下一代記憶體市場 - 歷史資料（2019-2024）、2025 年全球趨勢、2037 年成長預測
2025 年下一代記憶體市場估計為 97 億美元。 2024 年，全球市場規模將超過 85.3 億美元，預計複合年增長率將超過 17.2%，到 2037 年收入將超過 671.4 億美元。由於下一代技術和基礎設施的早期採用，以及 IT 在推動該地區經濟成長的關鍵作用，預計到 2037 年，北美市場規模將接近 235 億美元。
對通用儲存裝置的需求不斷增長，這種類型的記憶體具有眾多優勢，這可歸因於市場的成長。 2023年至2028年期間，全球消費性電子儲存單元總量預計將成長690萬個。預計 2028 年銷售量將達到 26 億件。
此外，高科技設備需求的成長是推動該地區下一代記憶體市場成長的主要因素。該地區許多國家的網路使用量有所增加。因此，網路使用者對先進運算產品的需求不斷增加，這反過來又將導致下一代儲存設備的生產。亞洲和亞洲使用網路的人數根據國際電信聯盟 (ITU) 提供的統計數據，2005 年至 2019 年間，太平洋地區的用戶數量從 3.55 億增加到 19.01 億。
下一代記憶體產業：成長動力與挑戰
成長動力
- 越來越多地在嵌入式系統和物聯網裝置中使用下一代記憶體技術 - MRAM 和 ReRAM 等下一代記憶體具有高效能讀寫速度、低能耗且無波動性，非常適合在嵌入式系統和
下一代記憶體市場：主要見解
| 報告屬性 | 詳細資訊 |
|---|---|
|
基準年 |
2024年 |
|
預測年份 |
2025-2037 |
|
複合年增長率 |
17.2% |
|
基準年市場規模（2024 年） |
85.3億美元 |
|
預測年度市場規模（2037 年） |
671.4億美元 |
|
區域範圍 |
|
下一代記憶體分段
技術{非揮發性記憶體（MRAM、FRAM、ReRAM、3D XPoint、NRAM）、揮發性記憶體（混合記憶體立方體、高頻寬記憶體）}
在下一代記憶體市場中，到 2037 年底，非揮發性記憶體細分市場將佔據約 68% 的收入份額。對更好、更有效且成本更低的記憶體解決方案的需求不斷增加，可歸因於該細分市場的成長。現代儲存技術的出現也消除了傳統非揮發性記憶體在可擴展性、穩定性和其他參數方面的限制。由於產生的資料量龐大，資料的全球累積需要更有效率的大容量儲存解決方案。每天產生約 328.77 TB 的資料。今年將產生約 120 ZB 的數據。非揮發性記憶體的速度和效能可與 DRAM 或 SRAM 等快閃記憶體技術相媲美，並且具有更高的儲存密度，例如對於 ReRAM 和 STT RAM PCM。
儲存類型（海量、嵌入式）
到 2037 年，下一代記憶體市場的海量細分市場將佔據超過 52% 的收入份額。海量儲存通常用於資料中心、企業儲存系統、消費性電子產品和其他需要大容量、快速存取速度和可靠資料保留的應用。全球約有 8,000 個資料中心位置。全球約 20% 的資料中心容量都採用了人工智慧。
我們對全球市場的深入分析包含以下細分市場：
|
技術 |
|
|
儲存類型 |
|
|
尺寸 |
|
|
最終使用者 |
|
想根据您的需求定制此研究报告吗？我们的研究团队将涵盖您需要的信息，帮助您做出有效的商业决策。
定制此报告下一代記憶體產業 - 區域概要
北美市場預測
預計到 2037 年，北美地區將佔據超過 35% 的下一代記憶體市場份額。北美地區引領了下一代技術和基礎設施的早期採用。在美國，IT是經濟成長的重要推手。需要開發更有效的處理系統，以應對北美地區技術的快速發展和跨部門不斷增長的數據量。美國科技市場佔全球經濟總量的35%。 2023 年，美國科技業預計將成長 5.4%。美國擁有超過 585,000 家科技公司。
亞太地區市場統計
預計到 2037 年底，亞太地區將佔據約 28% 的下一代記憶體市場。由於該地區主要消費電子產品（尤其是智慧型手機、平板電腦和筆記型電腦）的採用，該地區預計將強勁增長。報告顯示，2021年，亞太地區手機使用率將達74%，預計未來十年將增加至84%。此外，預計同年將有 62% 的行動用戶參與其中。
主導下一代記憶體領域的公司
- 英特爾公司
- 公司概覽
- 商業策略
- 主要產品
- 財務表現
- 關鍵績效指標
- 風險分析
- 近期發展
- 區域業務
- SWOT 分析
- 霍尼韋爾國際公司
- 美光科技公司
- 三星電子有限公司
- SK 海力士公司
- Everspin Technologies, Inc.
- 南亞科技公司
- 金士頓科技公司
- 英飛凌科技股份公司
- Crossbar Inc.
In the News
- SK Hynix Inc. 成為業界首家開發出 12 層 HBM31 產品，記憶體容量為 24 GB 2，目前為業界最大。繼 2022 年 6 月全球首款 HBM3 量產後，該公司成功開發了 24 GB 封裝產品，記憶體容量比先前的產品增加了 50%。
- 三星宣布開始大量生產第八代垂直 NAND (V-NAND) 晶片，以擴大下一代伺服器系統的儲存空間。這些晶片具有業界最高的位元密度和儲存容量。它們預計將使組織能夠擴展下一代企業伺服器的儲存容量，同時將其用途擴展到汽車市場。
作者致谢: Abhishek Verma
- Report ID: 3724
- Published Date: May 08, 2025
- Report Format: PDF, PPT
