruro de galio:
El mercado de dispositivos de potencia de GaN es altamente competitivo y se caracteriza por la presencia de fabricantes integrados de dispositivos (IDM), diseñadores sin fábrica propia y fundiciones. Los principales actores buscan activamente la integración vertical, la expansión de la capacidad y la diferenciación tecnológica. Entre las iniciativas estratégicas se incluyen inversiones en I+D para el procesamiento de obleas de 8 y 12 pulgadas con el fin de reducir costos, así como alianzas con fabricantes de equipos originales (OEM) de la industria automotriz y de centros de datos para asegurar el suministro a largo plazo. Las fusiones y adquisiciones están transformando el panorama, mientras que las fundiciones asiáticas están ampliando su producción. Simultáneamente, las empresas están expandiendo sus carteras de productos para competir con el SiC en vehículos eléctricos y energías renovables.
Panorama corporativo del mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN):
Desarrollos Recientes
- En mayo de 2026, Cyient Semiconductors Private Limited anunció el lanzamiento de siete nuevos dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) para el mercado indio, desarrollados con la tecnología GaN líder en la industria de Navitas Semiconductor.
- En junio de 2026, onsemi anunció el lanzamiento de GaNEXUS™, una nueva gama de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) diseñada para ofrecer mayor eficiencia, mayor densidad de potencia y un mejor rendimiento térmico en centros de datos de IA, automatización industrial, robótica y aplicaciones de infraestructura energética.
- En octubre de 2025, Imec lanzó un programa de GaN de 300 mm para desarrollar dispositivos de potencia avanzados y reducir los costos de fabricación. La transición a obleas de 300 mm permite el desarrollo de dispositivos electrónicos de potencia más avanzados y una reducción de los costos de fabricación.
- Report ID: 8656
- Published Date: Jul 07, 2026
- Report Format: PDF, PPT
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