Größe und Anteil des Siliziumkarbid-Marktes nach Gerät (SiC-Modul, diskretes SiC-Gerät); Produkt (Schwarzes SiC, Grünes SiC); Wafergröße (bis zu 10 mm, mehr als 150 mm); Anwendung (Energie und Energie, Transport, Stahl und Metallurgie, Weltraumforschung, Elektronik und Optoelektronik, Automobil, Telekommunikation, Industrie) – Globale Angebots- und Nachfrageanalyse, Wachstumsprognosen, Statistikbericht 2023–2035

Wachstumsbeschleuniger

• Steigende Bevorzugung von Siliziumkarbid gegenüber Silizium – Die Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid ist dreimal höher als die von Silizium, außerdem ist die dielektrische Durchschlagfestigkeit von SiC etwa zehnmal besser als die von Silizium. Dies bedeutet, dass eine kleinere SiC-Größe eine bessere Nennspannung aufweist als eine größere Siliziumgröße.
• Wachsende Entwicklung siliziumbasierter Technologien – Die Notwendigkeit, eine hohe Leistung von Siliziumgeräten zu erreichen, wird deren Produktion um das Sechsfache steigern. Dies wird auch den technologischen Fortschritt von Siliziumkarbid vorantreiben und auch dessen Nachfrage steigern.
• Höhere Verbreitung von Elektrofahrzeugen – Weltweit ist die Verbreitung von Elektrofahrzeugen um etwa 13 % gestiegen. Darüber hinaus wird erwartet, dass bis 2030 über 250 Millionen Elektrofahrzeuge im Einsatz sein werden. SiC-basierte Leistungsmodule haben eine verbesserte Effizienz und Leistung, was sie für Autos der nächsten Generation unverzichtbar macht. Darüber hinaus unterstützen SiC-Leiter auch schnellere Ladezeiten für Elektrofahrzeuge .

Herausforderungen

• Hohe Produktionskosten – Hochwertige Siliziumkarbidmaterialien werden mit komplexen Techniken hergestellt, die im Vergleich zu Standardmaterialien auf Siliziumbasis zu etwas höheren Produktionskosten führen können. Es ist immer noch schwierig, die Produktionskosten bei gleichbleibender Qualität zu senken.
• Begrenzte Verfügbarkeit von hochreinem Silizium und Kohlenstoff
• Komplexität bei der Verpackung der SiC-Geräte