下一代記憶體市場展望：
2025 年，下一代記憶體市場規模超過 98.2 億美元，預計到 2035 年將超過 578.3 億美元，在預測期內（即 2026 年至 2035 年）的複合年增長率將超過 19.4%。預計 2026 年，下一代記憶體的產業規模將達到 115.3 億美元。
通用儲存設備需求的不斷增長，得益於此類儲存設備的諸多優勢，可歸因於市場的成長。預計2023年至2028年期間，全球消費性電子產品儲存單元總量將成長690萬個。預計到2028年，全球儲存單元總量將達到26億個。
此外，對高科技設備的需求成長是推動該地區下一代記憶體市場成長的主要因素。該地區許多國家的互聯網使用量都在增長。因此，網路使用者對先進運算產品的需求不斷增長，這反過來又會促進下一代記憶體設備的生產。根據國際電信聯盟 (ITU) 提供的統計數據，2005 年至 2019 年間，亞太地區的網路使用者數量已從 3.55 億增加到 19.01 億。
關鍵 下一代記憶體 市場洞察摘要:
區域亮點：
- 到 2035 年，北美下一代記憶體市場將佔據約 35% 的市場份額，這得益於下一代技術的早期採用和強大的 IT 基礎設施。
- 到 2035 年，亞太市場將佔據 28% 的市場份額，這得益於智慧型手機和平板電腦等消費性電子產品的使用日益增長。
細分市場洞察：
- 預計到 2035 年，下一代記憶體市場中的非揮發性記憶體份額將達到 68%，這歸因於對更優質、更有效率、更低成本記憶體解決方案的需求不斷增長。
- 預計到 2035 年，下一代記憶體市場中的海量記憶體份額將達到 52%，這得益於對高容量、快速存取速度和高可靠性儲存的需求。
關鍵成長趨勢：
- 下一代記憶體技術在嵌入式系統和物聯網設備的應用日益廣泛
- 人工智慧、大數據、機器學習和雲端運算的應用日益廣泛
主要挑戰：
- 過氧乙酸的高反應性所帶來的威脅
- 缺乏對過氧乙酸各種影響的認知
主要參與者：霍尼韋爾國際公司、美光科技公司、三星電子有限公司、SK海力士公司、Everspin Technologies公司、南亞科技公司、金士頓科技公司。
全球 下一代記憶體 市場 預測與區域展望:
市場規模與成長預測：
- 2025年市場規模： 98.2億美元
- 2026年市場規模： 115.3億美元
- 預計市場規模：到 2035 年將達到 578.3 億美元
- 成長預測：複合年增長率19.4%（2026-2035）
主要區域動態：
- 最大的地區：北美（到 2035 年佔 35%）
- 成長最快的地區：亞太地區
- 主要國家：美國、韓國、中國、日本、德國
- 新興國家：中國、印度、巴西、墨西哥、韓國
Last updated on : 9 September, 2025
下一代記憶體市場的成長動力與挑戰：
成長動力
- 嵌入式系統和物聯網設備中下一代記憶體技術的使用日益廣泛——MRAM 和 ReRAM 等下一代記憶體具有高效能讀寫速度、低能耗和無易失性等特點，非常適合用於嵌入式系統和物聯網 (IoT)設備，而這些設備正日益取代傳統記憶體。根據最新數據，已連接的物聯網設備數量估計約為 151.4 億台。到 2030 年，預計這一數字將增加一倍以上，達到 294.2 億台。此類記憶體可實現瞬時功能，提高能源效率，並增強智慧型裝置的資料儲存能力。
- 人工智慧、大數據、機器學習和雲端運算的應用日益廣泛——隨著大數據、人工智慧、機器學習、雲端運算等先進技術的日益普及，對高頻寬、低功耗和大容量可擴展記憶體的需求也日益增長。每天，大約有2.5兆位元的資料被創建。全球數據佔用戶產生的雲端運算最終用戶支出的70%，總計每年約5,000億美元。
- 對快速存取、低功耗儲存設備的需求不斷增長——隨著企業資料量的不斷增長以及雲端儲存解決方案的普及，高容量、快速儲存的記憶體越來越受歡迎。先進產品的性能不斷提升，推動了半導體產業的發展。為了滿足對高速、低功耗和更大規模儲存裝置的需求，各種新型非揮發性記憶體應運而生，包括RRAM、MRAM、FeRAM和NRAM。這些技術比傳統技術具有更高的規模、更高的密度、更快的速度和更強的耐用性。在收到命令請求後，大多數新興記憶體技術需要1到10奈秒才能使其輸出滿足指定的要求。
挑戰
- 下一代記憶體的製造成本持續上升——如今，高密度 DRAM 和 SRAM 的生產成本非常高昂，而製造高位密度下一代記憶體的成本也同樣高昂。與傳統的記憶體儲存技術相比，新一代記憶體技術通常涉及更為複雜的生產流程。這些工藝可能需要使用專業設備、材料和專業知識，這可能會導致成本上升。由於在開發和製造的初始階段存在缺陷、製程差異或材料挑戰等問題，下一代記憶體技術的生產良率可能會降低。因此，由於良率低，每個功能晶片的成本會更高。
- 儲存設備受到的熱衝擊程度越高，損壞的可能性就越大，從而阻礙市場成長。
- 由於缺乏標準化的生產流程，設計成本上升可能會阻礙市場的成長。
下一代記憶體市場規模與預測：
| 報告屬性 | 詳細資訊 |
|---|---|
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基準年 |
2025 |
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預測期 |
2026-2035 |
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複合年增長率 |
19.4% |
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基準年市場規模（2025年） |
98.2億美元 |
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預測年度市場規模（2035年） |
578.3億美元 |
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區域範圍 |
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下一代記憶體市場細分：
技術細分分析
在新一代記憶體市場中，到 2035 年底，非揮發性記憶體細分市場將佔據約 68% 的營收份額。對更好、更有效、更便宜的記憶體解決方案的需求不斷增長，這可以歸因於市場中該細分市場的成長。現代記憶體技術的出現也消除了傳統非揮發性記憶體設備在可擴展性、穩定性和其他參數方面的限制。全球數據的累積需要更有效率的大容量儲存解決方案，這是由於產生的數據量龐大。每天大約產生 328.77 TB 的資料。今年將產生約 120 ZB 的數據。非揮發性記憶體的速度和效能可與 DRAM 或 SRAM 等快閃記憶體技術相媲美，但儲存密度更高，例如 ReRAM 和 STT RAM PCM。
儲存類型細分分析
到2035年，下一代記憶體市場中的海量儲存部分預計將佔據超過52%的收入份額。海量儲存通常用於資料中心、企業儲存系統、消費性電子產品以及其他需要高容量、快速存取和可靠資料保存的應用。全球約有8000個資料中心。人工智慧正佔據全球資料中心容量的約20%。
我們對全球市場的深入分析包括以下幾個部分：
科技 |
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儲存類型 |
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尺寸 |
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終端用戶 |
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Vishnu Nair
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下一代記憶體市場區域分析：
北美市場洞察
預計到2035年，北美將佔據下一代記憶體市場份額的35%以上。北美地區引領了下一代技術和基礎設施的早期應用。在美國，IT是經濟成長的重要驅動力。為了因應北美地區技術的快速發展和各行業數據量的不斷增長，需要開發更有效率的處理系統。美國科技市場佔全球經濟總量的35%。預計到2023年，美國科技業將成長5.4%。美國擁有超過58.5萬家科技公司。
亞太市場洞察
預計到2035年底，亞太地區將佔據下一代記憶體市場約28%的份額。由於該地區消費電子產品的普及，尤其是智慧型手機、平板電腦和筆記型電腦的普及，預計該地區將實現強勁成長。一份報告顯示，2021年，亞太地區的手機使用率將達到74%，預計未來十年將增加至84%。此外，預計同年行動用戶將達到62%。
下一代記憶體市場參與者：
- 英特爾公司
- 公司概況
- 商業策略
- 主要產品
- 財務表現
- 關鍵績效指標
- 風險分析
- 近期發展
- 區域影響力
- SWOT分析
- 霍尼韋爾國際公司
- 美光科技有限公司
- 三星電子有限公司
- SK海力士公司
- Everspin 技術公司
- 南亞科技股份有限公司
- 金士頓科技公司
- 英飛凌科技股份公司
- Crossbar公司
最新動態
- SK海力士公司在業界率先開發出容量高達24GB的12層HBM31產品，目前是業界最大容量產品。繼2022年6月全球首款HBM3量產後，該公司成功開發出24GB封裝產品，與上一代產品相比，記憶體容量提升了50%。
- 三星宣布開始量產其第八代垂直 NAND (V-NAND) 晶片，以擴展下一代伺服器系統的儲存空間。這些晶片擁有業界最高的位元密度和儲存容量。預計它們將幫助企業擴展下一代企業伺服器的儲存容量，並將其應用擴展到汽車市場。
- Report ID: 3724
- Published Date: Sep 09, 2025
- Report Format: PDF, PPT
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