極紫外線（EUV）微影市場展望：
2025年，極紫外（EUV）光刻市場規模為242億美元，預計到2035年底將達到616億美元，在預測期內（即2026年至2035年）的複合年增長率約為9.8%。 2026年，極紫外光刻產業的規模估計為265億美元。
由於全球對先進半導體的需求旺盛，用於驅動人工智慧加速器、高效能運算和下一代行動設備，全球極紫外光刻（EUV）市場正經歷非凡的成長。全球各地的晶圓代工廠和整合裝置製造商都在不斷擴建其先進節點製造設施，使EUV技術成為3奈米以下和2奈米以下量產的必要基礎。根據半導體產業協會（SIA）2026年6月發布的一篇文章，2026年4月全球半導體銷售額飆升至1,105億美元，較上季成長11%，年成長高達93.9%。 SIA也預測，到2026年底，在人工智慧基礎設施和加速運算平台需求的強勁推動下，年銷售額將達到1.5兆美元。從區域來看，美洲和亞太地區的成長最為強勁，所有主要市場都展現出強勁的成長勢頭，從而凸顯了該行業向著預計 2027 年 1.9 兆美元的快速擴張。
此外，高數值孔徑極紫外線（EUV）微影系統的商業化部署正在加速EUV市場的成長，這些系統能夠實現電晶體尺寸的微縮，並省去了複雜的多重曝光製程。同時，全球強有力的政府補貼和國家安全措施正在推動半導體供應鏈的在地化，從而確保未來幾年對EUV硬體、先進反射式光掩模和專用化學光阻的持續投資。 2024年4月，英特爾宣佈在其位於俄勒岡州的Fab D1X工廠安裝並開始校準全球首台高數值孔徑EUV微影設備。該設備由ASML製造，這台165噸的TWINSCAN EXE:5000系統可提供前所未有的分辨率和特徵尺寸微縮能力，使英特爾晶圓代工能夠將摩爾定律的應用範圍擴展到Intel 18A之後。因此，這項技術有望推動人工智慧和新興應用的發展，從而對市場擴張產生積極影響。
關鍵 極紫外線（EUV）光刻 市場洞察摘要:
區域亮點：
- 亞太地區極紫外（EUV）微影市場預計到2035年將佔據62.1%的市場份額，這主要得益於半導體製造生態系統的發展以及消費者對先進電子設備日益增長的需求。
- 預計在預測期內，北美將鞏固其地位，這得益於聯邦政府對國內高科技供應鏈的大力支持。
細分市場洞察：
- 預計到2035年，雷射等離子體技術在極紫外線（EUV）光刻市場中的份額將達到85.5%，這主要得益於其卓越的功率效率、更高的吞吐量以及在先進半導體製造過程中日益廣泛的應用。
- 預計到2035年，光源產品類型細分市場將保持相當大的市場份額，這主要得益於高功率EUV光源技術的不斷進步、對下一代高數值孔徑EUV系統投資的增加，以及先進半導體製造中對更高晶圓吞吐量和更高精度圖案化的需求不斷增長。
主要成長趨勢：
- 人工智慧和加速器的擴散
- 智慧型手機和消費性電子產品的擴張
主要挑戰：
- 技術複雜性和產量優化
- 供應商基礎有限，供應鏈集中度高。
主要參與者： ASML（荷蘭）、卡爾蔡司SMT（德國）、通快（德國）、Cymer（美國）、應用資料（美國）、Lam Research（美國）、KLA公司（美國）、東京電子株式會社（日本）、日立高新科技公司（日本）、尼康公司（日本）、佳能公司（日本）、台灣半導體製造股份有限公司（台灣）、三星電子（韓國）、英特爾公司（美國）、SK海力士公司（韓國株式）、JSR株式會社（日本公司）、日本工業株式（日本）社公司（日本株式）（日本株式會社（日本社）社Electronics（美國）、SCREEN Semiconductor Solutions（日本）、IBM（美國）、杜邦公司（美國）、默克集團/EMD Electronics（德國）。
全球 極紫外線（EUV）光刻 市場 預測與區域展望:
市場規模及成長預測：
- 2025年市場規模： 242億美元
- 2026年市場規模： 265億美元
- 預計市場規模：到2035年將達616億美元
- 成長預測：年複合成長率 9.8%（2026-2035 年）
關鍵區域動態：
- 最大區域：亞太地區（到2035年佔62.1%）
- 成長最快的地區：北美
- 主要國家：美國、台灣、韓國、日本、中國
- 新興國家：荷蘭、德國、印度、新加坡、法國
Last updated on : 11 June, 2026
極紫外線（EUV）微影市場－成長驅動因素與挑戰
成長驅動因素
- 人工智慧和加速器的普及：超大規模資料中心是推動人工智慧加速器（例如GPU和TPU）需求成長的主要因素。這些晶片需要極高的電晶體密度才能處理大規模模型訓練和推理。在此背景下，EUV光刻技術能夠採用先進的製程節點，在單一晶片上整合數十億個電晶體，同時保持能源效率和效能。例如，NVIDIA於2023年8月發布了GH200 Grace Hopper超級晶片平台，專為超大規模資料中心中的加速運算和生成式人工智慧工作負載而設計，包括大型語言模型和推薦系統。該平台可提供高達8 petaflops的人工智慧效能和282GB的HBM3e內存，從而顯著提高內存頻寬和模型容量。因此，這反映了基於人工智慧的先進晶片設計對採用EUV光刻技術製造的尖端半導體節點的需求不斷增長，從而惠及整個極紫外光刻市場。
- 智慧型手機和消費性電子產品的擴張：全球對智慧型手機、平板電腦、穿戴式裝置和智慧家居設備的需求持續成長，這促使半導體製造商採用極紫外光微影技術。企業依靠先進的晶片在緊湊型消費性設備中實現更高的性能和更強大的AI功能，從而推動了極紫外線（EUV）光刻市場的擴張。根據世界經濟論壇2023年4月發布的一篇文章，行動電話的數量已經超過了人口數量，2022年全球行動電話用戶超過85.8億，而全球人口為79.5億。這項里程碑反映了行動電話市場的爆炸性成長，預計到2023年，將有54億人至少擁有一部手機，凸顯了行動技術的普及程度。這一趨勢支撐了對極紫外光刻解決方案的持續需求。
挑戰
- 技術複雜性和良率優化： EUV光刻技術包含一些先進且精密的工藝，這使得製程控制和良率優化極具挑戰性。此系統工作波長為13.5奈米，需要近乎完美的真空環境和超高精度的光學元件。即使是輕微的污染或振動也會對晶圓質量產生負面影響，降低良率。此外，EUV製程中使用的各種光阻材料仍在不斷發展，諸如線邊緣粗糙度和隨機缺陷等問題會影響生產效率。因此，EUV光刻市場的製造商需要不斷微調曝光參數、光學元件對準和製程集成，以保持穩定的輸出。由此可見，這種複雜性會增加生產時間並限制產量，進而使得EUV技術的應用依賴高技能的工程團隊和先進的製造基礎設施。
- 供應商基礎有限且供應鏈高度集中：極紫外光微影市場面臨高度集中的供應鏈所帶來的重大結構性挑戰。 ASML 是唯一一家 EUV 微影系統製造商，而其他關鍵組件，例如光學元件和雷射器，則由少數幾家專業公司供應，例如 Carl Zeiss SMT 和 TRUMPF。因此，這種高度依賴性造成了巨大的供應鏈風險，包括延遲、地緣政治限制和生產瓶頸。任何單一供應商的中斷都可能影響全球半導體生產。此外，缺乏替代供應商降低了買方的議價能力，並限制了生產規模的彈性。這種高度集中的生態系統使該行業極易受到地緣政治衝突和出口管制法規的影響，從而對 EUV 光刻市場的成長產生負面影響。
極紫外線（EUV）微影市場規模及預測：
| 報告屬性 | 詳細資訊 |
|---|---|
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基準年 |
2025 |
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預測年份 |
2026-2035 |
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複合年增長率 |
9.8% |
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基準年市場規模（2025 年） |
242億美元 |
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預測年份市場規模（2035 年） |
616億美元 |
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區域範圍 |
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極紫外線（EUV）微影市場細分：
光源技術細分市場分析
基於光源技術，預計在預測期內，雷射等離子光刻技術將在極紫外線（EUV）光刻市場佔據85.5%的最高份額。該技術的領先地位主要得益於其卓越的功率效率、更高的吞吐量以及在先進半導體製造流程的廣泛應用。此外，它還能夠生產更小、更複雜、性能和能源效率更高的積體電路。例如，2024年6月，ASML和imec在荷蘭費爾德霍芬聯合啟用了高數值孔徑（High NA）EUV光刻實驗室，這是下一代晶片製造領域的一個重要里程碑。該實驗室配備了首台高數值孔徑EUV掃描儀原型機（TWINSCAN EXE:5000）及配套工具，使晶片製造商和供應商能夠在量產前降低風險並開發應用案例。
產品類型細分市場分析
預計到2035年底，此類產品類型的光源將在極紫外光刻市場佔據相當大的份額。此細分市場的成長歸功於高功率EUV光源技術的不斷進步、對下一代高數值孔徑（High-NA）EUV系統投資的不斷增加，以及先進半導體製造對更高晶圓吞吐量和更高精度圖案化的需求日益增長。此外，產業領導者正不斷努力提升光源功率、系統生產率和製造效率，預計將持續推動EUV光源組件的需求。 2025年10月，ASML授予TRUMPF技術類供應商大獎，以表彰其在新型高能量EUV雷射器方面的突破性研發。這項創新重達20多噸、包含超過45萬個零件，為下一代光刻系統的效率、可靠性和永續性樹立了新的標竿。
最終用戶細分分析
由於對先進節點半導體製造的需求不斷增長、EUV光刻技術在5nm以下製程技術中的應用以及晶圓代工產能擴張投資的增加，晶圓代工領域預計將在預測期內佔據極紫外線（EUV）光刻市場可觀的份額。同時，對高效能運算、人工智慧、5G和下一代消費性電子產品的需求也推動了該領域的持續成長。 2024年6月，三星在聖荷西舉行的2024年三星晶圓代工論壇上展示了其人工智慧時代的願景，推出了全新的2nm（SF2Z）和4nm（SF4U）製程節點以及三星人工智慧解決方案交鑰匙平台。憑藉背面供電和全包圍閘極等創新技術，該公司正在強化其邁向1.4nm及更高精度製程的路線圖，從而展現出更廣泛的業務範圍。
我們對極紫外光微影市場的深入分析涵蓋以下幾個面向：
部分 | 子段 |
光源技術 |
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產品類型 |
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技術節點 |
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Vishnu Nair
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極紫外線（EUV）微影市場－區域分析
亞太市場洞察
預計亞太地區極紫外（EUV）光刻市場在預測期內將佔據最大的市場份額，達到62.1%。該地區在該領域的領先地位主要得益於其半導體製造生態系統以及消費者對先進電子設備日益增長的需求。台灣、韓國和中國等國家和地區的主要晶片代工廠的大量投資推動了這些高精度系統在該地區的應用。 2024年7月，沖繩科學技術大學的教授推出了一項突破性的EUV光刻設計，該設計僅使用四個反射鏡，可顯著降低半導體製造的能耗和資本成本。同時，它也透過一種新型的雙鏡光學投影系統和一種將EUV光導向光掩模的新方法，解決了長期存在的難題；該技術實現了卓越的光學性能。
中國大力推動半導體自主研發和技術獨立是推動極紫外光刻市場發展的兩大主要因素。中國的戰略措施、國內企業和科研機構正投入大量資源，致力於研發和國產化先進的光刻元件、光源和反射鏡。根據AEI機構2026年4月發表的一篇文章指出，中國已擁有大量老一代深紫外光刻機，這些設備仍可用於生產近乎前沿的邏輯晶片，尤其是在採用多重曝光技術的情況下。該文章還指出，儘管存在出口管制，但這種能力已使中芯國際和華為等公司能夠生產7奈米級晶片，並有可能擴大先進人工智慧加速器的生產規模。
由於旨在吸引全球晶片製造商並建造本土晶圓廠的半導體扶持政策和財政激勵措施，印度極紫外光刻市場預計將在未來十年實現強勁成長。印度持續推動國際技術合作，大力投資技能型人才培訓，並建立專門的半導體產業群，為將極紫外光刻技術融入電子供應鏈奠定了必要的基礎。根據2026年6月公佈的官方數據，ASML與塔塔電子簽署的諒解備忘錄體現了印度不斷發展的半導體生態系統，其中光刻技術在多萊拉晶圓廠計畫中發揮核心作用。此外，印度高度重視用於28奈米和14奈米製程節點的深紫外光刻設備，並正在建立商業化的基礎架構，以符合出口管制規範，預示著印度市場前景樂觀。
北美市場洞察
在既定時段內，北美極紫外光刻（EUV）市場在全球市場格局中佔據了舉足輕重的地位。該地區的領先地位主要得益於聯邦政府對國內高科技供應鏈的大力支持。大多數產業參與者利用EUV系統設計和製造邏輯晶片和儲存晶片，以滿足超大規模資料中心、雲端基礎設施和自動駕駛汽車等日益增長的運算需求。例如，2026年4月，州長宣佈在紐約州創新署（NY Creates）的奧爾巴尼納米科技園區安裝東京電子的CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro DICE™系統，這是即將建成的高數值孔徑EUV光刻中心的首個主要工具。這一里程碑事件鞏固了紐約州在半導體研發領域的領先地位，而由IBM、美光、應用材料等公司參與的價值100億美元的公私合作項目，將推動下一代處理器、記憶體和人工智慧技術的突破性發展。
美國大力加強對國內半導體製造能力和技術領先地位的保障，是推動極紫外光刻市場快速成長的主要因素。美國擁有強大的技術生態系統，其中包括世界領先的電子設計自動化公司、專業元件供應商和先進材料研究機構。 2026年6月，美國商務部最終批准向xLight公司授予總額1.5億美元的《晶片技術創新法案》（CHIPS Act）撥款，用於開發首個用於極紫外光刻的革命性自由電子雷射原型。原型已安裝在奧爾巴尼奈米技術中心，旨在克服當前光刻系統在功率和效率方面的瓶頸，提高成品率和可持續性，從而滿足市場爆炸式增長的需求。
加拿大極紫外光刻市場尚處於起步階段，但得益於完善的研發體系、先進的材料科學以及專用子系統和光學元件的供應，市場正蓬勃發展。加拿大國內的大學、國家級科研機構和光子學集群與全球科技公司緊密合作，在雷射技術、光阻材料和等離子體物理等領域進行創新，這些領域對極紫外線系統至關重要。例如，2025年7月，Xanadu公司與三菱化學達成策略合作，共同開發能夠模擬極紫外光刻中複雜量子過程的量子演算法。極紫外光刻是先進半導體製造的關鍵技術。此次合作結合了Xanadu在光子量子計算方面的專長和三菱在極紫外光阻材料方面的深厚知識，旨在解決俄歇衰變和二次電子效應等挑戰。
歐洲市場洞察
預計未來十年，歐洲極紫外光刻市場將迎來顯著成長。該地區市場的成長得益於其領先的科技公司和研究機構在高精度光學、雷射技術和先進真空系統方面無與倫比的專業知識。策略性的區域半導體計畫和跨境研究聯盟積極建構了一個致力於突破亞奈米晶片架構極限的生態系統。此外，該地區成熟的汽車電子、工業自動化和高效能運算產業也為該領域的先驅者提供了令人振奮的機會。歐洲企業不斷在極紫外光源、反射鏡和計量設備方面進行創新，鞏固了其作為全球光刻供應鏈不可或缺的支柱的地位。
德國作為EUV光刻機所需專用光學元件、雷射系統和高精度組件的頂級中心，其核心地位正加速德國EUV微影市場的成長。此外，德國世界領先的光子學、工業工程和材料科學領域也為市場發展提供了強勁動力，國內主要製造商和研究機構與全球光刻技術領導者緊密合作。 2024年1月，蔡司與ASML合作宣布，高數值孔徑EUV微影技術標誌著微晶片生產領域的革命性飛躍。該技術採用全球最精密的光學系統，電晶體密度是現有EUV方法的3倍。它由超過4萬個超精密組件構成，能夠實現奈米級結構，為速度更快、能效更高的晶片鋪平道路，這些晶片將為人工智慧、自動駕駛和智慧城市等應用提供動力。
在英國，極紫外光刻市場正展現出令人矚目的成長機遇，這得益於其在先進半導體研究、精密工程和高端光學開發領域的強大實力。英國透過在先進材料科學、奈米製造研究和光子學等領域的專業能力，以及與全球半導體設備公司密切合作的頂尖大學和創新中心，積極推動該領域的發展。根據英國政府2023年5月公佈的數據，其國家半導體策略概述了一項長期計劃，旨在透過投資高達12.5億美元用於研發、設計和先進晶片創新，鞏固英國的半導體生態系統。另一方面，該計劃主要著重於提升英國在半導體設計和化合物材料方面的國內實力，從而改善基礎設施、原型製作設施和研發能力。
主要極紫外線（EUV）微影市場參與者：
- ASML（荷蘭）
- 卡爾蔡司SMT（德國）
- 川普（德國）
- Cymer（美國）
- 應用材料（美國）
- Lam Research（美國）
- KLA公司（美國）
- 東京電子有限公司（日本）
- 日立高新科技公司（日本）
- 尼康株式會社（日本）
- 佳能株式會社（日本）
- 台灣積體電路製造股份有限公司（台灣）
- 三星電子（韓國）
- 英特爾公司（美國）
- SK海力士公司（韓國）
- JSR株式會社（日本）
- 信越化學株式會社（日本）
- 富士軟片控股株式會社（日本）
- Qnity Electronics（美國）
- SCREEN半導體解決方案（日本）
- IBM（美國）
- 杜邦公司（美國）
- 默克集團/EMD電子（德國）
- 公司概況
- 商業策略
- 主要產品
- 財務業績
- 關鍵績效指標
- 風險分析
- 最新進展
- 區域影響力
- SWOT分析
- ASML已成為 EUV 微影市場無可爭議的領導者，也是全球唯一的 EUV 微影機供應商。該公司的市場主導地位建立在數十年的研發投入和強大的生態系統合作夥伴關係之上，特別是與卡爾蔡司 SMT 合作開發高精度反射鏡，以及與通快 (TRUMPF) 合作開發高功率雷射系統。
- 卡爾蔡司SMT被認為是EUV光刻技術的關鍵參與者和推動者，該公司專注於EUV掃描儀所需的超精密光學系統。該公司生產的極其複雜的反射鏡被用於ASML的設備中，這些反射鏡必須保持近乎完美的原子級精度。
- TRUMPF是該領域另一家實力雄厚的企業，也是EUV光刻光源所用高功率雷射系統的關鍵供應商。該公司與Cymer（ASML旗下公司）緊密合作，共同開發可產生13.5奈米波長EUV光的雷射驅動等離子體技術。
- 東京電子株式會社是一家主要的半導體設備供應商，為更廣泛的極紫外光刻（EUV）生態系統做出了貢獻，尤其是在晶圓加工、清洗和光刻系統方面。該公司高度重視擴展其面向邏輯和記憶體晶圓廠的先進半導體設備產品組合，以支援其轉型為5奈米以下技術。
- 應用材料公司是一家領先的半導體設備公司，提供對基於極紫外光刻技術的晶片生產至關重要的先進材料工程解決方案。此外，該公司也積極參與半導體製造的多個環節，包括沉積、蝕刻和檢測。
以下是全球EUV光刻市場的主要參與者名單：
極紫外光刻市場是一個高度集中但又受到策略控制的格局，ASML 在 EUV 掃描系統領域幾乎佔據壟斷地位。其主導地位主要得益於與 Carl Zeiss SMT 在精密光學元件方面的深度技術合作，以及與 TRUMPF 在高功率雷射系統方面的合作。另一方面，Applied Materials、Lam Research 和 KLA 等美國公司在晶圓加工和計量領域發揮關鍵作用，而台積電、三星和 SK 海力士等亞洲半導體巨頭則推動市場需求。整體而言，該市場的競爭格局取決於整個價值鏈中生態系統的相互依賴和長期的合作開發夥伴關係。例如，富士膠片於 2024 年 10 月宣布推出負性 EUV 光阻和 EUV 顯影液，透過改進其 NTI 製程以應用於 EUV，從而進一步推動半導體小型化。富士軟片在日本靜岡和韓國平澤新建了生產和品質評估設施，這進一步加強了其在推進下一代裝置高精度光刻技術方面的作用。
市場企業格局：
最新動態
- 2026 年 2 月， Qnity Electronics宣布推出 Eon™ EUV 光阻系列，擴展其 EUV 微影產品組合。此系列光阻專為先進節點半導體製造而設計，可提供卓越的圖案化精度、缺陷控制和抗蝕刻性。
- 2025年9月， SCREEN Semiconductor Solutions與IBM簽署了一項新協議，雙方將共同開發高數值孔徑（NA）極紫外光刻（EUV）清洗工藝，進一步深化雙方在奈米片裝置技術領域長達十年的合作。此次合作將IBM的製程整合經驗與SCREEN在晶圓清洗領域的領先地位結合，旨在解決2奈米以下半導體製造中至關重要的顆粒和缺陷問題。
- Report ID: 8611
- Published Date: Jun 11, 2026
- Report Format: PDF, PPT
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